60V/50A的N沟道MOS场效应管SL50N06D,具有高频率、大电流、抗冲击能力强等优点

2024-05-07 SLKOR(萨科微)官网
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在BLDC电机技术的应用场景中,SL50N06D中压MOSFET提供关键的功率控制、电机的换向控制、温度保护等功能。它在BLDC电机技术领域不仅能够提高电力传动系统的效率和性能,还能够实现更加智能化的控制,通过对电机相电流进行高精度调控,实现了电机的高效、平稳运行。BLDC电机技术在各个领域的应用场景多样且广泛,SL50N06D中压MOSFET适用于BLDC电机控制系统中的电力传动系统,作为其中的重要组成部分为系统发挥高效、稳定的功率控制和保护作用,推动了电动化、智能化技术的不断发展。


萨科微SLKOR中压MOS管SL50N06D产品图

 

SL50N06D是一款N沟道MOS场效应管,采用先进的Trench技术生产。其具有较高的漏源电压(60V)和连续漏极电流(50A),具有高频率、大电流、抗冲击能力强等优点。此外,其低导通电阻(14mΩ@10V,25A)和低阈值电压(1.6V@250μA)保证了在工作状态下降低功率损耗。该器件提供卓越的开关性能,并承受雪崩和换相模式下的高能量脉冲,为电路设计提供可靠的功率控制和高效能的性能表现。


萨科微Slkor中压MOS管SL50N06D

 

首先,该器件的导通电阻在10V电压和25A电流条件下仅为14mΩ,在导通状态下能够提供较低的电压降和电阻损耗,从而有效地减少功率损耗并提高效率。另外,其阈值电压为1.6V@250μA,表明在控制端施加较低的门极电压即可实现可靠的开关操作。SL50N06D具有较高的漏源电压和电流承受能力,使其能够在高压和高电流的情况下稳定工作,不易受到损坏。此外,它还能够快速响应高能量脉冲信号,实现快速的开关操作,在高能量脉冲工作下,由于其热特性良好,能够有效地散热,避免过热对器件性能造成损害,而且表现稳定可靠,具有较长的使用寿命和良好的性能一致性。


萨科微Slkor中压MOS管SL50N06D相关参数

 

SL50N06D作为一款性能优异的N沟道场效应管,在电源管理、驱动控制、逆变器等领域都具有广泛的应用前景。在各种类型的电源电路中,它可以作为电源开关管,用于控制电路的通断,实现对电源的有效管理。也电源管理领域的理想选择,能够提高电路的效率和稳定性。还可以用于各种类型的驱动控制电路中,如电机驱动、照明控制等。还常常被应用在各种类型的逆变器电路中,逆变器作为电能转换的重要组成部分,需要具备良好的功率开关器件来实现电能的高效转换。


在实际应用中,SL50N06D和BLDC电机控制技术的结合不仅能够提高电力传动系统的效率和性能,还能够实现更加智能化的控制。通过采用先进的数字信号处理技术和传感器反馈系统,可以实现对电机转速、扭矩、位置等参数的高精度控制,满足不同场景下的需求,推动电力传动技术向着更加高效、可靠的方向发展。


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2024-05-03 -  产品 代理服务 技术支持 采购服务

FS5N10F SOT-89 100V N Channel Enhancement MOS Field Effect Transistor(FS5N10F SOT-89 100V N 沟道增强型场效应管)

描述- 本资料介绍了富信电子集团旗下安徽富信半导体科技有限公司生产的FS5N10F场效应管。该产品是一款100V N Channel Enhancement沟道增强型MOSFET,具有高漏极电流、低导通电阻等特点,适用于各种电源管理电路。

型号- FS5N10F

2024/8/28  - 富信  - 数据手册 代理服务 技术支持 采购服务

【产品】N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管SL18N50F,漏源电压500V,导通电阻仅0.32Ω

SLKOR推出的SL18N50F是一款低导通电阻、低阈值电压、快速开关速度的高压N沟道MOS管,适用于各种高压开关应用,如电源管理、电机驱动和开关模块等。其TO-220F封装,也使其在PCB设计中具有良好的散热性能,从而保证器件的高可靠性。

2023-08-31 -  产品 代理服务 技术支持 采购服务

富信双N沟道增强型MOS场效应晶体管FS9926可有效减少功耗和热能损耗,广泛用于电池电源系统

富信半导体推出了SOP-8封装的双N沟道增强型MOS场效应晶体管FS9926,该场效应管具有低导通电阻的特点,在栅极-源极电压VGS=4.5V和VGS=2.5V环境下,静态漏源导通电阻RDS(ON)可分别低至22mΩ(典型值)和30mΩ(典型值)。因此,该器件能够高效地降低漏源压降,减小功耗和热能损耗,提高开关速度。可应用于桌面设备、电池电源系统和笔记本电源管理。

2023-10-14 -  产品 代理服务 技术支持 采购服务

FS5N06F SOT-89 60V N Channel Enhancement MOS Field Effect Transistor(FS5N06F SOT-89 60V N 沟道增强型场效应管)

描述- 本资料介绍了富信电子集团旗下安徽富信半导体科技有限公司生产的FS5N06F场效应管。该产品是一款60V N Channel Enhancement沟道增强型MOSFET,具有高漏极电流、低导通电阻等特点,适用于各种电源管理电路。

型号- FS5N06F

2024/8/28  - 富信  - 数据手册 代理服务 技术支持 采购服务

70V/100mA的N沟道MOSFET BAS70W-05,适用于中低压开关柜

BAS70W-05是一款具有70V漏源电压和100mA正向平均整流电流的N沟道MOSFET,具有大电流承受能力、正向压降低、开关速度快等特性。这些特性使得BAS70W-05成为中低压开关柜系统中理想的电流控制和电压调节元件,它不仅可以提高系统的能效和稳定性,还可以为系统提供多种功能,满足不同工业和电力场景下的需求。

2024-05-23 -  产品 代理服务 技术支持 采购服务

60V/10A的N沟道MOSFET SL10N06A,是笔记本电脑理想的电源管理和控制电流元件

SL10N06A是一款具有60V漏源电压和10A连续漏极电流的N沟道MOSFET,以其低导通电阻(35mΩ@10V,5A)和较低的阈值电压(2.5V@250μA)而著称。这些特性使得SL10N06A成为笔记本电脑领域中理想的电源管理和控制电流元件,尤其是在需要高效能和高精度控制的场合。

2024-07-10 -  产品 代理服务 技术支持 采购服务

FS8810 TSSOP-8 20V Dual N Channel Enhancement with ESD MOS Field Effect Transistor(FS8810 TSSOP-8 双 N 沟道增强型带静电保护场效应管)

描述- 该资料介绍了富信电子集团旗下的安徽富信半导体科技有限公司生产的FS8810型号双N沟道增强型带静电保护场效应管。产品具有低导通电阻,适用于桌面设备、电池供电系统和笔记本电源管理等应用。

型号- FS8810

2024/8/22  - 富信  - 数据手册 代理服务 技术支持 采购服务
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