【IC】蓉矽SiC MOS再获2024中国IC设计成就奖——年度最佳功率器件

时间： 2024-04-03 来源：NOVUSEM（蓉矽半导体公众号）

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2024年3月28-29日，由Aspencore主办的2024国际集成电路展览会暨研讨会（IIC Shanghai）在上海国际会议中心成功举办。

本次IIC展览会聚焦绿色能源生态发展、中国IC设计创新等领域，集结国际和国内IC设计厂商、分销商和代理商，为各界科技交流合作及推进市场化进程搭建了全方位、多层次、多领域的互动平台。

蓉矽半导体携创新技术产品和最新解决方案亮相展会，以“SiC功率半导体技术对绿色能源发展的贡献”为主题进行了演讲交流，并荣获中国IC设计成就奖-年度最佳功率器件，彰显了蓉矽半导体在引领电子设计创新过程中做出的杰出贡献。

01、SiC功率半导体技术对绿色能源发展的贡献

2024年3月28日，IIC Shanghai 2024的重要论坛活动——2024国际绿色能源生态发展峰会顺利举行。本次峰会以“绿色能源，半导体赋能”为主题，邀请了业界专家、海内外的知名科技企业代表，围绕双碳目标下的企业发展机遇与挑战，以及科技行业如何通过技术创新拥抱未来，实现行业发展新契机，凝聚产业发展共识，建设绿色制造和服务体系，加快形成绿色生产生活方式等话题进行深入探讨。

蓉矽半导体副总裁、研发中心总经理高巍受邀分享了关于“SiC功率半导体技术对绿色能源发展的贡献”的主题演讲。

SUMMARY

无论是储能系统，还是新能源汽车，碳化硅的应用已不再局限于传统的消费级领域，而工业级和车规级应用对器件品质的要求都会更高。其主要原因就在于，无论是直流充电还是储能、电源、汽车，碳化硅的应用场景都是高温、高压、高频的恶劣环境，因此对碳化硅整体可靠性的要求也大幅提升。

为了满足高可靠性的需求，蓉矽半导体在设计、材料和工艺这三者之间全力寻求平衡：DFR可靠性观点贯穿设计全程；选择高品质、低缺陷的碳化硅和衬底材料；采用成熟的工艺平台，以确保器件的可靠性至少达到工业级以上要求。

赋能绿色未来，是蓉矽的使命。蓉矽半导体在用自身的技术，对碳化硅功率器件的理解，旗下的高可靠性产品，为我国的新能源产业贡献力量。

02、年度最佳功率器件

由Aspencore颁发的中国IC设计成就奖是我国半导体行业最重要、最有公信力、历史最悠久的奖项之一，至今已走过22个年头，是中国电子业界最重要的技术奖项之一。该奖旨在表彰在中国IC设计链中占据领先地位或展现卓越设计能力与技术服务水平、或具极大发展潜力的最佳公司、团体、以及杰出个人。

2024年3月29日，颁奖典礼在上海张江科学会堂隆重举办。蓉矽半导体1200V/40mΩ DuraSiC®MOSFET-NE1M120C40HT荣获2024年度中国IC设计成就奖——年度年度最佳功率器件/宽禁带器件，强力证明了蓉矽半导体在引领电子设计创新过程中做出的杰出贡献。

此外，蓉矽第二代SiC MOSFET也将于近期发布，芯片性能、可靠性、成本控制等方面将得到大幅提升。03A1200V/40mΩ MOSFET

AEC-Q101&HV-H3TRB

蓉矽半导体自主研发的1200V/40mΩ SiC MOSFET已顺利通过AEC-Q101车规级测试和HV-H3TRB加严可靠性考核，在更为极端的应用场景中也表现出了高可靠性和长期稳定性，可满足新能源汽车、光伏逆变等领域对功率器件的高质量和车规级可靠性要求。

该产品具有以下特点：

采用沟道自对准工艺和凸多边形密铺的元胞布局形式，增加沟道密度、降低沟道电阻，提升器件在单位面积内的电流能力；
采用多晶硅网络优化技术，充分降低栅极内阻，提高器件在开关过程中对输入电容的充放电速度，降低器件开关损耗；
采用结终端优化技术，降低器件在结终端的曲率效应，提高器件耐压能力；采用开尔文源的PAD设置，降低封装中的杂散电感；
VDD=800V时，短路耐受时间>3μs，TO-247-4封装测试开启损耗为635μJ，在竞品中处于先进水平。

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