会后回顾 | 世强硬创2024年功率器件新技术研讨会

时间： 2024-04-12 来源：瑶芯微微信公众号

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2024年3月28日，世强硬创平台举办的功率器件新技术研讨会圆满结束。此次研讨会汇集了行业内的领先厂商，展示了最新的功率器件产品和解决方案。瑶芯作为国内功率半导体行业的领军企业，参与到此次线上研讨会中，展示了在功率器件领域的最新产品、技术、方案成果。

在研讨会上，瑶芯全面介绍了SiC MOSFET产品线，全系产品覆盖650V-3300V的电压范围，11mΩ-2000mΩ的电阻范围，性能达到国际先进水平。同时，瑶芯还提供中低压SGT MOS和高压SJ MOS产品，产品组合丰富，性能优异;而IGBT和FRD产品线同样表现突出，性能对标国际龙头，广泛应用于光伏、储能、工业变频等领域。

SiC MOSFET：

电压范围650V-3300V，电阻范围11mΩ-2000mΩ。应用于光伏、储能、充电桩、工业电源、车载OBC等领域。

中低压MOSFET：

SGT MOS车载G2.5平台量产，性能对标国际友商6代产品，电压范围30V-200V，电阻范围0.5mΩ-80mΩ。用于车载BMS、底盘、热管理、自动驾驶及车身域系统。

SJ MOS：

ESM(多层外延) G2.5平台量产，性能对标国际友商最新7代产品，电压范围600V-700V，电阻范围18mΩ-360mΩ。广泛应用于光伏、储能、充电桩、工业电源、车载OBC。

IGBT/FRD：

G3平台产品对标国际友商最新7代产品，电压范围650V-1700V，电流范围5A-300A。应用于光伏、储能、工业变频等领域。

此外，瑶芯对所有产品均进行严格的可靠性测试，确保产品的稳定性和耐用性。所有SiC MOSFET产品通过高温反偏、高温栅偏、高压高湿等可靠性测试，部分测试时间超过2000小时。而此前，上海技术交易所专家评委会对瑶芯高可靠SiC MOS器件给予了“国际先进”的高度评价，认为瑶芯研发的车规级SiC MOSFET填补了我国在高可靠SiC MOSFET功率器件领域的技术空白。

作为国内稀缺的全产品类别、全电压平台功率半导体供应商，第三代SiC半导体的技术引领者，瑶芯将继续加大研发投入，推动功率半导体行业的发展，为我国的新能源产业和绿色经济贡献力量。在未来的发展中，也将继续以客户需求为导向，不断推出性能更优、品质更可靠的产品，助力我国功率半导体行业迈向新的高峰。

关于瑶芯

瑶芯微电子科技(上海)有限公司主要致力于功率器件、智能传感器和信号链IC的设计、研发和销售，主营产品为功率器件(中低压Trench MOS以及SGT MOS，高压SJ超结MOS，IGBT，FRD，SiC MOS和SiC 二极管)和MEMS传感器以及信号链IC。主要应用领域为：消费类和工业类以及车载的功率器件应用(比如手机快充，工业开关电源，光伏储能逆变器，车载OBC，主驱逆变，各类工业/车载电机和BMS 应用)以及消费类电子市场、医疗与工控领域的MEMS传感器产品和信号链IC，具备自有知识产权、可国产替代的高可靠性和高性价比。

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