EPC Announces EPC9193 eGaN® FET Based 3-Phase BLDC Motor Drive Inverter for Low-Cost E-Bikes, Drones and Robotics
The EPC9193 GaN-based inverter reference design enhances motor system performance, range, precision, torque, all while lowering overall system cost.
EL SEGUNDO, Calif.— March, 2024 — EPC announces the availability of the EPC9193, a 3-phase BLDC motor drive inverter using the EPC2619 eGaN® FET. The EPC9193 operates with a wide input DC voltage ranging from 14V and 65V and has two configurations – a standard unit and a high current version:
The EPC9193 standard reference design uses a single FET for each switch position and can deliver up to 30ARMS maximum output current.
A high current configuration version of the reference design, the EPC9193HC, uses two paralleled FETs per switch position with the ability to deliver up to 60Apk (42ARMS) maximum output current.
Both versions of the EPC9193 contain all the necessary critical function circuits to support a complete motor drive inverter including gate drivers, regulated auxiliary power rails for housekeeping supplies, voltage, and temperature sense, accurate current sense, and protection functions. The EPC9193 boards measure just 130mmx100mm (including connector).
Major benefits of a GaN-based motor drive are exhibited with these reference design boards, including lower distortion for lower acoustic noise, lower current ripple for reduced magnetic loss, and lower torque ripple for improved precision. The extremely small size of this inverter allows integration into the motor housing resulting in the lowest EMI, highest density, and lowest weight.
EPC provides full demonstration kits, which include interface boards that connect the inverter board to the controller board development tool for fast prototyping that reduces design cycle times.
"GaN-based inverters enhance motor efficiency and lower costs, expensive silicon MOSFET inverters", said Alex Lidow, CEO of EPC. "This results in smaller, lighter, quieter motors with increased torque, range, and precision."
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由玄子转载自EPC News,原文标题为:GaN for Low-cost e-bikes, Drones, and Robotics,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
相关推荐
【元件】EPC推出首款具有最低1mΩ导通电阻的GaN FET EPC2361,采用紧凑型QFN封装(3mmx5mm)
EPC推出采用紧凑型QFN封装(3mmx5mm)的100V、1mOhm GaN FET(EPC2361),助力DC/DC转换、快充、电机驱动和太阳能MPPT等应用实现更高的功率密度。
【元件】使用EPC新款50V GaN FET设计更高功率密度的USB-C PD应用,尺寸仅为1.8 mm²
