罗姆SiC功率器件、GaN功率器件和肖特基二极管助力社会节能与低碳发展
当今世界面临着环境问题和资源枯竭等各种社会课题,对于企业而言,面对这些课题采取何种举措也变得越来越重要。通过电子技术来解决这些社会课题是罗姆的使命,而“企业宣言”则更加清晰地体现了这一使命。罗姆将用自己的电子技术优势来解决各种社会课题,并面向未来,持之以恒地为人们丰富多彩的生活和社会的发展与进步提供支持。
作为实现无碳社会和进一步节能的关键元器件,功率半导体和模拟半导体发挥这举足轻重的作用,同时社会和客户对此类产品的期望也越来越高。据了解,“电机”和“电源”所消耗的电力占全球大部分的耗电量,提高它们的效率是罗姆为实现无碳社会所承担的重要使命。罗姆集开发、生产和销售于一体,在预见需求的同时,整合并不断提高功率电子和模拟技术,助力客户实现产品的“节能”和“小型化”,进而为解决社会课题做出贡献。
一、SiC(碳化硅)功率器件
与传统的硅器件相比,碳化硅(SiC)器件由于拥有低导通电阻特性以及出色的高温、高频和高压性能,已经成为下一代低损耗半导体可行的候选器件。此外,SiC让设计人员能够减少元件的使用,从而进一步降低了设计的复杂程度。SiC元器件的低导通电阻特性有助于显著降低设备的能耗,从而有助于设计出能够减少CO2排放量的环保型产品和系统。
罗姆在SiC功率元器件和模块的开发领域处于先进地位,这些器件和模块在许多行业的应用中都实现了更佳的节能效果。
第4代SiC MOSFET
第4代SiC MOSFET在改善短路耐受时间的前提下实现了业内超低导通电阻。另外,还具有低开关损耗和支持15V栅-源电压等特点,有助于设备进一步节能。
二、GaN功率器件
GaN(氮化镓)是一种化合物半导体材料,作为下一代功率器件用的材料被寄予厚望。与以往的Si器件相比,其开关性能和高频性能更加出色,因而在市场上的应用日益广泛。不仅如此,其导通电阻也低于Si器件,有望助力众多应用实现更低功耗和小型化。
ROHM将有助于应用产品的节能和小型化的GaN器件命名为“EcoGaN™系列”,并始终致力于进一步提高器件的性能。另外,ROHM不仅致力于元器件的开发,还与业内相关企业积极建立战略合作伙伴关系并推动联合开发,通过助力应用产品的效率提升和小型化,持续为解决社会问题贡献力量。(* EcoGaN™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。)
1)2021年,罗姆确立了8V栅极-源极额定电压技术的150V GaN器件技术。
2)2022年,罗姆首次量产第一代EcoGaN™系列150V 耐压的 GaN HEMT。凭借其独特的结构,罗姆成功地将栅极-源极额定电压从普通GaN产品的6V提高到8V,提升了GaN器件电源电路的设计裕度和可靠性。
3)2023年4月,罗姆又量产了650V耐压GaN HEMT,至此同时提供了150V和650V GaN分立式器件。
此外,为了充分提高GaN HEMT的低损耗和高速开关性能,使器件应用更加稳定可靠,罗姆不仅注重提高GaN HEMT单体的性能,还不断改进驱动技术和控制技术,让GaN器件在各种应用中进一步普及。
三、肖特基二极管(SBD)
在各种应用产品中,通常使用二极管来实现反接保护和电路整流等电路保护。随着各种应用产品对更低功耗的要求,比其他二极管效率更高的SBD正越来越多地被采用。另一方面,如果为了追求效率而降低VF,则存在权衡关系的IR会升高,热失控的风险会随之增加,因此在设计电路的过程中,选择SBD时需要很好地权衡VF和IR。在这种背景下,ROHM加强了追求低VF和低IR特性之间平衡的SBD系列的产品阵容,以车载市场为中心创造了非常优异的业绩。
罗姆最新的SBD产品有5个系列,客户可以根据对VF和IR的不同重视程度,从丰富的产品阵容中选择合适的产品。另外,每个系列都有丰富的封装阵容,客户还可以根据应用产品的性能要求选择小型封装。下面将对每种产品的特点分别展开介绍。
RBS系列超低VF(耐压:20V)
