240V/0.1A N沟道MOS场效应管BSS131，导通电阻小，发热量低，适用于LED驱动电源

时间： 2024-05-05 来源：SLKOR（萨科微）官网

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中压MOSFET在LED驱动电源中还能起到节能的作用。由于其导通电阻小，发热量低，因此在使用中能够减少能源的损失，提高能源利用效率。这对于LED照明这种需要长时间运行的设备来说，无疑是一个重要的优势。然而，要使中压MOSFET在LED照明中发挥出良好性能，还需要对其进行设计和选型。在选择中压MOSFET时，需要考虑其击穿电压、阈值电压、导通电阻等关键参数，以确保其能够满足LED驱动电源的工作要求。同时，还需要注意中压MOSFET的散热问题，以防止因过热导致的性能下降或损坏。

萨科微SLKOR中压MOSFET BSS131产品图

BSS131是一款N沟道MOS场效应管，具有出色的性能参数，其具有较高电压承受能力（240V）和一定的电流承受能力（0.1A），非常适合用于低压和中压的开关和功率控制应用中。此外，其较低的导通电阻（9.07Ω@4.5V，0.09A）和较低的阈值电压（1.4V@56μA）保证了其在工作状态下能降低功率损耗。该器件在各种电子设备和电路中都能发挥重要作用，为电子设备和系统的性能提升和能效改进提供了强大支持。

萨科微Slkor中压MOSFET BSS131

首先，BSS131的240V漏源电压使其具备了较高的电压承受能力，适合应用于各种低压和中压电源管理系统中的开关和功率控制，能够高精度控制电流和电压，实现电源的高效转换和稳定输出。增强模式是BSS131的一种工作模式，其特点在于，只有当栅极与源极之间的电压（V_GS）达到或超过某一阈值电压（V_th）时，MOS管才会从截止状态转变为导通状态。具有该特性才能够在高电压下实现高效的电流控制，对于需要高精度调节电流的应用场景来说尤为重要，此外增强模式也让它有优秀的开关性能。BSS131还具有逻辑电平的特性，这种特性使得该器件在数字电路中能够准确识别和处理信号。此外，逻辑电平特性还为它在数字电路中的兼容性和互换性提供了便利。

萨科微Slkor中压MOSFET BSS131相关参数

随着LED照明技术的不断发展，对中压MOSFET的需求也在不断增加。未来，随着新型材料的研发和应用，中压MOSFET的性能将得到进一步提升，其在LED照明中的应用也将更加广泛。

总的来说，中压MOSFET BSS131在LED照明中发挥着重要的作用。它不仅能够确保LED的稳定发光，还能提高能源利用效率，减少能源浪费。因此，在设计和制造LED驱动电源时，应充分考虑中压MOSFET BSS131的应用，以实现更高效、更环保的LED照明系统。

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2024/6/27 - 萨瑞微电子 - 选型指南代理服务技术支持现货查询批量订货

【产品】萨科微N沟道功率MOSFET器件2N7002，漏源电压高达60V，可适应各种电源电压要求

2N7002是一种N沟道功率MOSFET器件，具有高漏源电压和高效导通等特点，适用于多种应用场合。该器件的漏源电压高达60V，可适应各种电源电压要求。同时，其导通电阻低，最小值为7.5Ω，能够提供更高的效率。此外，MOS管2N700的阈值电压高达2.5V，具有更好的抗干扰能力。该器件采用SOT-23封装，尺寸小巧，便于布局设计和集成。

2023-09-27 - 产品代理服务技术支持现货查询批量订货

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2024-07-11 - 产品代理服务技术支持现货查询批量订货

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IRF640是一款具有200V漏源电压和18A连续漏极电流的N沟道MOSFET，以其低导通电阻（150mΩ@10V,11A）和较低的阈值电压（3V@250μA）而著称。这些特性使得IRF640成为新能源车电机驱动系统中理想的开关元件，尤其是在需要高效能和高精度控制的场合，并且适用于多种中压开关和功率控制应用。

2024-05-03 - 产品代理服务技术支持现货查询批量订货

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2023-10-14 - 产品代理服务技术支持现货查询批量订货

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2024-07-10 - 产品代理服务技术支持现货查询批量订货

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