SiC MOSFET缓冲电路设计方法
与传统的功率半导体相比，SiC MOSFET的开关速度更快，因此其电压和电流变化更急剧。这使得器件自身的封装电感和外围电路的布线电感等的影响变大（已经不容忽视），最终会导致较大的浪涌。关于这种浪涌的抑制方法，我们已经介绍过其中一种，即缓冲电路的增加方法和设计方法。
以下是迄今为止发布的相关文章链接和关键要点汇总。
SiC MOSFET：缓冲电路的设计方法—前言
本文的关键要点
●近年来，SiC MOSFET因其能够高速开关工作而被广泛用于各种功率转换应用。
●但是，高速工作会在漏极和源极之间产生较大浪涌，需要采取措施抑制这种浪涌。
●缓冲电路是抑制浪涌的方法之一。
漏极和源极之间产生的浪涌
本文的关键要点
●漏极和源极间的浪涌是由各种电感分量和MOSFET寄生电容的谐振引起的。
●在实际的设计中，很多情况下无法设计出可将布线电感降至最低的布局，此时，在尽可能在靠近开关器件的位置配置缓冲电路来降低布线电感是非常重要的。
缓冲电路的种类和选择
本文的关键要点
●要想使缓冲电路充分发挥出其效果，需要尽可能靠近开关器件进行安装。
●缓冲电路包括由R、L、C等无源元件组成的电路和由半导体元器件组成的有源电路。
●本文介绍了无需控制而且具有成本优势的电路方式—C缓冲电路、RC缓冲电路、放电型RCD缓冲电路和非放电型RCD缓冲电路。
C缓冲电路的设计
本文的关键要点
●CSNB越大，C缓冲电路的浪涌抑制效果越好。
●但是，需要注意的是，缓冲电路中形成的LSNB需要低于LMAIN，关于LSNB，还需要考虑电容器的ESL。
RC缓冲电路的设计
本文的关键要点
●RC缓冲电路需要考虑到功耗PSNB来求出CSNB和RSNB，并将其谐振角频率ωSNB设置得充分高于浪涌的谐振角频率ωSURGE。
放电型RCD缓冲电路的设计
本文的关键要点
●放电型RCD缓冲电路的设计与RC缓冲电路的设计基本相同。
●但是，由于浪涌被二极管吸收，因此无需使用“RC缓冲电路的设计”一文中所示的公式(5)来确认谐振频率。
●需要选择反向恢复电流小的二极管。
非放电型RCD缓冲电路的设计
本文的关键要点
●在非放电型RCD缓冲电路中，RSNB消耗的功率仅为浪涌能量，因此RSNB的容许损耗可以比较小。
●因此，可以增加CSNB的电容量，这不仅可改善钳位效果，还可提高开关频率fSW。
●通常而言，在增加了非放电型RCD缓冲电路的电路中，低负载时的效率会降低，高负载时的效率会提高。这是因为在高负载时，缓冲电路具有抑制浪涌的效果，最终会降低开关损耗。
封装引起的浪涌差异
本文的关键要点
●SiC MOSFET的封装类型不同，在漏极和源极之间产生的浪涌也不同。
●与TO-247N相比，TO-247-4L通过改变驱动电路的路线加快了开关速度，因此浪涌通常更大。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由三年不鸣转载自ROHM（罗姆）微信公众号，原文标题为:R课堂 | SiC MOSFET：缓冲电路设计方法－总结，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。
相关推荐
【经验】简析Sic MOSFET相对于IGBT器件的三个优势：低导通损耗、低开关损耗、高驱动电压条件下更低导通电阻
ROHM的SCT2080KEHR是1200V，导通电阻是80mΩ，电流40A，封装TO-247-3的车规级SiC MOSFET，驱动电压范围VGSS在 -6V~+22V，驱动范围比较窄。本文以CT2080KEHR为例，对比市场通用的1200V/40A的TO-247-3的IGBT单管，说明Sic MOSFET在导通损耗和开关损耗上更具优势。
在EV应用中使用第4代SiC MOSFET的效果：图腾柱PFC实机评估
本文将介绍在相同的BEV电源架构的组成模块之一—OBC的双向图腾柱PFC中使用第4代SiC MOSFET时的实验结果。图腾柱PFC是作为可提高效率的PFC转换器在近年来备受关注的拓扑。另外，为了微电网系统更加稳定，并促进供需平衡，全球范围都在研究V2G（Vehicle To Grid），双向工作也变得越发重要。
