200V/18A的N沟道MOSFET IRF640，适用于新能源车电机驱动系统

时间： 2024-05-03 来源：SLKOR（萨科微）官网

技术问答

随着新能源汽车市场的迅猛发展，电机驱动系统作为其核心部件，其性能与效率直接影响着车辆的驾驶体验与续航里程。而中压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）作为功率半导体的重要一员，在新能源车电机驱动系统中发挥着不可或缺的作用。本文将深入探讨中压MOSFET与新能源车电机驱动之间的关联，分析其在技术创新与驱动性能提升方面所发挥的关键作用。首先，我们来了解中压MOSFET的基本特性。中压MOSFET以其独特的结构和工作原理，能够在高压、高功率环境下稳定运行，同时保持低损耗和高效率。这使得它成为新能源车电机驱动系统中的理想选择。在电机驱动过程中，中压MOSFET能够控制电流的流动，确保电机能够高效、稳定地运行。在新能源车电机驱动系统中，中压MOSFET主要应用于逆变器部分。逆变器是将直流电转换为交流电的关键部件，而中压MOSFET则作为逆变器中的开关元件，负责控制电流的流向和大小。通过[敏感词]控制中压MOSFET的开关状态，逆变器能够将电池中的直流电转换为适合电机运行的交流电，从而实现电机的驱动。然而，仅仅依靠中压MOSFET的优异性能是不够的，还需要对其进行高精度的控制和优化。

在新能源车电机驱动系统中，通常采用先进的控制算法和电路设计，以确保中压MOSFET能够在[敏感词]状态下工作。例如，通过优化MOSFET的驱动电路和散热设计，可以降低其开关损耗和温升，进一步提高电机驱动系统的效率和可靠性。此外，随着新能源车技术的不断发展，对中压MOSFET的性能要求也在不断提高。为了满足更高的功率密度和效率要求，研究人员正在不断探索新的材料和工艺，以进一步提高中压MOSFET的性能。例如，采用新型的宽禁带半导体材料可以显著提高MOSFET的耐压能力和开关速度，从而进一步提高电机驱动系统的性能。

萨科微SLKOR中压MOSFET IRF640产品图

IRF640是一款具有200V漏源电压和18A连续漏极电流的N沟道MOSFET，以其低导通电阻（150mΩ@10V,11A）和较低的阈值电压（3V@250μA）而著称。这些特性使得IRF640成为新能源车电机驱动系统中理想的开关元件，尤其是在需要高效能和高精度控制的场合，并且适用于多种中压开关和功率控制应用。

萨科微Slkor中压MOSFET IRF640

MOSFET IRF640在导通时能够更有效地传递电流，从而降低功率损耗并提高整体效率。在新能源车电机驱动系统中，由于需要处理大量的电能转换，其具有较低的ROS以减少能量损失。而当ROS（上）小于150mΩ时，IRF640在导通状态下的电阻较低，从而能够实现更高效的电能转换。其次，最小的Lot-to-Lot变化也是IRF640的一个重要特性。较小的Lot-to-Lot变化意味着不同批次的产品在性能上更加一致，从而提高了生产过程的稳定性和可靠性。在新能源车电机驱动系统中，这种一致性至关重要，因为任何微小的性能差异都可能影响整个系统的运行效果。通过优化生产工艺和质量控制，中压MOSFET能够实现最小的Lot-to-Lot变化，确保每批次产品都具有稳定的性能表现。通过进行100%的雪崩测试，可以确保IRF640在实际应用中具有较高的耐压能力和稳定性。

萨科微Slkor中压MOSFET IRF640相关参数

首先，IRF640在新能源车电机驱动系统中，其稳健的性能和可靠性保证了电机驱动系统的长期稳定运行，减少了故障和维修的频率。其次，在工业自动化领域，这种中压MOSFET被用作驱动器和开关，用于控制各种设备和机械，如电机、泵和阀门等，能够实现设备的快速启动、停止和调节，提高生产效率和质量。此外，在电力系统中，它也被广泛应用于电力变压器、变频器等设备中，实现电能的传输和调节。其优秀的耐压能力和稳定性保证了电力系统的安全、稳定运行。在照明系统和电力电子设备中，被用作调光器和开关，实现照明亮度的高精度调节和控制。同时，也能在交流-直流转换器和直流-交流逆变器中，实现不同电源之间的能量转换。

