全力进军汽车领域,芯际探索半导体通过IATF16949认证!
2024年3月,在贵州芯际探索科技有限公司管理层与全体员工的共同努力下,顺利通过第三方认证机构的严格审核与评估,正式通过IATF16949:2016汽车质量管理体系认证!
此次获证,标志着芯际探索已取得汽车领域相关产品供应链的必要准入资质,标志着公司从功率半导体器件产品的设计、生产、制造、检测、交付及售后服务的整个供应链环节均已满足汽车行业的质量管理标准,意味着芯际探索具备交付车规级产品的资质和能力。
芯际探索成立于2022年,专注于功率半导体器件的研发、生产、封测,主要为汽车、光伏、储能、工业变频行业客户提供功率半导体器件,包含MOSFET和IGBT多种半导体器件产品,涵盖TO247-3L、TO247-4L系列封装产品,产品技术指标居国内先进水平。
公司现已建立完善的管理体系,已通过ISO9001质量管理体系、ISO14001环境管理体系、ISO45001职业健康安全管理体系认证,拥有CMA、CNAS国家认可检测实验室。此次IAFT 16949:2016汽车质量管理体系认证的通过,再一次认证了芯际探索在质量管理标准化和流程化等多方面的综合能力,为我们在汽车工业领域开拓市场打下坚实基础。
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本文由玉鹤甘茗转载自芯际探索公众号,原文标题为:【喜报】全力进军汽车领域,芯际探索半导体通过IATF16949认证!,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
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型号- CRSM076N04N2Z,CRXB10D065G2,CRTD080N02U2-G,CRMV0318D,CRTT048N08N,CRG75T60AK3SD,CRTS030N04L,CS4N90FA9HD,CRJL99N65G2,CS630FA9H,CRTS025N04L2-G,CRXQ40D065G2,CS4N80ARHD-G,CS630FA9R,CR7N60A4K,CS55N10AQ3-G,3DG3001A1-H,CS16N06AE-G,CS45N06A3,CRMM4976C,CRTK055N03L2P,CS45N06A4,CRTS150N15N,CS5N20A4,CS5N20A3,CS7N70A4R-G,CRGMF800T120DS1AH,CRJW125N60G2F,CRGMF50T120FSC,CS12N70FA9H,CRG30T65A05SDZ,CS50N20ANR,CRJT99N65G2,2CR60K60AND,CRXQF60M065G1,CRTD370P10L,CRSS056N07N,CR7N60A3K,CS460FA9H,CRGMP40T120DV2A3,CRG75T60AK3H,CRJQ30N60G2F,CRJF550N65G2,D92-02,CRTD055N03L,CS24N60ANR,CRM50TD04R1,CRMM4978C,CRTT056N06N,CS5N60A3H,CS4N65A3R,CRST113N20N,2CR15K120A8C,CRG75T65BK5HD,CRXB20D120G2,CRTT019N03L2-G,CRM50TA04E1,CRTH105N06L,CR2N60A4K,CS10N40A8R,CRMR0410D,CRG 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功率器件国产化率仅为 22%,汽车和工业领域的需求旺盛
功率半导体器件,也称为电力电子器件,主要用于电力设备的电能变换和控制电路方面大功率的电子器件。新能源汽车是功率器件增量需求主要来源。国产替代需求强烈。功率器件国产化率仅为 22%,高端产品国产化率更低。要重视国内厂商的产品品类从低端向高端切换,产品下游应用领域优化以及晶圆产线的升级节奏。
行业资讯 发布时间 : 2024-06-28
森未科技授权世强硬创代理全线100+产品,涵盖IGBT晶圆/模块/单管
产品已广泛应用于工业变频、光伏/储能、特种电源、感应加热、新能源发电以及新能源车等多个市场领域。
公司动态 发布时间 : 2024-11-06
储能与电力转换系统测试解决方案:储能逆变器/光伏逆变器/电池包
型号- 62000H-S,8630,19501,17020,17040E,61800-100HF,63800系列,17020E,61860,61800-100,63700,17040,63800,19055-C,61800,61845,61815,63700系列,62000H-S系列,63800R,8900,62000D 系列,8000,63800R系列,8700,17020E系列,8720,61830,19501-K001,62000D,19501系列,61812,61800系列,17020系列,61809,19032-P,87001
IGBT的常温反向偏置考核及在光伏逆变应用中的意义
新洁能Gen.7 IGBT产品通过增加器件BVCES裕量,保证产品全温度范围内实际BVCES大于器件额定电压;并通过优化器件设计,加强生产测试环节的管控,使器件具备常温反向偏置(RTRB)能力。
应用方案 发布时间 : 2024-10-29
研讨会2024功率器件新技术研讨会
描述- 11月21日在线直播,带来低导通电阻的功率MOS、集成驱动的GaN IC、IGBT新技术、用于电机驱动/BMS/移动储能的SGT MOS、高压车规SiC功率MOS、国产车规IGBT模块等功率器件新产品新技术,点击了解报名
议题- 降低20%导通电阻的功率MOS | 集成驱动的GaN IC | 沟槽栅场截止型IGBT新技术 | 适用于电机驱动/BMS/移动储能等应用SGT MOSFET | 1700V SiC功率MOS | 国产50A IPM模块 | 高可靠国产车规IGBT模块 | ROHM——专注功率,电源和模拟技术的全球知名半导体厂商 | EPC——基于氮化镓(GaN)功率管理器件的领先供应商 | 致力于功率器件和智能传感器技术的专业半导体厂商——瑶芯微(ALKAIDSEMI) | 中国半导体功率器件十强企业:扬杰科技(YANGJIE) | 致力于成为双碳时代功率半导体中国领跑者——阿基米德半导体(Archimedes) | 中国领先的碳化硅(SiC)半导体和芯片解决方案提供商——瞻芯电子(InventChip) | 专业从事电源管理、电机驱动、微控制器、传感器的集成电路和系统方案的设计与开发——华润微电子(CRM ICBG ) | Kyocera(京瓷)——全球领先的材料与电子元件制造商 | Shindengen(新电元)——“桥王”,整流桥全球份额占比约40% | 中国半导体功率器件十强的主板上市企业——新洁能(NCEPOWER) | 国内首家抗负压能力可达-40V/600ns的电机驱动(HVIC)制造商——数明半导体 | 国内领先的半导体分立器件整合制造商 (IDM) —— 捷捷微电(JieJie Microelectronics) | 国产一站式电路保护解决方案专家——硕凯(SOCAY) |