【经验】以SIC MOSFET SCT3040KR为例说明SiC MOS应用中Vds关断尖峰的应对策略
在SiC MOS应用中，通常在mos关断过程中存在较大的Vds尖峰，主要原因在Turn ON 时流过的电流的能量储存在线路和基板布线的寄生电感中，并与开关元件的寄生电容共振所产生的。本文将以ROHM SiC MOSFET SCT3040KR为例说明SiC MOS应用中Vds关断尖峰的应对策略。
SiC MOSFET损耗计算方法：开关波形的测量方法
关于根据开关波形计算功率损耗的方法，本文中ROHM将为大家介绍SiC MOSFET开关波形的测量方法。近年来，一些示波器已经具备可以自动计算并显示所观测波形的功率损耗的功能，但如果没有该功能，就需要通过测得的波形来计算损耗了。为此，需要了解具体的测量方法和波形。
ROHM（罗姆） SiC（碳化硅）MOSFET选型指南（中文）
SiC MOSFET原理上在开关过程中不会产生拖尾尾电流，可高速运行且开关损耗低。低导通电阻和小型芯片尺寸造就较低的电容和栅极电荷。此外，SiC还具有如导通电阻增加量很小的优异的材料属性，并且有比导通电阻可能随着温度的升高而上升2倍以上的硅（Si）器件更优异的封装微型化和节能的优点。
ROHM - SIC场效应晶体管,SIC MOSFET,SCT3160KL,SCT4062KR,SCT3030KLHR,SCT4013DE,SCT3080AW7,SCT2450KE,SCT3160KW7,SCT2H12NZ,SCT4062KW7HR,SCT2450KEHR,SCT4013DR,SCT3060ALHR,SCT3040KRHR,SCT3060ARHR,SCT3040KLHR,SCT4036KEHR,SCT4045DRHR,SCT3022KLHR,SCT2160KE,SCT3080KW7,SCT3017ALHR,SCT3022AL,SCT3080ALHR,SCT3060AR,SCT3105KLHR,SCT4036KR,SCT3060AL,SCT4026DEHR,SCT4062KRHR,SCT3040KR,SCT2080KE,SCT3080KR,SCT3105KRHR,SCT3120AL,SCT4013DW7,SCT3030KL,SCT4062KWAHR,SCT4062KE,SCT3080ARHR,SCT4036KW7,SCT2280KEHR,SCT3120ALHR,SCT2280KE,SCT4062KWA,SCT3030AR,SCT3030AL,SCT3030AW7,SCT4036KRHR,SCT4045DEHR,SCT3120AW7,SCT3040KL,SCT3105KW7,SCT2080KEHR,SCT4018KW7,SCT4045DWA,SCT3080KL,SCT3030ALHR,SCT4062KW7,SCT3040KW7,SCT3022ALHR,SCT3030ARHR,SCT4045DW7,SCT3017AL,SCT4036KE,SCT4018KE,SCT4045DE,SCT4026DW7,SCT4062KEHR,SCT3080AR,SCT4026DW7HR,SCT4026DE,SCT4026DWA,SCT3160KLHR,SCT3080AL,SCT4045DW7HR,SCT4045DR,SCT2160KEHR,SCT3022KL,SCT4018KR,SCT4026DR,SCT4045DWAHR,SCT3105KL,SCT3160KW7HR,SCT3105KR,SCT3080KLHR,SCT3060AW7,SCT4026DRHR,SCT3080KRHR,SCT4026DWAHR
SiC MOSFET：通过波形的线性近似分割来计算损耗的方法
本文的关键要点：可以在线性近似有效范围内对所测得的波形进行分割，并使用示例公式进行损耗的近似计算；MOSFET开关工作时的总功率损耗是开关损耗和导通损耗之和。
SiC MOSFET损耗计算方法：通过波形的线性近似分割来计算损耗的方法
本文ROHM将介绍根据在上一篇文章（《SiC MOSFET损耗计算方法：开关波形的测量方法》）中测得的开关波形，使用线性近似法来计算功率损耗的方法。
【经验】如何通过增加栅极电容的方式减缓SiC MOSFET 的米勒效应