综上所述，中压MOSFET IRF640在新能源车电机驱动系统中发挥着举足轻重的作用。通过不断创新和优化，中压MOSFET不仅提高了电机驱动系统的效率和可靠性，还为新能源车的性能提升和续航里程增加提供了有力支持。随着新能源车市场的不断扩大和技术的不断进步，中压MOSFET的应用前景将更加广阔。我们期待未来能够看到更多关于中压MOSFET在新能源车电机驱动领域的技术突破和创新成果。

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

选型指南 - 捷捷微电 - V1.0a - 2023/7/7 PDF 英文下载

PANJIT（强茂）SiC肖特基二极管/桥式整流器/保护装置/MOSFET/双极结晶体管选型指南

描述- PANJIT is a public company founded in May 1986. PANJIT is a semi-conductor manufacturer, and have IATF-16949,ESD S20.20,ISO-9001,ISO-14001,ISO-45001 certifications etc.. PANJIT is vertically integrated with IDM design capability, own wafer foundries and state-of-art production lines.

型号- 1N4743A,MMBZ5258A,P4SMA43CAS,BD650CS,MMBZ5258B,PZ1AL68B,1.5SMC13AS,PJGBLC08C_,P4SMAJ160CAS,1N5941B,MMSZ5222B,STR5100AFC,BC807-16W,ER3BA,PZS116V2BES,P6AFC45A,1.5SMC56CAS,SB130AS,MBR2590FCT,MBR6150F,1N4742A,P6SMBJ60CAS,MBR4050PT,MUR460IM,ER2001ACT,MMBZ5259B,3.0SMCJ45A,MMBZ5259A,PZD22B5V1C,P4SMAJ60CAS,1.5SMC68CAS,MBR5H150SS,ER3AA,1N5940B,MMSZ5223B,MBR60150PT,P6KE27AS,P6KE120CAS,S2MF,BAS100CS,1N4745A,5KMC15CAS,MMBZ5256A,PJQ4468AP,MMBZ5256B,P6AFC7.5A,PZS82C51AS,PJD10P10A,IMZ1AS,MMSZ5224B,P6AFC43A,5KP30A,1N4746A,1N4744A,SB13AFC,P2AL40A,BD890CS,MMBZ5257B,MMBZ5257A,UF2004FCT,BZX84C10TW,BD6150CS,P6SMB20CAS,BD560YS,1.5SMCJ54AS,BZT52-B8V2,MMSZ5225B,UF2JF,1N5942B,P4HE36A,MMSZ5252BS,BZT52-B8V7,GS1006HE,SK54L,BAS100AS,3.0SMCJ48A,BAS40C,P4HE3.3A,BAS40A,P4KE15CAS,PZ1AH28B,P4SMA16AS,SS1040HEWS,PG206R,PCDD0665GJ,SV540,MER3DAFC,P4SMA18CAS,MMSZ5252AS,1N4748A,3.0SMCJ13CA,ER1002FCT,P4HE33A,BAT750,GS1KWG,PZ1AFC8V2B,SD330YS,SIB,UF2GF,PZ1AH27B,SBM1560LSS,P4KE22AS,SB25AFC,PZS1130BES,BC847CPN,P6SMBJ130AS,1.5SMCJ11CAS,ER801AF,BD8200CS,ER1002CT,PJD25N06A,BAS40S,BAS40W,1N4747A,1.5SMC39AS,P4SMAJ75AS,P4HE30A,SK56L,RB520S30,PG208R,UF2DF,3KP14CA,3.0SMCJ26CA,MMBZ5262BV,MMBZ5262BW,P6AFC7.0A,ER1001AFCT,SVT12120UB,P4SMAJ11CAS,RB520S40,1.5SMCJ10AS,PJT7002H,PJD6N10A,MMBZ5262AW,P4KE170CAS,MMSZ5221B,P4AFC70AS,P6SMBJ10AS,P6SMB51AS,P4FL36A,1.5KE51A,1N4749A,P4AFC17AS,P6AFC40A,P4KE27CAS,SBM3060VPT,P4AFC22AS,SBT10120UFCT,DZ23C6V2,PJMF210N65EC,UF1606CT,BZX84C2V4W,1.5KE36CA,P4SMAJ13AS,KBJ2010,DZ23C6V8,PZS82C16AS,SVT8100VB,MMBZ5250A,5KP36A,BZT52-B11S,MMBZ5250B,SD820S,1SS400,P1CH24A,MMBD330W,BD840S,BAV99TB,PZS5222BCH,1.5KE170CA,MBR20100CT,SB620CT,P6SMB68CAS,PJA3404A,5KP90CA,SVM1045V2,PJSOT08,BZX84C36TW,BZX584C3,PZ1AL2V5B,PJSOT03,3KP45CA,MBR20100DC,BZT52-B10S,MMBZ5251B,MMBZ5251A,BZT52-C43S,SS1060HE,SVM1045VB,MER502FT,P6SMB16AS,DXK210,PEC3205S1Q,3KP58CA,PZD22B5V6C,SS20100FL,1.5KE56A,PJW7N04,PJA3407E,PZS5210BCH,STR20100LCT,PSMP032N08NS1,BZX584B8V2,SVM 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选型指南 - PANJIT - Ver. 23.1 - 2023/5/16 PDF 英文下载

