新能源汽车动力革命:100V/10A的N沟道MOSFET SL10N10A,助力电池技术
众所周知,如今新能源汽车的一个短板在于电池,续航短、长时间充电以及安全问题都归结于动力电池。因此下一代电池的主要目标便是提升续航与缩短充电时间以及加强电池安全,而固态电池能够很好的解决这些弊病,也被业内视作下一代动力电池。近日,智己汽车突然传出消息,其在5月份将率先搭载行业量产上车的超快充固态电池,并能够实现超1000公里的长续航,还能实现准900V超快充,并能够保证整包无热蔓延不起火。从定义来说,固态电池是一种使用固体电极和固体电解质的电池,而半固态电池是介于液态锂电池和全固态电池之间的折中方案,它们的区别在于电解质的形态和含量。随着智己的量产装车,或许将刺激宁德时代、比亚迪等大厂提前向下投放半固态电池技术,让国内新能源汽车市场更快进入到固态电池时代。或许,今年可以被称为固态电池元年,至少是半固态电池的元年。中压MOSFET在新能源汽车领域扮演着至关重要的角色。这种特殊的场效应晶体管以其独特的电压承受能力和高效能转换效率,成为电力电子系统中不可或缺的部分。其工作原理基于栅极和源极间的电压变化,通过控制沟道的形成与消失,实现对电流的高精度调控。
中压MOSFET在新能源车的固态电池电路中发挥着电能转换、电路保护和系统效率提升等关键作用。首先,它负责将固态电池输出的直流电能转换为适合电机和其他电子设备使用的电能形式。并且通过高精度控制电流和电压的转换,也能确保电能的高效利用和稳定传输。其次,它还承担着电路保护的重要职责。在固态电池电路中,由于电流和电压的变化较大,可能会产生过流、过压等异常情况。该器件通过其快速响应和高精度控制能力,可以迅速切断异常电流,保护电路中的其他元件免受损坏。此外,它还有助于提升新能源车固态电池电路的系统效率。通过优化MOSFET的开关速度和能量损耗,可以减少电路中的能量损失,提高整体系统的能量转换效率。这对于提升新能源车的续航里程和降低能耗具有重要意义。
SL10N10A是一款具有100V漏源电压和10A连续漏极电流的N沟道MOSFET,以其低导通电阻(95mΩ@10V,10A)和较低的阈值电压(3V@250μA)而著称。这些特性使其成为汽车充电系统中的理想选择,而在汽车电子技术的不断发展的条件下,SL10N10A的潜力将进一步得到挖掘和应用。
萨科微Slkor中压MOSFET SL10N10A
首先,该器件具有先进的沟槽结构,通过减小沟槽间距和增加沟槽数量,显著提高了器件的通道密度。这种设计不仅有助于提升电流的流通能力,还有效地降低了导通时的电阻,进一步提高了器件的导通能力和效率。并且该器件散热性好,散热性能对于电子设备的稳定运行至关重要。良好的散热性能可以确保设备在工作时产生的热量得到有效散发,防止因过热而导致的性能下降或设备损坏,减少因高温引起的老化现象,从而延长设备的使用寿命。低RDS(ON)的高密度单元设计是它的另一特性提高了MOSFET的功率密度和效率,还使得其在高功率、高密度的应用场景中表现出色,如新能源车电机驱动、工业自动化设备等。
萨科微Slkor中压MOSFET SL10N10A相关参数
在新能源汽车中,中压MOSFET被广泛应用于电机控制、电池管理和车载充电等系统。在电机控制系统中,它通过高精度控制电流的流动,确保电机的高效运行和平稳输出。在电池管理系统中,该器件负责监控电池的充电和放电状态,保证电池的安全性和稳定性。同时,在车载充电系统中,中压MOSFET的高效转换能力使得充电过程更为迅速和高效。
中压MOSFET以其独特的电压承受能力和高效能转换效率,为新能源汽车领域的发展提供了有力支持。随着新能源汽车市场的不断扩大和技术的不断进步,中压MOSFET的应用前景将更加广阔。优秀的参数使功率电子器件成为智能化领域中不可或缺的组成部分,推动着智能化技术的不断进步和创新。未来,随着新能源汽车技术和半导体技术的进一步融合与创新,我们将会见证更多智能化、高效能的应用解决方案诞生。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由Vicky转载自SLKOR官网,原文标题为:【每日一品】新能源汽车动力革命:萨科微中压MOSFET SL10N10A助力电池技术,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
相关推荐
60V/47A的N沟道MOSFET SL75N06Q可用于包装设备的高频开关,阈值电压2.4V@250μA
SL75N06Q是一款具有60V漏源电压和47A连续漏极电流的N沟道MOSFET,以其低导通电阻(8.5mΩ@10V,20A)和较低的阈值电压(2.4V@250μA)而著称。这些特性使其成为包装设备系统中高频开关的理想选择,而在高频开关技术的不断发展的条件下,SL75N06Q的潜力将进一步得到挖掘和应用。