该系列的VF最低,在主要用于正向电路中的损耗可大幅降低,非常适用于智能手机等使用电池低电压驱动的移动设备中的整流应用。
目标应用:笔记本电脑、移动设备等。
RBR系列低VF(耐压:30V/40V/60V)
该系列为通用型产品,与相同尺寸的罗姆以往产品相比,VF特性降低约25%。在车载应用中,正向损耗非常少,因此作为要求更高效率的汽车信息娱乐系统和车载LED灯等的保护二极管,非常受欢迎。2021年8月,封装阵容中又新增了车载用超小型PMDE封装,可满足市场对更小封装的需求。
目标应用:车载信息娱乐系统、车载LED灯、车载ECU、笔记本电脑等。
RBQ系列低IR(耐压:45V/65V/100V)
该系列利用罗姆自有的势垒形成技术,在VF特性与IR特性之间取得了良好的平衡。与罗姆以往产品相比,其反向功率损耗降低了60%,因此可以降低热失控风险,非常适用于需要在高温环境下运行的引擎ECU整流应用、高输出功率LED前照灯的保护应用、以及大电流工业设备电源等应用。
目标应用:xEV、引擎ECU、高输出功率LED前照灯、工业设备电源等。
RBxx8系列超低IR(耐压:30V/40V/60V/100V/150V/200V)
该系列产品具有超低IR,可以降低热失控风险,非常适用于需要在高温环境下运行的xEV电池和电机相关ECU、以及燃油车引擎ECU和变速箱ECU等的整流应用。该系列支持耐压高达200V,可以替换通常在这个耐压范围使用的整流二极管和快速恢复二极管,并可以大幅降低VF(与FRD相比,降低约11%),还有助于降低上述车载应用中的功耗。
目标应用:xEV电池管理系统、引擎ECU、工业设备逆变器等。
YQ系列低VF・低IR(耐圧:100V)
通过采用新技术和独特的沟槽MOS结构,该系列的VF值和IR值都低于以往传统的平面结构,在一般沟槽MOS结构中因构造恶化的TRR也得到了改善,达到了与平面结构传统产品相当的水平(业界较高级别)。因此不容易发生热失控,并且可以降低开关损耗,因此非常适合需要高速开关的应用,例如容易发热的汽车LED前照灯驱动电路和xEV的DC-DC转换器。
目标应用:汽车LED头灯、xEV DC-DC转换器、工业设备电源、照明等。
除此以外,罗姆还在多个应用领域不断地推出更低功耗、更高效率的产品与技术。在未来,罗姆将进一步扩充产品阵容,为应用的进一步小型化和低功耗做出贡献。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由出山转载自ROHM(罗姆)微信公众号,原文标题为:高效节能,低碳未来 | 点击了解罗姆绿色产品,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
相关推荐
罗姆与台达电子缔结电源系统用功率元器件战略合作伙伴关系,以GaN功率器件为核心,加速技术创新
全球知名半导体制造商ROHM和电源管理解决方案领导厂商台达电子就第三代半导体GaN(氮化镓)功率器件的开发与量产缔结战略合作伙伴关系。双方将以GaN功率器件为核心,联合开发适合更多电源系统的600V耐压GaN功率器件。
罗姆第4代SiC MOSFET相对IGBT显著提升车载主驱逆变器效率,延长电动汽车的续航里程
罗姆通过进一步改进自有的双沟槽结构,使第4代SiC MOSFET具有低导通电阻、优秀的短路耐受时间、低寄生电容、低开关损耗等优点。凭借高性能元器件以及丰富的支持工具,罗姆将助力设计人员为未来的电力电子系统创建可行且节能的解决方案。
SiC MOSFETs from ROHM Chosen by Lucid for Efficient On-board Charging of Groundbreaking Luxury Electric Vehicle
ROHM has announced that Lucid is using its silicon carbide metal-oxide-semiconductor field effect transistor (SiC MOSFET) in the ground-breaking Lucid Air.