【选型】国产N沟道MOSFET可替代2SK3730用于电动三偏心蝶阀设计，输入电容4100PF，通流80A

三偏心蝶阀驱动器核心功率器件国产化替代项目中，推荐丽正国际的N沟道MOSFET RM80N75T2做H桥逆变电路功率MOSFET，保证供应和降低成本同时很好的实现了进口F品牌2SK3730的设计替代，降低了功耗，提高了稳定性。

器件选型发布时间 : 2020-12-24

【应用】80V N沟道MOSFET TMB160N08A应用于机器人机械手臂电机驱动，导通电阻最大仅4.5mΩ

自动化机械手臂可替代人手精确的抓取物品以及搬运，广泛运用于工业自动化生产设备以及自动服务等行业；有些机器人手臂使用马达和螺线管作为传动装置，如下图，通过4个MOS管分别组成两个桥路，分别控制电机的正转和反转，以实现机械手臂的抓取、旋转、移动等功能。

应用方案发布时间 : 2020-11-27

60V/47A的N沟道MOSFET SL75N06Q可用于包装设备的高频开关，阈值电压2.4V@250μA

SL75N06Q是一款具有60V漏源电压和47A连续漏极电流的N沟道MOSFET，以其低导通电阻（8.5mΩ@10V,20A）和较低的阈值电压（2.4V@250μA）而著称。这些特性使其成为包装设备系统中高频开关的理想选择，而在高频开关技术的不断发展的条件下，SL75N06Q的潜力将进一步得到挖掘和应用。

应用方案发布时间 : 2024-07-09

维安推出应用于光伏微型逆变器的全系列功率器件和完整的系统级解决方案

针对光伏市场应用，维安产品组合包括全系列的功率器件，具体包括高压SJ-MOSFET、中压SGT MOSFET和IGBT模组和第三代半导体碳化硅肖特基二极管SiC SBD，此外，维安还可以提供AC/DC、DC/DC、LDO、保护器件等产品来实现完整的系统级方案。

器件选型发布时间 : 2023-11-16

虹美功率半导体（Hongmei Power Semiconductor）MOSFET/GaN(氮化镓)FET选型表（国内独创特色产品）

目录- 小功率低压P/N沟道场效应管中功率低压P/N沟道场效应管超级沟槽工艺中功率P/N沟道场效应管大功率高压N沟道场效应管高压超结N沟道场效应管大功率中压大电流P/N沟道场效应管大功率中压大电流N+P沟道场效应管大功率中压大电流串联半桥驱动双N沟道场效应管超级沟槽工艺中压大电流N/P沟道场效应管 GaN(氮化镓) FET管

