听说看完这篇,三极管和MOS的区别可以给你整得明明白白
![三极管,MOS,半导体三极管,双极型晶体管](https://www.sekorm.com/front/website/images/sekormContent.jpg)
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一、三极管
1、三极管是什么
三极管全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,也用作无触点开关。
三极管是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。
对于NPN管,它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成,发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e (Emitter)、基极b (Base)和集电极c (Collector)。
2、三极管分类
3、三极管工作原理
三极管的工作状态共有四种,放大、截止、饱和、倒置。对应的结电压如下:
工作在放大状态的三极管:
正偏&反偏释义:
以NPN为例,N代表负极,P代表正极,对应的三个管脚为集电极、基级、发射级。当集电极N电压高于基级P电压时,此时由基级和集电极构成的PN结是反向的,此时叫做集电极反偏;当基级P电压高于发射级N电压时,基级和发射级构成的PN结是正向的,此时叫做发射极正偏;当发射极正偏,集电极反偏时,三极管工作在电流放大状态。
正偏反偏,都是针对PN结的电压相对大小的释义的,Vp>Vn 某个结正偏,Vp<vn某个结反偏。
三极管电流放大条件:
放大关系如下:
三激光放大功能的总结:
工作在截止状态的三极管:
工作在饱和状态的三极管:
工作在倒置状态的三极管:
4、三极管的状态判断
以电压判断三极管放大状态:
判断截止状态:
判断饱和状态:
三极管使用过程中应该避免倒置状态;
以电流判断三极管放大状态:
5、三极管的三种组态以及主要电器参数
三极管主要电气参数:
特别说明:在数字电路中做开关用,三极管不停的在饱和区和截止区切换,模拟电路中对变化的电流或电压进行放大,工作在放大状态,倒置应该设计避免出现。
二、MOS管
有了三极管的基础,再介绍MOS管可谓是信手拈来。
场效应晶体三极管简称场效应管,简称FET,分为两类一类是结型场效应管(JFET)。另一类是绝缘栅型场效应管(IGFET)。
场效应晶体三极管,请深刻理解“场效应”三个字,比较直白的理解是电场,即电压,三极管是用过改变电流来来控制电流而场效应管是通过改变电压来实现电流控制的半导体器件。
与三极管一样,具有体积小、重量轻、寿命长的特点外,还具有输入阻抗高,噪声低、温度稳定性好,抗辐射能力强,工艺简单等优点,所以价格整体略贵于三极管。
在专业一点来说明场效应管和三极管的区别:三极管是通过基级或者发射极电流实现对集电极电流的控制,参与导电的有两种载流子即:多数载流子和少数载流子,所以就做电流控制型器件,或者叫双极型器件。
而场效应管是电场效应控制漏极电流的,所以输入端只需要电压,且参与导电的只有一种载流子即多数载流子,因此场效应管也叫电压控制性器件或者单极性器件。
如上无论是大白话还是专业讲解都很明朗了。
1、结型场效应管
A:结构简介
三个电极,源极和漏极形成勾道,栅极控制勾道的导通。
B:工作原理
C:特性曲线
2、绝缘栅型场效应管
3、场效应管分类
4、场效应管主要参数
结型场效应管栅极和源级间电阻虽然可以到10^7以上,但是某些场合还是不够的;高温下PN结的反向电流增大,栅极源级间的电阻会显著下降;栅极源级间的PN结加正向电压时,将出现较大的栅极电流。但是绝缘栅型场效应管可以很好的解决这个问题;
讲完理论,那么该实践了,毕竟读万卷书不如行万里路。
先介绍MOS管的应用,电路图中符号:
MOS管在数字电路中信号通断(电平切换):
MOS用于电压通断控制:
电路示例:
MOS管还用于隔离作用:
三、三极管和MOS管的区别
●从性质上分析:三极管用电流控制,MOS管属于电压控制。
●从成本上分析:三极管价格较低,MOS管贵。
●从功耗上分析:三极管损耗大。
●从驱动能力上分析:MOS管常用于电源开关以及大电流地方开关电路。
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