60V/5A N沟道MOS场效应管SL05N06Z，具有低导通电阻、高开关速度、低开关损耗等特点
在移动电源的应用场景中，SL05N06Z中压MOSFET具备低导通电阻、高开关速度以及良好的热稳定性等特点。随着移动电源市场的不断发展和技术的不断进步，满足移动电源需求的出色元件逐渐成为人们关注的焦点之一。这款高性能中压MOSFET，可以提高移动电源的工作效率，有效延长设备的续航时间。也可以能够快速调整输出电压和电流，以适应不同设备的充电需求，并且能够在高温环境下保持稳定性能，还具备较小的封装尺寸和优异的可靠性。这使得它在移动电源设计中能够轻松集成。
萨科微SLKOR中压MOSFET SL05N06Z产品图
SL05N06Z是一款N沟道MOS场效应管，具有出色的性能参数，其具有较高漏源电压（60V）和一定的电流承受能力（5.0A），非常适合用于中压中功率的电路设计中。此外，其较低的导通电阻（58mΩ@10V,3A）和较低的阈值电压（1.7V@250μA）保证了其在工作状态下能降低功率损耗。该器件在各种电子设备和电路中都能发挥重要作用，为电子设备和系统的性能提升和能效改进提供了强大支持。
萨科微Slkor中压MOSFET SL05N06Z
SL05N06Z反向传输电容低、快速切换能力以及规定雪崩能量等特性，都是其在电路设计和应用中表现出色的重要因素。低反向传输电容有助于提升电路的频率响应和整体性能。特别是在高频电路中，低反向传输电容的MOS管能减少信号的衰减和相位失真，确保信号在传输过程中的准确性和稳定性。快速切换能力指的是MOS管在导通和截止状态之间快速转换的能力，具有快速切换能力的SL05N06Z在数字电路、开关电源和高速通信系统等应用中具有显著优势，能迅速响应外部信号，准确地进行状态转换，从而确保电路的稳定性和可靠性。此外，较高雪崩能量能够更好地承受电路中的异常电压冲击，保护电路免受损坏。这在一些对稳定性要求极高的应用场合，如汽车电子、工业控制等领域，显得尤为重要。
萨科微Slkor中压MOSFET SL05N06Z相关参数
它的稳定性、高效性和可靠性，令该器件在电子领域中具有广泛的应用前景，在应用程序方面，SL05N06Z可被用于直流到直流转换器和电源管理功能中。在直流转换器中，它也可以作为关键的功率开关元件，用于控制电路的输出电压和电流，实现电能的高效转换和稳定输出。在电源管理功能中，该器件还可以用于电池充放电管理、电源开关控制等方面，帮助实现电子设备的高效能耗管理。
总的来说，中压MOSFET在移动电源领域具有广泛的应用和显著的优势。其低导通电阻、高开关速度、低开关损耗和优异的散热性能等特点，使得移动电源在快充、整流同步和电源开关等方面都能实现高效、稳定和安全的工作。随着移动电源市场的不断扩大和技术的不断进步，中压MOSFET在移动电源领域的应用前景将更加广阔。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由Vicky转载自SLKOR（萨科微）官网，原文标题为:【每日一品】萨科微SL05N06Z中压MOSFET在移动电源领域的特性与应用，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。
相关推荐
【产品】漏源电压20V的N沟道低压MOS管NTR4003N，采用SOT-23封装，导通电阻1.5Ω
SLKOR的低压MOS管NTR4003N是一种N沟道低压MOS管，适用于DC-DC转换器、电池管理和其他低压应用。该器件具有漏源电压20V、导通电阻1.5Ω和连续漏极电流560mA的特性，可在小型封装中实现高效的功率转换。
100V/33A的N沟道场效应管IRF540NS，具有低导通电阻和低阈值电压等特性
萨科微半导体推出的中压MOS管IRF540NS作为一款性能卓越的N沟道场效应管，漏源电压达到100V，连续漏极电流为33A，具有低导通电阻和低阈值电压等特性，使其成为通信系统中电源管理、驱动控制和能量转换的理想选择。
【产品】采用SOT23-6封装的N沟道增强型MOS场效应管8205LA，漏源电压20V
富满电子推出的漏源电压20V的N沟道增强型MOS场效应管，型号8205LA，采用SOT23-6封装，具有专有的先进平面技术、高密度超低电阻设计、大功率应用、大电流应用和理想的锂电池应用等特点。
FSD20N03 TO-252 N沟道增强型场效应管 (FSD20N03 TO-252 N Channel Enhancement MOS Field Effect Transistor）
描述- 该资料介绍了富信电子集团旗下安徽富信半导体科技有限公司生产的FSD20N03沟道增强型MOS场效应管。产品具有低导通电阻，适用于负载开关、DC/DC升压转换和电源管理等应用。
型号- FSD20N03
60V/50A的N沟道MOS场效应管SL50N06D，具有高频率、大电流、抗冲击能力强等优点
SL50N06D是一款N沟道MOS场效应管，采用先进的Trench技术生产。其具有较高的漏源电压（60V）和连续漏极电流（50A），具有高频率、大电流、抗冲击能力强等优点。它在BLDC电机技术领域不仅能够提高电力传动系统的效率和性能，还能够实现更加智能化的控制，通过对电机相电流进行高精度调控，实现了电机的高效、平稳运行。