ROHM(罗姆) SiC(碳化硅)MOSFET选型指南(中文)
描述- SiC MOSFET原理上在开关过程中不会产生拖尾尾电流,可高速运行且开关损耗低。低导通电阻和小型芯片尺寸造就较低的电容和栅极电荷。此外,SiC还具有如导通电阻增加量很小的优异的材料属性,并且有比导通电阻可能随着温度的升高而上升2倍以上的硅(Si)器件更优异的封装微型化和节能的优点。
型号- SCT3160KL,SCT4062KR,SCT3030KLHR,SCT4013DE,SCT3080AW7,SCT2450KE,SCT3160KW7,SCT2H12NZ,SCT4062KW7HR,SCT2450KEHR,SCT4013DR,SCT3060ALHR,SCT3040KRHR,SCT3060ARHR,SCT3040KLHR,SCT4036KEHR,SCT4045DRHR,SCT3022KLHR,SCT2160KE,SCT3080KW7,SCT3017ALHR,SCT3022AL,SCT3080ALHR,SCT3060AR,SCT3105KLHR,SCT4036KR,SCT3060AL,SCT4026DEHR,SCT4062KRHR,SCT3040KR,SCT2080KE,SCT3080KR,SCT3105KRHR,SCT3120AL,SCT4013DW7,SCT3030KL,SCT4062KWAHR,SCT4062KE,SCT3080ARHR,SCT4036KW7,SCT2280KEHR,SCT3120ALHR,SCT2280KE,SCT4062KWA,SCT3030AR,SCT3030AL,SCT3030AW7,SCT4036KRHR,SCT4045DEHR,SCT3120AW7,SCT3040KL,SCT3105KW7,SCT2080KEHR,SCT4018KW7,SCT4045DWA,SCT3080KL,SCT3030ALHR,SCT4062KW7,SCT3040KW7,SCT3022ALHR,SCT3030ARHR,SCT4045DW7,SCT3017AL,SCT4036KE,SCT4018KE,SCT4045DE,SCT4026DW7,SCT4062KEHR,SCT3080AR,SCT4026DW7HR,SCT4026DE,SCT4026DWA,SCT3160KLHR,SCT3080AL,SCT4045DW7HR,SCT4045DR,SCT2160KEHR,SCT3022KL,SCT4018KR,SCT4026DR,SCT4045DWAHR,SCT3105KL,SCT3160KW7HR,SCT3105KR,SCT3080KLHR,SCT3060AW7,SCT4026DRHR,SCT3080KRHR,SCT4026DWAHR
【选型】合科泰电子提供肖特基二极管、MOS管等产品,提高扩展坞的核心竞争力
二极管、三极管、MOS管等分立器件在扩展坞产品中用在开关电路、电源管理、电源检测电路、小信号控制电路等中起到开关、整流、稳压等关键的作用。合科泰能为扩展坞客户提供肖特基二极管、普通二极管、三极管和MOS管等产品,提高扩展坞产品的核心竞争力。
高特微电子SS510B:100V高压下VF值仅为0.85V的可靠肖特基二极管
SS510B是高特微电子研发的一款卓越的LOW VF肖特基二极管,以其低功耗和超高速性能引领行业。这款器件专为处理大电流和高压场景而设计,具有出色的稳定性,在100V工作电压下,最大正向导通电流可达5A,尤其在5A电流条件下VF值仅为0.85V,展示了其优秀的节能特性。即使在100V高压环境下,其漏电电流也仅有0.3mA,充分体现了产品的高效能表现。
ROHM(罗姆) SiC(碳化硅)肖特基二极管选型指南(中文)
描述- SiC肖特基势垒二极管(SiC SBD)具有很小的总电荷(Qc),低开关损耗且高速开关工作。因此,它被广泛用于电源的PFC电路中。此外,与硅基快恢复二极管的trr(反向恢复时间)会随温度的升高而增加不同,碳化硅(SiC)器件可保持恒定的特性,从而改善了电路性能。制造商能够减小工业设备和消费类电子产品的尺寸,非常适合在功率因数校正电路和逆变器中使用。
