SD NAND的TBW写入放大系数与什么有关及其对SD NAND存储寿命有什么影响？
TBW写入放大系数是和FLASH的类型、写入数据的大小有关系。
SD NAND的容量目前都是以NAND FLASH晶圆的容量决定，以SLC为例先简单做个介绍。
SLC（Single-Level Cell）NAND闪存是一种类型的NAND闪存，其中每个单元（cell）存储1位（bit）的数据。相对于多层单元（MLC）和三层单元（TLC）NAND，SLC NAND通常提供更好的耐用性和性能，因为每个单元只存储1位，所以每个单元的写入次数可以更多。
在SLC NAND闪存中，确实存在最小的写入单位，这通常是页（Page）级别的。页是NAND闪存中数据管理和编程的基本单位。每个页包含多个存储单元，但具体数量取决于NAND的具体设计。在SLC NAND中，每个页通常包含大约256个单元（因为每个单元存储1位，所以256个单元对应256位，即32字节）。
至于块（Block），这是NAND闪存中另一个重要的概念。块是由多个页组成的更大单元，通常是8KB、16KB或其他大小。在SLC NAND中，每个块通常包含多个页，但每个块可以存储整数个用户数据块，用户数据块的大小通常是块大小的倍数。
为了最大化利用NAND闪存的空间，确实应该尽量以块大小为单位或者块大小的倍数来写入数据。这样可以避免在块内留下未使用的空间，从而提高存储效率。如果写入的数据大小不是块大小的倍数，那么剩下的空间可能会浪费掉，或者需要在以后的写入操作中填充。
如上所言，块是由多个页组成的单元，其大小和生产厂家或内部控制厂家的设定有关系。如目前市面上的SD NAND，有的厂家SLC类型的一个PAGE的大小是4KB，所以每次写入时最好以4KB的倍数。这样才能最大程度的减少浪费。SLC的晶圆一般都支持50000-100000次的，所以SLC比较适合于高强度、恶劣工作的环境。
TBW决定着存储器使用寿命，SD NAND的TBW的计算方式可参考：
容量*存储器擦写次数/写入放大系数=实际使用（容量）寿命，写入放大系数这个值是很关键的，值越小越好。如何才能让写入放大系数变小呢。
1.写入时最好参考厂家写入BLOCK和PAGE的最小单位。
2.产品内部控制器要有磨损平均的功能，这样不至于内部过早产生大量的坏块。
3.选用擦写次数比较多的存储器。
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