德欧泰克MOSFET DIW018N65导通状态电阻低至155mΩ,为电动汽车充电器提供最佳开关特性
为了优化电动汽车的能源效率,需要考虑电池充电现象。DIOTEC的DIW018N65是一款18A/650V N沟道MOSFET,可提供最佳的开关特性,低RDS(on)在增强系统中起着至关重要的作用,为了满足这些条件,极低的导通状态电阻通常为155mΩ,有助于改善MOSFET的散热性能,极低的栅极电荷(Qg)38nC可提高效率并提高MOSFET的功率密度。
30V/20A的N沟道MOS管SL20N03,导通电阻仅为21mΩ,具有更高效的功率控制和电流处理能力
SL20N03作为N沟道型MOS管,具备优异的性能参数。其漏源电压达到30V,连续漏极电流可高达20A,导通电阻在10V、5.8A条件下仅为21mΩ,阈值电压为0.9V@250μA。该产品的特点突出体现了萨科微在技术领域的实力和创新能力。采用沟槽功率低压MOSFET技术,结合高密度电池设计,实现了低Rpsrom(导通时正温度系数)特性,为用户提供了更高效的功率控制和电流处理能力。
60V/10A的N沟道MOSFET SL10N06A,是笔记本电脑理想的电源管理和控制电流元件
SL10N06A是一款具有60V漏源电压和10A连续漏极电流的N沟道MOSFET,以其低导通电阻(35mΩ@10V,5A)和较低的阈值电压(2.5V@250μA)而著称。这些特性使得SL10N06A成为笔记本电脑领域中理想的电源管理和控制电流元件,尤其是在需要高效能和高精度控制的场合。
STM20M06EN1 N沟道MOSFET
本资料详细介绍了STM20M06EN1型N-Channel MOSFET的特性,包括其电气参数、工作条件、封装尺寸等。资料涵盖了该产品的静态参数、动态参数、开关参数以及输出特性等,适用于负载/电源切换、接口切换、超小型便携式电子设备的电池管理等领域。
SXSEMI - N-CHANNEL MOSFET,N沟道贴片MOS管,STM20M06EN1,超小型便携式电子设备,电源切换,逻辑电平变换,BATTERY MANAGEMENT,POWER SWITCHING,接口交换,负荷切换,电池管理,ULTRA SMALL PORTABLE ELECTRONICS,LOAD SWITCHING,INTERFACING SWITCHING,LOGIC LEVEL SHIFT
70V/100mA的N沟道MOSFET BAS70W-05,适用于中低压开关柜
BAS70W-05是一款具有70V漏源电压和100mA正向平均整流电流的N沟道MOSFET,具有大电流承受能力、正向压降低、开关速度快等特性。这些特性使得BAS70W-05成为中低压开关柜系统中理想的电流控制和电压调节元件,它不仅可以提高系统的能效和稳定性,还可以为系统提供多种功能,满足不同工业和电力场景下的需求。
PWX3134K 20V双通道N沟道MOSFET
PWX3134K是一款20V双通道N沟道MOSFET,具有低导通电阻和低逻辑电平栅极驱动特性,适用于负载/电源切换、接口、逻辑开关和超小型便携式电子设备的电池管理。
平伟实业 - DUAL N-CHANNEL MOSFET,双N沟道MOSFET,PWX3134K,逻辑切换,电源切换,逻辑电平变换,POWER SWITCHING,接口交换,LOGIC SWITCHING,负荷切换,ULTRA SMALL PORTABLE ELECTRONICS,LOAD SWITCHING,LOGIC LEVEL SHIFT,超小型便携式电子设备,BATTERY MANAGEMENT,电池管理,INTERFACING SWITCHING
SLKOR MOSFET选型表
SLKOR提供以下参数的MOSFET选型,Vᴅss(V):-60~650,Vɢs(V):±8~±30,Iᴅ@Tᴄ=25℃(A):-70~100及多种不同的封装方式,如:SOT-23,SOP-8和TO-252-3不等
产品型号
|
品类
|
N/P
|
Vᴅss(V)
|
Iᴅ@Tᴄ=25℃(A)
|
Pᴅ@Tᴄ=25℃(W)
|
Vɢs(V)
|
Rᴅs(on)(mΩ)Max.@Tᴄ=25℃(at Vɢs=4.5V)
|
Rᴅs(on)(mΩ)Max.@Tᴄ=25℃(at Vɢs=2.5V)
|
Package
|
SL2333A
|
MOSFET
|
P
|
-12
|
-6
|
1.2
|
±8
|
40
|
50
|
SOT-23
|
选型表 - SLKOR 立即选型
100V/2A的N沟道MOSFET SL2328A,具有低导通电阻和快速开关速度,助力马达控制
SL2328A是一款具有100V漏源电压和2A连续漏极电流的N沟道MOSFET,以其低导通电阻(310mΩ@10V,2A)和较低的阈值电压(3V@250μA)而著称。这些特性使得SL2328A成为在马达控制中理想的开关和调节元件,尤其是在需要高效能和高精度控制的场合。