型号- SCS208AG,SCS206AJ,SCS208AJHR,SCS220KE2,SCS206AG,SCS306AM,SCS304AM,SCS308AJ,SCS205KG,SCS220AE2,SCS308AM,SCS315AG,SCS220KG,SCS315AJ,SCS230KE2,SCS230AE2,SCS220KE2HR,SCS212AJ,SCS210AG,SCS212AG,SCS315AM,SCS210AJ,SCS210KE2HR,SCS320AM,SCS215KG,SCS210KE2,SCS220AE2HR,SCS320AJ,SCS215AJHR,SCS320AG,SCS240KE2HR,SCS240AE2HR,SCS220AJHR,SCS220AJ,SCS212AJHR,SCS220AG,SCS310AM,SCS312AJ,SCS310AJ,SCS312AM,SCS312AG,SCS310AG,SCS215AJ,SCS240KE2,SCS215AG,SCS230KE2HR,SCS240AE2,SCS230AE2HR,SCS304AG,SCS210AJHR,SCS308AG,SCS306AJ,SCS306AG,SCS210KG,SCS304AJ,SCS206AJHR,SCS208AJ
肖特基二极管SS36,额定电流达到3.0A,适用于需要处理大电流的电路需求
萨科微slkor肖特基二极管SS36凭借其低功率损耗、高效率、高电流能力、低VF压降、高浪涌电流能力和无铅等特点,成为电子设备中的重要元件。它广泛应用于电源管理、电子设备、通信设备等领域,推动了电子技术的发展和创新。
高特微电子SS52B肖特基二极管:节能高效的多领域解决方案
SS52B是高特微电子研发的一款卓越的LOW VF肖特基二极管,以其低功耗和超高速性能引领行业。这款器件专为处理大电流和高压场景而设计,具有出色的稳定性,在20V工作电压下,最大正向导通电流可达5A,尤其在5A电流条件下VF值仅为0.55V,展示了其优秀的节能特性。即使在20V高压环境下,其漏电电流也仅有1mA,充分体现了产品的高效能表现。
SCT2H12NZ 1700V高耐压SiC MOSFET
型号- SCT2280KE,SCT212AF,SCT2450KE,SCT2160KEAHR,SCT2450KEAHR,SCT2H12NZ,SCT3022KL,SCT2080KE,SCT3040KL,SCT3030KL,BD7682FJ-LB-EVK-402,SCH2080KE,SCT2H12NYSCT2750NY,SCT2080KEAHR,SCT2280KEAHR,SCT2160KE
SiC MOSFET 5kW 高效率无风扇逆变电路
描述- 采用了发挥碳化硅(SiC)MOSFET高频特性的Trans-link交错型逆变电路(1)、实现了5kW时的功率转换效率达到99%以上。在该电路拓扑中,平滑电抗器的电感量可以减小。由于电抗器的匝数减少、使铜损大幅度减少实现了高效率。在这份资料中,介绍这个全新的逆变器设计的例子。
型号- PS2501L-1,MCR18ERTJ200,NJM78L05UA,MCR03EZPJ332,MCR03EZPJ334,RK73B1JTTD104J,PC092-01-00,B4B-XH-A,TR10P,DE1E3KX222MA4BN01,RK73B1JTTD472J,GRM188B31H104KA92,RB751S-40,MB3P-90,RK73B2BTTD105J,RK73B2BTTD4R7J,PH-1X10RG2,RK73B1JTTD103J,B5B-PH-K-S,PH-2X09SG,SSM3K318T,GRM1851X1H472JA44,KRB-408,GRM188B11H103KA01,HOT-2608B,ELXZ350ELL101MF15D,TLP700A,SCT3030AL,GRM188R11H104KA93,MCR10ERTJ4R7,TC4069UBF,RK73B1JTTD102J,PC045-00-00,S4B-EH,MOSX1C1R0J,NJM431U,GRM185B31E105MA12,DE1E3KX102MA4BN01