活动 发布时间 : 2024-10-12
阿基米德半导体(Archimedes)IGBT分立器件/功率模块选型指南
型号- AMGO75B65FPH3RB,ADH040N12HT5,AMG006L12P2C3RB,ADG075N65CT5,AMG006L12P2C3RA,ADG040N65HT5,AMG225L12L1H3RB,ADH075N12MT7,AMG375L65L1S5RC,AMG150L70P2H3RA,AMG200L12L1H3RA,AMG200L12L1H3RB,AMG100L65P2H3RB,AMG225L65F2S5RC,AMG950H75H1H3RA,ADG100N12BT7,AMG100L65P2H3RA,AMG200H12S1M3RA,AMG080L12F1H3RA,ADG050N12AT7,AMG450L65P4S5RE,ADH075N65FT5,AMG450L65P4S5FC,AMG400L12P4H3RA,AMG400L12P4H3RB,AMG300H12S1M3RA,ADG075N70CT5,ADG060N65BT5,AMG450L65P4S5RD,AMG450L65P4S5RC,AMG150L12L1H3RA,ADG050N65CT5,AMG225L65P4S5RC,ADG075N65FT5,AMG300H12E1M3RA,AMG300L12P4H3RA,ADG150N65FT7,ADG075N65BT5,ADG050N65KT5,AMG820H75H1H3RA,ADG100N65FT7,AMG600H12E1M3RA,AMG450H12E1M3RB,AMG300L65F2S5RC,AMG300L65F2S5RA,AMG300L65F2S5RB,AMG600H75H1H3RA,ADG100N12MT7,AMG150L65P2H3RB,ADG075N12MT7,AMG150L65P2H3RA,AMG600H12E1M3RB,ADG040N12HT5,ADG050N12HT7,AMGO80L12F0H3RA,AMG080L12F0H3RB,AMG450L65F2S5RC,AMG450L65F2S5RB,ADG040N12AT5,ADS080N12GT8,AMG300L65P4S5RC,AMG600H12S1M3RA,AMG160L12F1H3RB,AMG160L12F1H3RA,AMG450H12E1L3RA,AMG900H12E1M3RA,AMG375L65P4S5RC,AMG600H12H1H3RA,ADS040N12GT8,AMG450H12S1M3RA,AMG160L12F2H3RB,AMG160L12F2H3RA
【元件】瞻芯电子推出2000V SiC MOSFET和SBD,助力高压光伏逆变器系统
为满足光伏、储能和电网等领域对更高耐压等级功率器件需要,瞻芯电子开发2000V碳化硅(SiC)MOSFET和SBD工艺平台。首批2款产品通过严格可靠性认证,并正式推向市场。目前已有客户导入新产品测试,进入整机验证阶段。
产品 发布时间 : 2024-10-09
阿基米德半导体IGBT功率模块/IGBT分立器件选型表
阿基米德半导体推出高性能MOSFET/IGBT、Hybrid/ SiC SBD/MOSFET功率模块、分立器件产品,涵盖650V~1700V电压等级,产品主要应用于新能源汽车/光伏/储能/充电桩/数据中心/电能质量等领域。
产品型号
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品类
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Package
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VCE(V)
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IC(A)
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AMG200L12L1H3RB
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IGBT功率模块
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ACL
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1200
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200
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选型表 - 阿基米德半导体 立即选型
【元件】森未科技推出200kW+储能PCS用IGBT:S3L400R10HA7U_C20,采用Flow2系列封装
森未科技正式发布HA系列首款产品:S3L400R10HA7U_C20,可用于1000V系统125KW+及1500V系统200KW+储能。S3L400R10HA7U_C20为三电平INPC拓扑,采用森未科技的第7代1050V IGBT芯片和软恢复FRD,针对ESS双向能量变换应用进行了芯片优化。满足工商业储能1000V及1500V DC系统的功率变换。
产品 发布时间 : 2024-09-27
电子商城
现货市场
服务
可定制UV胶的粘度范围:150~25000cps,粘接材料:金属,塑料PCB,玻璃,陶瓷等;固化方式:UV固化;双固化,产品通过ISO9001:2008及ISO14000等认证。
最小起订量: 1支 提交需求>
可定制TEC尺寸范围:1.4~62mm;制冷功率高达258W,工作电压低至1.2~5V,可实现±100℃范围内的精准控温,产品寿命达10年,在20~95℃范围内,达上百万次的冷热循环。
最小起订量: 500pcs 提交需求>
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