型号- HM01N100PR,HM3400KR,HM35SDN03D,HM603K,HMS10DN08Q,HM1N70PR,HMS11N70Q,HM10DN06Q,BSS84DM,HM3N40R,HM2818D,HM13N30,HMS20N65D8,HM1N50MR,BSS84DW,HM08DN10D,HM2810D,HM10N06Q,HM4615Q,HMS20N15KA,HMN9N65Q,HM100P35E,HM6604D,HM4P10D,BSS84KR,HM30SDN02D,HM2819D,HM2N50PR,HM06DP10Q,HM3N25R,HMS100N15,HMS3N70R,HM3400DR,HM35DN03D,HM4616Q,HM2310DR,HM4N60R,HM3N40PR,BSS138KR,BSS123DM,HM605K,HMS45N04Q,HM3N100F,HM18DP03Q,BSS138SR,HM3N30R,HM6604DB,HM3N100D,HM8N100A,HM07DP10D,HM3400E,HM2301BWKR,HM3DN10D,HM3N150,HM18DP03D,HMS65N10KA,HM8N100F,HMS5N70R,HM18SDN04D,HM50P35DE,HM2800D,HM10DP06D,HM2N50R,HM20DN04Q,HM10P10Q,HM4N10D,BSS138DM,HM15P06Q,BSS8402DM,HM1N60R,HMS18N10Q,HMS85P06,HM2809D,HM13N25FA,HM3401E,HM6604BWKR,HM30DN02D,HM12P04Q,HMS45P06D,HM4618Q,HMS35N06Q,HM15N25,HM50P03D,HM06N15MR,HM2N25MR,HM607K,HMS6N10PR,HM6803D,HM15N25K,HM2DP10D,HM3N150F,HM3N150A,HM12N20D,HM2309DR,HM4611Q,HM4N65R,HM13N25A,HM25P15,HMS5N80R,BSS138DW,HM4485E,HMS10N15D,HMS85P06K,HMS4488,HM3N30PR,HM10SDN06D,HM2319D,HM1N60PR,HM610K,HM3N100,HMS5N65R,HM100P35KE,HM25P15K,HM10SDN10D,HM1N70R,HM25P15D,HM20P04Q,HMS4N10MR,HM2803D,HM2N65R,HM4640D,HMS10DN10Q,HM609K,HM13N30K,HMS3N65R,HM25N08D,HM13N30F,HM2318D,HM3N120F,HM12DP04D,HM3N50R,HM3N120A,HMS5N90R,HM2N70R,BSS84SR,HM3800D,HM13N25KA,HM2302BWKR,HMS13N65Q,HM6804D,HM7002KDM,HMS11N65Q,HM3N50PR,HM2N65PR,HM7002KDW,HM5N50R,HM02P30R,HM0565MR,HM4884Q,HM25N06Q,HMS50N03Q,HM3801D,HM3N120,HM3401DR,HM4630D,HM02P30PR

选型指南 - 虹美功率半导体 - 2023/5/26 PDF 中文下载

60V/3A的N沟道MOSFET 2N7002T，可应用于空气压缩机中的固态继电器助力降低能耗

2N7002T是一款具有60V漏源电压和3A连续漏极电流的N沟道MOSFET，以其低导通电阻（3Ω@4.5V）和较低的阈值电压（3V@250μA）而著称。这些特性使得2N7002T广泛应用于空气压缩机中的固态继电器，尤其是在需要高效能和高精度控制的场合。

产品发布时间 : 2024-07-09

平伟实业携自主研发的功率器件亮相慕尼黑华南电子展！为消费、汽车及工业领域提供丰富技术方案

2023年10月30日，慕尼黑深圳电子展首日，平伟实业展出多款自主研发的新型产品！全新的产品及技术方案集体亮相，引爆全场！展出全系产品：低压、中压、高压MOSFET、各种功率器件等、提供PDFN、双面散热、TOLL、STOLL等多种封装及消费、汽车及工业领域解决方案，为全球电子行业提供专业的支持。

厂牌及品类发布时间 : 2023-11-10

【产品】萨科微N沟道功率MOSFET器件2N7002，漏源电压高达60V，可适应各种电源电压要求

2N7002是一种N沟道功率MOSFET器件，具有高漏源电压和高效导通等特点，适用于多种应用场合。该器件的漏源电压高达60V，可适应各种电源电压要求。同时，其导通电阻低，最小值为7.5Ω，能够提供更高的效率。此外，MOS管2N700的阈值电压高达2.5V，具有更好的抗干扰能力。该器件采用SOT-23封装，尺寸小巧，便于布局设计和集成。

产品发布时间 : 2023-09-27