EPC推出了50V、8.5mOhm的EPC2057 GaN FET,尺寸仅为1.5mm x 1.2mm,为USB-C PD应用提供了更高的功率密度。加利福尼亚州埃尔塞贡多—2024年6月—EPC是增强型氮化镓(GaN) 功率FET和IC的全球领导者,推出了50V、8.5mΩ的EPC2057。该GaN FET专为满足高功率USB-C设备的不断发展需求而设计,包括消费电子、车载充电和电动出行设备。
【IC】EPC推出EPC9193三相BLDC电机驱动逆变器,氮化镓器件让您实现更具成本效益的电动自行车、无人机和机器人
基于氮化镓器件的逆变器参考设计(EPC9193)让您实现具有更高性能的电机系统,其续航里程更长、精度更高、扭矩更大,而且同时降低了系统的总成本。
EPC eGaN®FET/晶体管选型表
EPC提供增强型氮化镓半桥功率晶体管/增强型功率晶体管/功率晶体管的选型:配置:Dual Common Source、Dual with Sync Boot、Half Bridge、Half Bridge Driver IC、HS FET + Driver + Level Shift、Single、Single - AEC Q101、Single – Rad Hard、Single with Gate Diode、Single with Gate Diode – AEC-Q101、Dual Common Source - AEC Q101,VDS最大值(V):15~350V;VGS最大值(V):5.75~7V
产品型号
|
品类
|
Configuration
|
VDSmax(V)
|
VGSmax(V)
|
Max RDS(on) (mΩ)
@ 5 VGS
|
QG typ(nC)
|
QGS typ (nC)
|
QGD typ (nC)
|
QOSS typ (nC)
|
QRR(nC)
|
CISS (pF)
|
COSS (pF)
|
CRSS (pF)
|
ID(A)
|
Pulsed ID (A)
|
Max TJ (°C)
|
Package(mm)
|
Launch Date
|
EPC2040
|
Enhancement Mode Power Transistor
|
Single
|
15
|
6
|
30
|
0.745
|
0.23
|
0.14
|
0.42
|
0
|
86
|
67
|
20
|
3.4
|
28
|
150
|
BGA 0.85 x 1.2
|
Apr, 2017
|
选型表 - EPC 立即选型
EPC GaN FET助力DC/DC转换器实现功率密度和效率基准
EPC GaN FET与Analog Devices驱动器和控制器相结合,为客户简化氮化镓基设计、提高其效率、降低散热成本、助力计算、工业和消费类应用的DC/DC转换器实现最高功率密度。
EPC氮化镓®FET鉴定报告EPC2234
描述- 本报告概述了EPC2234 eGaN FET产品的认证结果,该产品符合所有必要的认证要求,并已获准生产。报告详细介绍了EPC2234的预处理、可靠性测试、参数验证和破坏性物理分析,包括高温反向偏置、高温栅极偏置、偏置高度加速测试、温度循环、间歇操作寿命、湿度敏感度等级、静电放电敏感度等测试项目,以及测试结果和评估。
型号- EPC2234
EPC氮化镓®FET鉴定报告EPC2619
描述- 本报告概述了EPC2619 eGaN FET的产品认证结果。EPC2619通过了多种典型于硅基功率MOSFET的应力测试,包括高温反向偏置、高温栅极偏置、偏置高度加速测试、温度循环和湿度敏感度等级1测试。所有测试均符合要求,EPC2619已获准生产。
型号- EPC2619
成长中的氮化镓FET功率转换生态系统
描述- 本文介绍了基于eGaN®技术的功率转换系统,该系统相比基于硅的替代品具有更高的效率、更高的功率密度和更低的总体系统成本。文章详细阐述了eGaN FET生态系统,包括门驱动器、控制器和被动组件,并提供了相关产品的示例。此外,文章还讨论了eGaN FET在提高功率密度和效率方面的优势,以及如何选择合适的被动组件和控制器。
型号- TEA1998TS,UP1964,TEA1993TS,TMS320F28069MPZT,TEA1995T,EPC9204,IXD_604,UP1966D,ADUM4121ARIZ,LMG1025-Q1,EPC9144,NCP81111,X7R,LM5113-Q1,EPC9143,EPC9081,DSPIC33CK32MP102,X7S,LMG1210,ADUM4120ARIZ,NCP51820,FBS-GAM01P-C-PSE,FBS-GAM02P-C-PSE,LMG5200EVM-02,FBS-GAM02-P-R50,UCC27611,NCP4308A,UCD7138,EPC9078,SI8275GB-IM,SDI-TAPAS,LMG1205,SI8274GB1-IM,EPC90120,UP1966A,NCP4305A,PE29101,ISL70040SEH,PE29102,LMG1020
用于机器人和无人机的氮化镓®FET和IC
