100V/25A的N沟道MOS场效应管SL25N10，采用高密度电池设计，适合高压高功率的电路设计
随着电动汽车和便携设备的普及，无线充电技术逐渐成为人们关注的焦点之一。在无线充电技术的应用场景中，SL25N10中压MOSFET在功率传输控制、充电器设计、保护功能、热管理这几个关键方面中发挥重要作用。例如在无线充电过程中可以减少器件本身的能量损耗，实现充电效率的优化；也可以快速响应充电系统的控制信号，确保系统在各种工作条件下稳定运行，有效控制充电功率的输出，并且能够在高温环境下保持稳定性能。
SL25N10是一款N沟道MOS场效应管，具有出色的性能参数，其具有较高漏源电压（100V）和大电流承受能力（25A），非常适合用于高压高功率的电路设计中。此外，其较低的导通电阻（35mΩ@10V,15A）和较低的阈值电压（1.8V@250μA）保证了其在工作状态下能降低功率损耗。该器件在各种电子设备和电路中都能发挥重要作用，为电子设备和系统的性能提升和能效改进提供了强大支持。
萨科微Slkor中压MOS管SL25N10
SL25N10是一款采用沟槽式功率中压MOSFET技术的优秀器件，具有出色的散热封装和适用于低RDS(on)的高密度电池设计。首先，SL25N10的沟槽式功率中压MOSFET技术为其提供了优异的性能基础。这种技术结构能够有效减小器件的导通电阻，提高功率传输效率，同时也降低开关损耗，使得器件在高功率负载下能够稳定工作。其次，它配备了出色的散热封装，能够有效地将器件产生的热量散发出去，保持器件工作温度在安全范围内。这对于长时间高负载工作的应用场合尤为重要，能够确保器件稳定可靠地工作。另外，该器件适用于RDS(on)的高密度电池设计。其低导通电阻和优秀的电流承受能力使得它在高密度电池组中起到关键作用，能够提供稳定的电流输出并减小系统的功率损耗。
萨科微Slkor中压MOS管SL25N10相关参数
它的稳定性、高效性和可靠性，使得其在电子领域中具有广泛的应用前景，在应用程序方面，SL25N10可被用于直流到直流转换器和电源管理功能中。在直流转换器中，它也可以作为关键的功率开关元件，用于控制电路的输出电压和电流，实现电能的高效转换和稳定输出。在电源管理功能中，该器件还可以用于电池充放电管理、电源开关控制等方面，帮助实现电子设备的高效能耗管理。
总的来说，SL25N10性能卓越，质量可靠，而优秀的功率器件可以为电子设备的无线充电提供更高效、更可靠的解决方案。随着科技的不断进步，可以实现更加智能化、精准化的无线充电系统，提高充电效率并优化充电体验。此外，高密度电池设计和无线充电技术的快速充电特性，也将为未来的电子设备充电方式带来全新的发展机遇。
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Slkor萨科微SL60N10Q是一款具有100V漏源电压和60A连续漏极电流的N沟道MOS管，以极低的导通电阻（8mΩ@10V,20A）和较低的阈值电压（2.4V@250μA）而著称。在AI电源管理系统中，中压MOS管SL60N10Q能够实现对电源的高效管理和控制，确保电源的稳定供应和能源的高效利用。
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品牌：SLKOR
品类：P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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