60V/5A N沟道MOS场效应管SL05N06Z,具有低导通电阻、高开关速度、低开关损耗等特点

2024-05-06 SLKOR(萨科微)官网
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在移动电源的应用场景中,SL05N06Z中压MOSFET具备低导通电阻、高开关速度以及良好的热稳定性等特点。随着移动电源市场的不断发展和技术的不断进步,满足移动电源需求的出色元件逐渐成为人们关注的焦点之一。这款高性能中压MOSFET,可以提高移动电源的工作效率,有效延长设备的续航时间。也可以能够快速调整输出电压和电流,以适应不同设备的充电需求,并且能够在高温环境下保持稳定性能,还具备较小的封装尺寸和优异的可靠性。这使得它在移动电源设计中能够轻松集成。


萨科微SLKOR中压MOSFET SL05N06Z产品图

 

SL05N06Z是一款N沟道MOS场效应管,具有出色的性能参数,其具有较高漏源电压(60V)和一定的电流承受能力(5.0A),非常适合用于中压中功率的电路设计中。此外,其较低的导通电阻(58mΩ@10V,3A)和较低的阈值电压(1.7V@250μA)保证了其在工作状态下能降低功率损耗。该器件在各种电子设备和电路中都能发挥重要作用,为电子设备和系统的性能提升和能效改进提供了强大支持。


萨科微Slkor中压MOSFET SL05N06Z

 

SL05N06Z反向传输电容低、快速切换能力以及规定雪崩能量等特性,都是其在电路设计和应用中表现出色的重要因素。低反向传输电容有助于提升电路的频率响应和整体性能。特别是在高频电路中,低反向传输电容的MOS管能减少信号的衰减和相位失真,确保信号在传输过程中的准确性和稳定性。快速切换能力指的是MOS管在导通和截止状态之间快速转换的能力,具有快速切换能力的SL05N06Z在数字电路、开关电源和高速通信系统等应用中具有显著优势,能迅速响应外部信号,准确地进行状态转换,从而确保电路的稳定性和可靠性。此外,较高雪崩能量能够更好地承受电路中的异常电压冲击,保护电路免受损坏。这在一些对稳定性要求极高的应用场合,如汽车电子、工业控制等领域,显得尤为重要。


萨科微Slkor中压MOSFET SL05N06Z相关参数

 

它的稳定性、高效性和可靠性,令该器件在电子领域中具有广泛的应用前景,在应用程序方面,SL05N06Z可被用于直流到直流转换器和电源管理功能中。在直流转换器中,它也可以作为关键的功率开关元件,用于控制电路的输出电压和电流,实现电能的高效转换和稳定输出。在电源管理功能中,该器件还可以用于电池充放电管理、电源开关控制等方面,帮助实现电子设备的高效能耗管理。


总的来说,中压MOSFET在移动电源领域具有广泛的应用和显著的优势。其低导通电阻、高开关速度、低开关损耗和优异的散热性能等特点,使得移动电源在快充、整流同步和电源开关等方面都能实现高效、稳定和安全的工作。随着移动电源市场的不断扩大和技术的不断进步,中压MOSFET在移动电源领域的应用前景将更加广阔。

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选型指南  -  长晶科技  - 2021/12/27 PDF 中文 下载

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描述- 萨瑞微电子是一家专业从事半导体分立器件芯片设计、晶圆制造、封装测试与应用服务于一体的IDM模式的国家级高新技术企业。公司的产品广泛虚用于通讯、安防、消费类电子、汽车电子、工业电子、医疗、仪器仪表等领域,是国内外一线品牌客户首选供应商。

型号- 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

选型指南  -  萨瑞微电子  - 2024/6/27 PDF 中文 下载

【选型】扬杰科技(YANGJIE)MOSFET(中低压/高压)选型指南

目录- 产品特点与应用    中低压MOSFET    高压MOSFET    封装尺寸图与焊接尺寸图    包装形态与可靠性测试项目   

型号- YJB70N10A,YJD80G06A,YJ4N70Z,2N7002A,YJ12N65Z,YJQ2012A,YJC2007A,YJD25N15B,YJD90N02A,YJS2301A,YJS4435A,YJ8N60Z,YJQ55P02A,YJS4407B,2N7002KW,YJQ3400A,YJQ40P03A,YJS4407A,YJ2N65Z,YJL02N10A,YJD20N06A,YJS12N03A,2N7002K,YJP70N10A,YJL2303A,YJS10N02A,BSS123W,YJS8205B,YJSD12N03A,YJS05N06A,YJG30N06A,YJL3404A,YJL3416A,YJG80G06A,YJQC602B,YJS03N10A,YJL2304A,2N7002,YJQ1216A,YJS18N03A,YJ4N80Z,YJP25N15B,YJQ30N03A,YJQ53G06A,YJL3415A,YJQ10N02A,YJS15G10B,YJL2301G,VJG50N03A,BSS84,YJL2301F,YJL2301C,YJL2301D,YJL3407AL,YJD40G10A,YJ4N65Z,YJ7N60Z,YJP150N06AC,YJQ4666B,YJ10N65Z,2N7002W,YJQD30P02A,YJS4606A,YJL2302B,YJL05N04A,YJL2302A,YJS12N10A,YJQ03P02A,BSS123,YJL3401A,YJS05N15B,YJS2305A,YJD60N04A,YJQ20N04A,YJL03N06B,YJ12N60Z,YJL03N06A,YJD15N10A,YJQ35N04A,YJB150N06C,BSS138,YJ2N60Z,YJ7N70Z,YJL3400A,YJQ3622A,YJS7328A,YJS2022A,YJS9435A,YJD40N04A,YJD45P03A,YJS4438A,YJ10N70Z,YJD30N02A,YJL2312A,YJG105N03A,YJ8N65Z,YJS3404A,YJD100G10A,YJ4N60Z,YJD60N02A,YJQ3415A,YJ7N80,YJ7N65Z,YJQ35G10A,YJS12G06A,2N7002KDW,YJG53G06A,YJG20N06A,YJS10N04A,YJ12N70Z,YJL3401AL,YJL2305A,YJL2305B,YJG15N15B,YJG18N10A,YJL03G10A,YJG130G04A,YJG85G06A,YJL07P03AL,VJL2300A,YJL3407A,YJS4953A,YJ10N60Z,YJQ2301A,YJD80N03A,YJD50N03A,YJD80N03B,YJQ50N03B