SiC MOSFET 同Si 基MOSFET和IGBT一样，由于存在米勒电容，都会有米勒效应的存在。由于SiC材料所带来的优势，SiC MOSFET可以工作在更高开关频率下，这样就会面临更严峻的误触发现象。所以在驱动电路设计中需要增加相关设计，使之能够较为有效地避免误触发。本文将主要介绍增加栅极电容的方式。
ROHM SiC MOSFETs Contribute to Smaller, More Efficient, Reliable High Power Bidirectional Power Supplies
ROHM SiC MOSFETs Contribute to Smaller, More Efficient, Reliable High Power Bidirectional Power Supplies.ROHM‘s products were essential to the development of a high reliability, high efficiency 3U20kW bidirectional large-capacity DC power supply.
在EV应用中使用第4代SiC MOSFET的效果：装入牵引逆变器实施模拟行驶试验
本文将介绍牵引逆变器的基本工作和在EV中的评估系统（电机试验台的测试环境）。然后使用其测试结果，按照乘用车油耗测试方法WTLC实施模拟行驶仿真，并通过示例来了解使用第4代SiC MOSFET改善电耗的效果。
【产品】采用TO263-7L封装的AC/DC转换器IC适用于通用逆变器， 内置1700V耐压的SiC MOSFET
ROHM推出的BM2SC12xFP2-LBZ是业内先进的AC/DC转换器IC，采用一体化封装， 内置1700V耐压SiC MOSFET，使采用了SiC MOSFET的高效AC/DC转换器的设计更容易。
在EV应用中使用第4代SiC MOSFET的效果
EV（电动汽车）有多种类型。在BEV（纯电动汽车）、HEV（混合动力汽车）、PHEV（插电式混合动力汽车）和Series HEV（串联式混合动力汽车）等不同的产品类型中，电源架构会因具体用途而有所不同。其中，最近备受关注的是BEV的双向/快速充电应用中的电池电压为400V或800V的电源架构。
【经验】以SCT3040KL/R为例说明To-247-4L封装SiC MOSFET相对于3L封装产品性能更优
TO-247系列的SiC MOSFET的4L封装是在3L封装上对源极进行优化的产品。ROHM的SCT3040KL和SCT3040KR分别是3L和4L的SiC MOSFET。本文以这两个产品为例，从应用电路图和开关测试波形图进行分析，比较4L封装的产品在性能上更优于3L产品。
ROHM采用SiC MOSFET开发Trans-link交错型逆变器，实现5kW时功率转换效率99%以上
罗姆（ROHM）采用了发挥碳化硅(SiC)MOSFET高频特性的Trans-link交错型逆变电路、实现了5kW时的功率转换效率达到99%以上。在该电路拓扑中，平滑电抗器的电感量可以减小。
采用第四代SiC MOSFET的3.6kW图腾柱PFC应用EVK简介
本资料介绍了ROHM公司推出的3.6kW Totem Pole PFC（升压转换器）评估板APEVK66001，该板采用第四代SiC MOSFET，具有高达98.5%的效率。评估板包括AC电感、高频SiC MOSFET、DC输出滤波器等组件，并详细列出了技术规格和电路图。资料还介绍了ROHM公司相关产品，包括SiC MOSFET、栅极驱动器、电流检测电阻等。
ROHM - BOARD,板,PCB3052,TPPFCSIC-EVK-301,PCB3051
电子商城
现货市场
服务
定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m，厚度2mm-100mm，单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
最小起订量： 1片 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论