瑶芯携最新产品和解决方案参加2024年功率器件新技术线上研讨会
功率半导体作为电能转换、电路控制的核心部件,广泛应用于汽车、消费电子、计算机、网络通信、工控等场景。随着全球范围内新能源汽车、光伏、风电应用领域的下游需求激增,带动功率半导体行业进入景气期。
瑶芯受邀参加世强硬创举办2024年功率器件新技术研讨会,带来最新产品和解决方案,助力企业工程师快速了解市场新品动态,点燃创意火花,加速研发项目进度。
作为国内领先的功率器件和数模混合信号链IC产品供应商,瑶芯将携650V-2300V SiC MOS,品类齐全,适用于光伏、储能、充电桩以及汽车OBC隆重亮相本次研讨会。
欢迎各界朋友通过世强硬创网站首页线上观看,全面感受瑶芯的创新成果和整体解决方案。
关于瑶芯
瑶芯微电子科技(上海)有限公司主要致力于功率器件、智能传感器和信号链IC的设计、研发和销售,主营产品为功率器件(中低压Trench MOS以及SGT MOS,高压SJ超结MOS,IGBT,FRD,SiC MOS和SiC二极管)和MEMS传感器以及信号链IC。主要应用领域为:消费类和工业类以及车载的功率器件应用(比如手机快充,工业开关电源,光伏储能逆变器,车载OBC,主驱逆变,各类工业/车载电机和BMS应用)以及消费类电子市场、医疗与工控领域的MEMS传感器产品和信号链IC,具备自有知识产权、可国产替代的高可靠性和高性价比。
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型号- WS4A020120A,WS4A050065D,WMH075M120A1A,WS4A050065B,WS4A020120B-V,WS4A020120B,WS4A020120D,WS4A040120K,WMIT075M120B1A,WS4A040120D,WM2HA020065Y,WS4A040120B,WMT075M120B1A,WMH020M065A1A,WS4A030065D,WS4A020120J,WS4A040120B-V,WS4A020120K,WS4A030065J,WS4A025170B,WS4A025170D,WS4A030065B,WM2A030065L,WM2A030065K,WS4A030065K,WS4A050170B-V,WMD075M120B1A,WM2HV020170L,WS4A006065F,WM2HV020170K,WS4A006065E,WS4A004065A0,WS4A006065B,WS4A006065A,WS4A010065E,WS4A015065J,WS4A010065F,WS4A010065A,WS4A015065F,WS4A010065B,WM2A080170N,WM2A080170L,WM2A080170K,WM2HV140120N,WM2HV140120L,WM2HV040065L,WM2HV040065K,WM2HA040120N,WM2HA040120L,WM2HA040120K,WM2A060065N,WM2A060065K,WM2HV040065N,WM2A060065L,WS4A050170B,WM2A060065Y,WM2HA030120N,WM2HA030120K,WS4A050170D,WM2HA030120L,WM2HA020120K,WM2HV140120K,WS4A005120E,WM2HA020120L,WM2A040120L,WM2HV020120N,WM2HA020120N,WM2HV020120K,WM2HV020120L,WM2A040120K,WS4A010065J,WS4A015120J,WS4A015120D,WM2V080170K,WS4A050065B-V,WS4A005120A,WS4A005120B,WMH016M120A1A,WM2V080170L,WM2HA040065N,WM2V080170N,WM2HA040065L,WM2HA040065K,WS4A020065A,WS4A020065D,WS4A020065B,WM2HV030120K,WS4A020065B-V,WM2HA040065Y,WS4A020065F,WS4A015120A,WM2V040120L,WM2V040120K,WS4A015120B,WMH060M120A1A,WM2HA011075K,WM2HA011075L,WM2HA04006Y,WM2HV030120N,WS4A060120D,WS4A020065K,WM2HV030120L,WS4A020065J,WM2HA024200LP,WS4A060120K,WM2V040170L,WM2V040170N,WS4A025170B-V,WM2V040170K,WMH080M170A1A,WS4A030120K,WS4A030120B-V,WM2HV060120L,WM2HV060120K,WM2HV060120N,WMIT040M120B1A,WM2HV011075L,WM2HV011075K,WS4A200120T,WMT040M120B1A,WM2HA240120N,WS4A010120E,WS4A004065F0,WS4A010120D,WS4A010120B,WS4A010120A,WM2A050330L,WM2HA240120E,WS4A008065B,WM2HV040120L,WS4A060065K,WS4A008065A,WMD040M120B1A,WS4A008065F,WS4A008065E,WM2HA140120L,WSXAXXXXXX0,WM2HA140120