型号- EPC2212,EPC2214,EPC2059,EPC9003C,EPC2216,EPC2215,EPC2218,EPC2016C,EPC2052,EPC2051,EPC2053,EPC9087,EPC2102,EPC9002C,EPC2104,EPC2103,EPC2106,EPC90151,EPC90152,EPC2221,EPC21701,EPC9014,EPC90150,EPC9097,EPC90142,EPC9098,EPC9099,EPC9092,EPC9093,EPC90147,EPC9091,EPC2036,EPC2035,EPC2038,EPC2037,EPC2014C,EPC2039,EPC9507,EPC2030,EPC2032,EPC2031,EPC2152,EPC2033,EPC9060,EPC9061,EPC9062,EPC2307,EPC9005C,EPC2203,EPC9004C,EPC2204,EPC2015C,EPC2207,EPC2206,EPC2040,EPC9078,EPC2045,EPC2012C,EPC2019,EPC9049,EPC9046,EPC9047,EPC9040,EPC2024,EPC2302,EPC2001C,EPC2029,EPC9010C,EPC2021,EPC2020,EPC9057,EPC2023,EPC2022,EPC9055,EPC9050,EPC9172,EPC9006C,EPC2010C,EPC9001C,EPC23101,EPC23102,EPC23103,EPC23104,EPC9038,EPC2007C,EPC9039,EPC9034,EPC21603,EPC9035,EPC9156,EPC2088,EPC21601,EPC90122,EPC9031,EPC90123,EPC9032,EPC90120,EPC9033,EPC9154,EPC90124
How2GaN | 如何设计具有最佳布局的eGaN® FET功率级
eGaN FET的开关速度比硅基MOSFET更快,因此需要更仔细地考虑印刷电路板(PCB)布局设计以最小化寄生电感。寄生电感会导致过冲电压更高,同时减慢开关速度。本篇笔记将会探讨使用eGaN FET设计最佳功率级布局的关键步骤,来避免上述不良影响并最大化转换器性能。
【元件】EPC新推出80V GaN FET EPC2619,导通电阻仅4mΩ,专为电机驱动应用设计
2022年11月15日,EPC宣布推出80V、4mOhm的GaN FET EPC2619。在新生代的eGaN器件领域内,这是一款领先产品,其功率密度是EPC上一代产品的两倍。EPC2619的RDS(on)仅为4mOhms,尺寸仅有1.5mmx2.5mm。
极端氮化镓–当氮化镓®FET暴露于远高于数据手册限制的电压和电流水平时会发生什么
描述- 本文探讨了宽禁带氮化镓(GaN)器件在超出数据表极限电压和电流条件下的表现。文章介绍了高效功率转换公司(EPC)对第五代100V额定EPC2045 eGaN FET进行的测试,分析了其在硬开关条件下承受高达150V漏源偏置的情况。此外,还讨论了超过数据表最大脉冲电流限制的短路电流测试结果。
型号- EPC2212,EPC2203,EPC2207,EPC2052,EPC2051,EPC21603,EPC2045
用于医疗技术的镓氮化物®FET和IC应用简介
型号- EPC2036,EPC2234,EPC2035,EPC2038,EPC2012C,EPC2037,EPC2059,EPC2039,EPC2014C,EPC2215,EPC9507,EPC9049,EPC90140,EPC2055,EPC2110,EPC9063,EPC9064,EPC9087,EPC90132,EPC9022,EPC2307,EPC9005C,EPC9004C,EPC2106,EPC2304,EPC2108,EPC2207,EPC2107,EPC8002,EPC9057,EPC9058,EPC8004,EPC90150,EPC9098,EPC9055,EPC9099,EPC9050,EPC90124
针对eGaN®FET功率转换的生态系统的持续发展和完善
描述- 本文介绍了针对eGaN®FET功率转换的生态系统的发展和完善。文章重点阐述了eGaN FET的优势,包括高效率、低成本和更高的功率密度。此外,文章详细介绍了eGaN FET生态系统的三个主要部分:栅极驱动器、控制器和无源元件。文中还提供了相关产品的范例和制造商信息,旨在帮助设计师更好地利用eGaN FET技术。
型号- EPC2036,TEA1998TS,UP1964,TEA1993TS,LM5114,EPC2050,TEA1995T,EPC9204,IXD_604,ADUM4121ARIZ,EPC2012,EPC8010,EPC9081,TPS53632G,ISL8117A,LMG1210,ADUM4120ARIZ,EPC2047,LTC7800,MIC2103/4,UCC27611,NCP4308A,TPS40400,EPC9078,EPC2045,EPC2001,SI8275GB-IM,LMG1205,SI8274GB1-IM,LM5140-Q1,UP1966A,UP1966B,NCP4305A,LM5113-Q1(NRND),PE29101,PE29102,MIC2127A,LMG1020
EPC Launches a 3-phase BLDC Motor Drive Inverter EPC9173 with Embedded Gate Driver Function and a Floating Power GaN FET with 3.3mΩ RDS(on)
EPC‘s EPC9173 is a 3-phase BLDC motor drive inverter using the EPC23101 eGaN IC with embedded gate driver function and a floating power GaN FET with 3.3mΩ RDS(on). It operates from an input supply voltage between 20V and 85V and can deliver up to 50Apk (35 ARMS).
电子商城
现货市场
登录 | 立即注册
提交评论