,2SCR542P,GRM188R71E104KA01,PH-2X04SG,FHU-2×4SG,MCR10EZPJ105,PH-2X08SG,RK73B1JTTD153J,RK73B1JTTD101J,MCR03EZPJ101,ADR-48-50-0R5YA,MCR03EZPJ102,MCR03EZPJ103,24LC64SN,EG01C,MCR03ERTJ302,CQ-3303,CT-6E-P5KΩ,TR008A,1SS355,NE555D,ECQE6103KF,MCR18ERTJ4R7,ES1A,GRM188B11H102KA01,PC089-01-00-50P,NJM2732M,BFC233920105,MB4P-90,MCR03ERTJ331,B3P-VH,TBD,STR-A6079M,ACPL-C87AT,SCS212AM,MCR18ERTJ1R0,TRANS-LINK,GRM1851X1H222JA44,2SAR542P,MOSX1C334J,MCR03ERTJ202,FHU-2X9SG,VDCT,UDZS5.1B,ECQE6104KF,ELXZ100ELL681MF15D,S3B-EH,RK73B1JTTD271J,2SC3325,PH-1X04SG,MCR03EZPJ152,GRM188R71E105KA12,ELXS451VSN561MA50S,GRM21BR71E105KA99,MCR03ERTJ470,RK73B1JTTD470J,SCT3017AL,RK73B2BTTD563J,RK73B1JTTD000J,TA48M05F,MCR03ERTJ102,MCR03ERTJ103,SBR1U150SA-13,FHU-2X8SG,450MPH105J,UCS2W220MHD
ROHM提供支持电力电子仿真工具PSIM™的第4代SiC MOSFET仿真模型
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开始提供支持电力电子仿真工具PSIM™的第4代SiC MOSFET仿真模型。该模型可在Altair® US公司开发的电力电子和电机控制用的电路仿真工具PSIM™中使用。设计人员可从ROHM官网下载模型文件,轻松进行系统级评估。这一进展使得在更广泛的产业领域中进行高效设计和评估成为可能,并能进一步推动功率元器件的使用。
SiC MOSFET损耗计算方法:通过波形的线性近似分割来计算损耗的方法
本文ROHM将介绍根据在上一篇文章(《SiC MOSFET损耗计算方法:开关波形的测量方法》)中测得的开关波形,使用线性近似法来计算功率损耗的方法。
【经验】如何通过增加栅极电容的方式减缓SiC MOSFET 的米勒效应
SiC MOSFET 同Si 基MOSFET和IGBT一样,由于存在米勒电容,都会有米勒效应的存在。由于SiC材料所带来的优势,SiC MOSFET可以工作在更高开关频率下,这样就会面临更严峻的误触发现象。所以在驱动电路设计中需要增加相关设计,使之能够较为有效地避免误触发。本文将主要介绍增加栅极电容的方式。
高特SS515肖特基二极管:节能与高速完美结合
高特SS515是高特微电子研发的一款卓越的LOW VF肖特基二极管,以其低功耗和超高速性能引领行业。这款器件专为处理大电流和高压场景而设计,具有出色的稳定性,在150V工作电压下,最大正向导通电流可达5A,尤其在5A电流条件下VF值仅为0.85V,展示了其优秀的节能特性。即使在150V高压环境下,其漏电电流也仅有1mA,充分体现了产品的高效能表现。
电子商城
现货市场
服务
可定制射频隔离器/环行器(10M-40GHz),双工器/三工器(30MHz/850MHz-20GHz),滤波器(DC-20GHz),功分器,同轴负载,同轴衰减器等射频器件;可定制频率覆盖DC~110GHz,功率最高20KW。
最小起订量: 1 提交需求>
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址: 西安 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论