K,WM2HA140120N,WS4A050120D,WS4A050120B,WMH040M120A1A,WM2HV016120L,WM2HV016120K,WM2HA020170L,WS4A010120J,WM2HA020170K,WS4A040065K,WS4A050120B-V,WMH060M075A1A,WS4A015065A,WS4A015065B,WM1A650170N,WM1A650170K,WM2A075120K,WM2A075120L,WM2A075120N,WM2V020065N,WM2V020065K,WM2V020065L,WS4A004065B0,WS4A004065E0,WMXAXXXXXX0,WM2V075120N,WM2HA060120K,WM2V075120K,WM2HA060120L,WM2V075120L,WM1A080120K1,WM2HA060120N,WM2HV075120L,WM2HA020065K,WS4A030065B-V,WM2HA020065L,WM2A040170K,WM2A040170L,WM2A040170N,WM2HA016120L,WM2HA016120K,WM2HA020065N,WM2HA016120T,WM2A060090N,WMH020M120A1A,WM2A060090K,WM1A080120L1,WM2A060090L,WM2A100200LP,WM1A01K170K,WS4A030120D,WM2A050200LP,WM2A020065L,WM2A020065K,WM2A020065N,WM1A01K170N,WS4A030120B
【视频】扬杰高效SiC,提供多样化产品和应用,助力新能源汽车
型号- YJD106502DQG3,YJD106502PQG3,YJD106504PG1,YJD106504FQG3,YJD106504DG1,YJD106504FG1,YJD106504PQG3
东海半导体授权世强硬创,代理IGBT单管/模块、SiC二极管/MOS
40A 1200V TRENCHSTOP IGBT采用先进的沟槽和场截止技术设计,不仅能提供优异的VCEsat和开关速度、低栅极电荷,还拥有卓越的开关速度,VCEsat中的正温度系数带来轻松并联的能力。
【视频】蓉矽高可靠性SiC功率器件在光储充与新能源汽车上的应用
型号- NCD30S40TTD,NC1M120C12HT,NC1M120C12W,NC1D120C10AT,NCD30S20TTD,NC1D120C20KT,NC1D120C30KT,NC1M120C40HT,NC1M120C75HT
蓉矽1200V 30A SiC SBD(NC1D120C30KT)应用于40kW单向充电模块,电路损耗降低180W
本文以某品牌40kW单向充电模块为测试平台,对蓉矽SiC MOS和SiC SBD在该充电模块中应用表现进行了较为全面的测试。在该测试中,采用蓉矽NC1D120C30KT(1200V/30A/TO247-2)SiC SBD更换原机UFRD,蓉矽SiC SBD的Vf、Qrr以及trr均优于原机UFRD,且全功率范围效率高于原机,最大效率差为800V满载输出时,约0.45%,对应损耗降低180W。
【应用】国产SiC MOS ASC100N1700MT4用于直流充电桩,满足母线电压1000V需求
随着如今电网升级,不少充电桩的母线电压都由800V提升到1000V,本文将为此情况介绍一款国产品牌爱仕特的N沟道SiC MOS:ASC100N1700MT4,提供了优异的开关性能和更高的可靠性。此外,低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和栅极电荷。
华润微电子SJ MOS和SiC二极管器件满足充电桩高效率和高功率密度的性能要求
华润微电子针对充电桩、大功率电源等应用开发的的第四代、第五代SJ MOS,采用先进的多层外延技术,优化了元胞结构,具有电流能力强,短路能力好的特点。另外,新材料SiC二极管器件,具有导通损耗小,开关损耗小,抗雷击浪涌能力强的特性,在应用上更能满足充电桩高效率和高功率密度的性能要求。
【视频】面向光储市场应用,阿基米德提供效率更优的功率产品解决方案
型号- AMG300L12P4H3RA,AMG300L65P4S5RC,AMG225L65F2S5RA,AMG500L12P4H7TA,AMG450L65P4S5FC,AMG600H12S1H3RA,AMG300L65F2S5RC,AMG400L12P4H3RA,AMG300L65F2S5RA,AMG375L65P4S5RC,AMG150L12S2H3RA,AMG300L65F2S5RB,AMG400L12P4H7TA,AMG225L12S2H3RA,AMG450L65P4S5RC,AMG450L65F2S5RC,AMG300L12S2H3RA,AMG450L65F2S5RB,AMG160L12F2H3RA
电子商城
服务
定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m,厚度2mm-100mm,单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
最小起订量: 1片 提交需求>
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址: 西安 提交需求>
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