FS4828 SOP-8 60V 双N沟道增强型场效应管 (FS4828 SOP-8 60V Dual N Channel Enhancement MOS Field Effect Transistor )
描述- 该资料介绍了富信电子集团旗下安徽富信半导体科技有限公司生产的FS4828型号双N沟道增强型MOS场效应管。该器件具有低导通电阻，适用于DC/DC转换器、负载开关、电源管理和便携式设备等领域。
型号- FS4828
解析与比较N沟道MOS管与P沟道MOS管的结构、原理、优劣与应用
在电子技术的领域中，MOS管（金属氧化物半导体场效应晶体管）是至关重要的元件之一。其中，N沟道MOS管和P沟道MOS管作为两种主要类型，各自具有独特的特点和应用场景。本文芯伯乐将深入探讨这两种MOS管的结构、原理以及比较，并帮助您更好地理解它们的优劣与应用。
【产品】N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管SL18N50F，漏源电压500V，导通电阻仅0.32Ω
SLKOR推出的SL18N50F是一款低导通电阻、低阈值电压、快速开关速度的高压N沟道MOS管，适用于各种高压开关应用，如电源管理、电机驱动和开关模块等。其TO-220F封装，也使其在PCB设计中具有良好的散热性能，从而保证器件的高可靠性。
FSD120N04A TO-252 N沟道增强型场效应管（FSD120N04A TO-252 N Channel Enhancement MOS Field Effect Transistor)
描述- 该资料介绍了富信电子集团旗下的安徽富信半导体科技有限公司生产的FSD120N04A沟道增强型MOS场效应管。产品具有低导通电阻，适用于负载开关和脉宽调制电源管理应用。
型号- FSD120N04A
8205LA 20V N 沟道增强型 MOS 场效应管
描述- 本资料介绍了富满微电子集团股份有限公司生产的8205LA型号20V N沟道增强型MOS场效应管。该器件采用先进的平面技术，具有高密度超低电阻设计，适用于大功率、大电流应用，尤其适合锂电池应用。资料提供了详细的参数规格、电特性曲线和封装信息。
型号- 8205LA
70V/100mA的N沟道MOSFET BAS70W-05，适用于中低压开关柜
BAS70W-05是一款具有70V漏源电压和100mA正向平均整流电流的N沟道MOSFET，具有大电流承受能力、正向压降低、开关速度快等特性。这些特性使得BAS70W-05成为中低压开关柜系统中理想的电流控制和电压调节元件，它不仅可以提高系统的能效和稳定性，还可以为系统提供多种功能，满足不同工业和电力场景下的需求。
FSD150N04 TO-252 N沟道增强型场效应管（FSD150N04 TO-252 N Channel Enhancement MOS Field Effect Transistor)
描述- 该资料介绍了富信电子集团旗下安徽富信半导体科技有限公司生产的FSD150N04沟道增强型场效应管。产品具有低导通电阻，适用于负载开关和脉宽调制电源管理应用。
型号- FSD150N04
60V/10A的N沟道MOSFET SL10N06A，是笔记本电脑理想的电源管理和控制电流元件
SL10N06A是一款具有60V漏源电压和10A连续漏极电流的N沟道MOSFET，以其低导通电阻（35mΩ@10V,5A）和较低的阈值电压（2.5V@250μA）而著称。这些特性使得SL10N06A成为笔记本电脑领域中理想的电源管理和控制电流元件，尤其是在需要高效能和高精度控制的场合。
-60V/-30A P沟道MOS场效应管IRFR5305，在小家电领域具有广泛的应用和显著的优势
IRFR5305是一款P沟道MOS场效应管，具有出色的性能参数，其具有较高漏源电压（-60V）和大电流承受能力（-30A），非常适合用于高压高功率的电路设计中。此外，其较低的导通电阻（26mΩ@-10V,-15A）和较低的阈值电压（-1.8V@-250μA）保证了其在工作状态下能降低功率损耗。该器件在各种电子设备和电路中都能发挥重要作用，为电子设备和系统的性能提升和能效改进提供了强大支持。
FSN7401 PDFN3.3X3.3-8 N沟道增强型带静电保护场效应管（FSN7401 PDFN3.3X3.3-8 N Channel Enhancement with ESD MOS Field Effect Transistor）
描述- 该资料介绍了富信电子集团旗下的安徽富信半导体科技有限公司生产的FSN7401沟道增强型带静电保护MOS场效应管。产品具有低导通电阻、静电保护和适用于负载开关、马达驱动及电源管理等应用。
型号- FSN7401
电子商城
服务
定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m，厚度2mm-100mm，单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
最小起订量： 1片 提交需求>
提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务，使用直流电源分析仪测量精度达50µV，8nA，波形发生器带宽100kHz，输出功率300W，示波器200kHz，512 kpts
实验室地址： 深圳/苏州 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论