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富信双N沟道增强型MOS场效应晶体管FS9926可有效减少功耗和热能损耗,广泛用于电池电源系统

富信半导体推出了SOP-8封装的双N沟道增强型MOS场效应晶体管FS9926,该场效应管具有低导通电阻的特点,在栅极-源极电压VGS=4.5V和VGS=2.5V环境下,静态漏源导通电阻RDS(ON)可分别低至22mΩ(典型值)和30mΩ(典型值)。因此,该器件能够高效地降低漏源压降,减小功耗和热能损耗,提高开关速度。可应用于桌面设备、电池电源系统和笔记本电源管理。

产品    发布时间 : 2023-10-14

平伟实业携自主研发的功率器件亮相慕尼黑华南电子展!为消费、汽车及工业领域提供丰富技术方案

2023年10月30日,慕尼黑深圳电子展首日,平伟实业展出多款自主研发的新型产品!全新的产品及技术方案集体亮相,引爆全场!展出全系产品:低压、中压、高压MOSFET、各种功率器件等、提供PDFN、双面散热、TOLL、STOLL等多种封装及消费、汽车及工业领域解决方案,为全球电子行业提供专业的支持。

厂牌及品类    发布时间 : 2023-11-10

解析与比较N沟道MOS管与P沟道MOS管的结构、原理、优劣与应用

在电子技术的领域中,MOS管(金属氧化物半导体场效应晶体管)是至关重要的元件之一。其中,N沟道MOS管和P沟道MOS管作为两种主要类型,各自具有独特的特点和应用场景。本文芯伯乐将深入探讨这两种MOS管的结构、原理以及比较,并帮助您更好地理解它们的优劣与应用。

技术探讨    发布时间 : 2024-06-21

【产品】低输入电容的无卤N沟道MOS场效应管BRCS6570SC,适用于负荷开关及转换开关

蓝箭电子推出的BRCS6570SC是一款采用SOP-8塑封封装无卤N沟道MOS场效应管。具有低导通电阻,低输入电容,开关速度快的特征,适用于负荷开关,转换开关。

产品    发布时间 : 2022-04-15

100V/15A的N沟道MOSFET SL9968,开关损耗低、开关速度快,适用于工业自动化开关

SL9968是一款具有100V漏源电压和15A连续漏极电流的N沟道MOSFET,以其低导通电阻(80mΩ@10V,4A)和较低的阈值电压(2V@250μA)而著称。这些特性使得SL9968成为电源管理系统中理想的功率半导体器件,尤其是在需要高效能和高精度控制的场合,并且适用于多种中压开关和功率控制应用。

产品    发布时间 : 2024-05-29

【产品】TO-220F塑封封装N沟道MOS场效应管BRCS65R190FAG,具有650V超结功率场效应管

蓝箭电子推出的TO-220F塑封封装N沟道MOS场效应管BRCS65R190FAG,具有650V超结功率场效应管,RDS(on)×Qg很低,100%雪崩测试的特征。该器件适用于开关电源、不间断电源、功率因数校正等,其VDSS值650V,ID值为20A。

产品    发布时间 : 2023-05-07

-60V/-30A P沟道MOS场效应管IRFR5305,在小家电领域具有广泛的应用和显著的优势

IRFR5305是一款P沟道MOS场效应管,具有出色的性能参数,其具有较高漏源电压(-60V)和大电流承受能力(-30A),非常适合用于高压高功率的电路设计中。此外,其较低的导通电阻(26mΩ@-10V,-15A)和较低的阈值电压(-1.8V@-250μA)保证了其在工作状态下能降低功率损耗。该器件在各种电子设备和电路中都能发挥重要作用,为电子设备和系统的性能提升和能效改进提供了强大支持。

产品    发布时间 : 2024-05-27

【产品】30V/150A的N沟道MOS场效应管BRD100N03,采用TO-252塑封封装

蓝箭电子推出的N沟道MOS场效应管BRD100N03,采用TO-252塑封封装。该产品具有低栅电荷,低反馈电容,开关速度快,是一种无卤产品。其VDSS值为30V,VGSS值为±20V,BRD100N03可用于高功率DC/DC转换和功率开关。

产品    发布时间 : 2022-08-05

70V/100mA的N沟道MOSFET BAS70W-05,适用于中低压开关柜

BAS70W-05是一款具有70V漏源电压和100mA正向平均整流电流的N沟道MOSFET,具有大电流承受能力、正向压降低、开关速度快等特性。这些特性使得BAS70W-05成为中低压开关柜系统中理想的电流控制和电压调节元件,它不仅可以提高系统的能效和稳定性,还可以为系统提供多种功能,满足不同工业和电力场景下的需求。

产品    发布时间 : 2024-05-23

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