【元件】工程师解决电源开发中效率和散热难题的首选：时科N沟道MOSFET SKG111N15-T

时间： 2024-04-03 来源：时科（時科電子公众号）

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【产品】漏源电压600V的N沟道MOSFET SLP8N60C/F8N60C，栅极电荷典型值29nC

美浦森SLP8N60C/SLF8N60C是漏源电压高达600V的N沟道MOSFET；采用平面条纹DMOS技术，为最小化导通电阻，提供卓越的开关性能以及在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲而设计；非常适合高效开关电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。

2022-11-04 - 产品代理服务技术支持批量订货

60V/10A的N沟道MOSFET SL10N06A，是笔记本电脑理想的电源管理和控制电流元件

SL10N06A是一款具有60V漏源电压和10A连续漏极电流的N沟道MOSFET，以其低导通电阻（35mΩ@10V,5A）和较低的阈值电压（2.5V@250μA）而著称。这些特性使得SL10N06A成为笔记本电脑领域中理想的电源管理和控制电流元件，尤其是在需要高效能和高精度控制的场合。

2024-07-10 - 产品代理服务技术支持批量订货

【产品】规格为55A/60V的N沟道MOSFET SK50N06A，适用于汽车和直流电机控制等

时科推出的N沟道MOSFET SK50N06A，采用专有的新沟槽技术，低栅极电荷，快恢复体二极管，使其特别适用于汽车、直流电机控制和D类放大器等应用。

2022-09-20 - 产品代理服务技术支持批量订货

【选型】国产N沟道MOS管TMA10N65HG可PIN-PIN替换安森美FDPF10N60NZ用于全桥电源

目前市面上应用于全桥电源的MOSFET有安森美650V/10A的N MOS管FDPF10N60NZ，不过由于价格压力、贸易战等因素影响，很多客户会选择一款低成本、供货交期好的国产替代方案，本文重点推荐无锡紫光微的N沟道MOSFET TMA10N65HG，该产品可pin-pin替代FDPF10N60NZ。

2020-04-17 - 器件选型

SK06N100B-TF 1000V,6A N-Channel MOSFET

型号- SK06N100B-TF

2024/10/9 - 时科 - 数据手册 - REV.08 代理服务技术支持批量订货

美浦森携N沟道MOSFET和碳化硅MOSFET新品参加2020年广州亚太电源展

2020年8月16至18日，美浦森半导体在广州进出口商品交易会展馆参加了2020亚太国际电源产品及技术展并圆满落幕。美浦森在大会上展示了N沟道MOSFET新品SLF65R170E7和碳化硅MOSFET新品MSK060065M1。

2020-08-25 - 行业资讯代理服务技术支持批量订货

WSR2N65 N-Ch MOSFET

型号- WSR2N65

Mar.2022 - WINSOK - 数据手册 - Rev1.0 代理服务技术支持批量订货

【产品】可驱动无寄生二极管的N沟道MOSFET电源开关IC SGM2554系列，关断模式供电电流小于1μA

圣邦微电子（SGMICRO）推出了一系列电源开关IC——SGM2554，包含SGM2554A和SGM2554B两种型号，适用于自供电和总线供电的通用串行总线（USB）应用。它们具有用于驱动无寄生二极管的N沟道MOSFET的内置电荷泵，可消除断电时流过开关的任何反向电流。这两款芯片的高侧N沟道MOSFET导通电阻的典型值为95mΩ。

2018-09-24 - 新产品代理服务技术支持批量订货

【产品】500V/5A的N沟道MOSFET SLP/F5N50S，适合于高效开关模式电源等应用

美浦森（Maplesemi）推出的两款N沟道MOSFET SLP5N50S、SLF5N50S，采用美浦森的先进平面条纹DMOS技术生产，漏源电压500V，连续漏极电流5A，耗散功率分别为73W/38W，采用TO-220/TO-220F封装，适合于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正等应用。

2020-03-12 - 新产品代理服务技术支持批量订货

WSR4N65F N-Ch MOSFET

型号- WSR4N65F

May.2019 - WINSOK - 数据手册 - Rev 1 代理服务技术支持批量订货

美浦森将携N沟道MOSFET和碳化硅MOS亮相2021亚太国际电源展，相关性能达行业领先水平

2021年第十一届亚太国际电源产品及技术展会即将在11月18-20日开展，美浦森与您相约2021亚太国际电源展。美浦森半导体MOSFET和碳化硅系列产品，在LED电源、PD电源、PC和服务器电源、光伏逆变、UPS、充电桩、智能家居等领域得到广泛应用。

2021-11-18 - 原厂动态代理服务技术支持批量订货

【产品】650V N沟道MOSFETT TMA/C/P/R12N65HG，单脉冲雪崩能量为352mJ

无锡紫光微电子的4款N沟道MOSFET：TMA12N65HG,TMC12N65HG,TMP12N65HG,TMR12N65HG 是VDMOSFET（即垂直双扩散场效应晶体管），具有更小的开关损耗和更快的开关速度，输入阻抗高，驱动功率小，频率特性好，并且具有负的温度系数。

2020-09-28 - 新产品代理服务技术支持批量订货

WSR7N65F N-Ch MOSFET

型号- WSR7N65F

May.2019 - WINSOK - 数据手册 - Rev 1 代理服务技术支持批量订货

【产品】500V/15A的N沟道MOSFET TMA15N50H，采用TO-220F封装

无锡紫光微推出的TMA15N50H是1款500V的N沟道MOSFET，漏源电压最大额定值为500V，栅源电压最大额定值为±30V，脉冲漏极电流最大额定值为60A，重复雪崩能量最大额定值为54mJ，采用TO-220F封装。产品符合RoHS标准，可应用于开关电源(SMPS)，不间断电源(UPS)，功率因数校正(PFC)等领域。

2019-11-09 - 新产品代理服务技术支持批量订货