PW34KF1-3 20V N沟道MOSFET
该资料详细介绍了PW34KF1-3型号的20V N-Channel MOSFET的特性,包括其电气特性、热特性、封装信息等,适用于负载/电源切换、接口切换、超小型便携式电子设备的电池管理等应用。
平伟实业 - N-CHANNEL MOSFET,N沟道贴片MOS管,PW34KF1-3,超小型便携式电子设备,电源切换,逻辑电平变换,BATTERY MANAGEMENT,POWER SWITCHING,接口交换,电池管理,负荷切换,ULTRA SMALL PORTABLE ELECTRONICS,LOAD SWITCHING,INTERFACING SWITCHING,LOGIC LEVEL SHIFT
JST2002KNC 20V N沟道MOSFET
本资料介绍了JST2002KNC型号的N-Channel MOSFET的特性、最大额定值、电气特性、典型性能特性以及封装尺寸。该MOSFET具有低导通电阻(RDS(ON)),适用于负载开关、接口切换、超小型便携式电子设备的电池管理以及逻辑电平转换。
JESTEK - N沟道贴片MOS管,N-CHANNEL MOSFET,JST2002KNC,超小型便携式电子设备,电源切换,BATTERY MANAGEMENT,POWER SWITCHING,接口交换,电池管理,负荷切换,ULTRA SMALL PORTABLE ELECTRONICS,LOAD SWITCHING,INTERFACING SWITCHING
-60V/-30A P沟道MOS场效应管IRFR5305,在小家电领域具有广泛的应用和显著的优势
IRFR5305是一款P沟道MOS场效应管,具有出色的性能参数,其具有较高漏源电压(-60V)和大电流承受能力(-30A),非常适合用于高压高功率的电路设计中。此外,其较低的导通电阻(26mΩ@-10V,-15A)和较低的阈值电压(-1.8V@-250μA)保证了其在工作状态下能降低功率损耗。该器件在各种电子设备和电路中都能发挥重要作用,为电子设备和系统的性能提升和能效改进提供了强大支持。
ASC30N650MT3 650V N沟道MOSFET\n
该资料介绍了硅碳化物(SiC)MOSFET的特性及其在电子设备中的应用。SiC MOSFET采用新技术,提供比硅更好的开关性能和可靠性,具有低导通电阻和紧凑的芯片尺寸,确保低电容和栅极电荷。系统优势包括最高效率、更快的工作频率、更高的功率密度、减少EMI和系统尺寸。
爱仕特 - SIC场效应晶体管,碳化硅MOSFET,N-CHANNEL MOSFET,N沟道贴片MOS管,SIC MOSFET,SILICON CARBIDE MOSFET,ASC30N650MT3,EV CHARGING,电动汽车充电,DC/DC CONVERTERS,POWER FACTOR CORRECTION MODULES,SOLAR PV INVERTERS,功率因数校正模块,太阳能光伏逆变器,DC/DC转换器,模式电源开关,SWITCH MODE POWER SUPPLIES
60V/30A的N沟道MOSFET SL30N06D,在汽车模拟领域有卓越的性能和广泛的应用前景
SL30N06D是一款性能卓越的N沟道MOSFET,该器件的高漏源电压(60V)、大电流承载能力(30A)、低导通电阻(27mΩ@10V,30A)以及较低的阈值电压(1.6V@250μA)等特点,使其成为汽车电子系统中的理想选择,在汽车模拟领域展现出了卓越的性能和广泛的应用前景。
60V/5A N沟道MOS场效应管SL05N06Z,具有低导通电阻、高开关速度、低开关损耗等特点
SL05N06Z是一款N沟道MOS场效应管,具有出色的性能参数,其具有较高漏源电压(60V)和一定的电流承受能力(5.0A),非常适合用于中压中功率的电路设计中。此外,其较低的导通电阻(58mΩ@10V,3A)和较低的阈值电压(1.7V@250μA)保证了其在工作状态下能降低功率损耗。该器件在各种电子设备和电路中都能发挥重要作用,为电子设备和系统的性能提升和能效改进提供了强大支持。
电子商城
品牌:SLKOR
品类:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
价格:
现货: 0
现货市场
服务
可定制位移传感器量程范围10~600mm,该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐,每毫米的变化量误差不超过3ue/mm,可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标:非线性<0.2%;供桥电压<10v;测试精度:0.01mm。
最小起订量: 1 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论