能华半导体重磅发布1200V氮化镓(GaN)产品，为客户提供更高效、更可靠、更具成本效益的解决方案
在2024年3月22日于上海举办的SEMICON功率及化合物半导体国际论坛和同期举行的深圳2024世界氮化镓大会上，能华半导体隆重发布了公司最新研发的1200V功率氮化镓 (GaN) 产品。
这一突破性的成果凝聚了能华半导体多年来在GaN技术领域的潜心钻研和不懈创新。1200V功率氮化镓产品的问世，将为功率电子行业带来革命性的变革，为客户提供更高效、更可靠、更具成本效益的解决方案。
能华半导体应用副总裁章涛在论坛中提到：GaN功率器件曾经被广泛认为适用于中高压（650V-900V）领域，在1200V及以上的应用中仍存在一定难度，主要的挑战在于高电压下的耐压和可靠性。能华半导体凭借多年的GaN功率器件技术积累，通过对外延材料和工艺制程的精心优化，采用蓝宝石衬底及特殊的缓冲层结构，并结合关键的工艺制程，成功研发出了能够应对1200V电压的耗尽型GaN功率器件。
器件介绍
随着电动汽车的普及，整车电气系统的升级和优化已成为行业焦点。为实现更快速充电和更高效能量转换，越来越多的新能源厂商选择采用高达800V的动力电池。这一趋势推动了汽车充电设备和电动驱动系统对更高电压等级的功率器件的迫切需求，其中1200V器件成为必不可少的组成部分。目前，典型应用中使用的是IGBT和SiC MOSFET，然而，随着人们对电动汽车快速高效充电和续航里程的迫切需求，具有更低开关损耗的GaN材料逐渐成为备受期待的选择。
GaN功率器件曾经被广泛认为适用于中高压（650V-900V）领域，在1200V及以上的应用中仍存在一定难度，主要的挑战在于高电压下的耐压和可靠性。能华半导体凭借多年的GaN功率器件技术积累，通过对外延材料和工艺制程的精心优化，采用蓝宝石衬底及特殊的缓冲层结构，并结合关键的工艺制程，成功研发出了能够应对1200V电压的耗尽型GaN功率器件。图1展示了这一器件的示意结构，为这一技术突破提供了直观的呈现。
图1 1200V 耗尽型GaN器件结构示意图
器件测试
对器件的静态参数做了测试图2可以看到器件的输出曲线良好，在栅压0V，电流为5A的条件下，器件的内阻在181毫欧。从器件的耐压曲线上看，在2000V的高压下，器件的漏电流仍然非常小（<1μA），完全满足1200V的耐压要求。
图2 输出曲线和耐压曲线
对车规级应用来说，器件的可靠性要求更高，因此需要更严苛的测试条件。对高温下器件的动态特性进行测试，并对比常规的Si基GaN功率器件（图3）。能华半导体研发的1200V 器件，在温度高达225°C时，电阻增加量仍然能控制在20%以内，显示了良好的动态特性。
图3 蓝宝石基GaN器件相对于Si基GaN器件的动态电阻
在老化测试方面，能华半导体的1200V器件也表现出了良好的可靠性，通过了1000小时的高温反偏应力测试（HTRB），以及1000小时高温栅极应力测试（HTGB），分别如图4、图5所示。
图4 通过1000小时HTRB测试
图5 通过1000小时HTGB测试
器件规格书
1200V耗尽型GaN器件与低压Si MOS级联后形成Cascode结构的GaN功率器件。能华半导体目前推出了两种1200V Cascode GaN功率器件规格（图6），主要面对新能源、汽车以及一些工业类等应用场景，在这些应用中，目前广泛使用的1200V器件主要是高压Si MOSFET、SiC MOSFET以及IGBT。通过引入Cascode GaN器件，能华半导体期望为这些领域提供更加高效、可靠的功率解决方案。
图6 1200V Cascode GaN器件规格书
1200V功率器件不仅可以在电动汽车的OBC和电驱系统中发挥关键作用，还可以在充电桩和新能源发电应用中发挥重要作用。以充电桩为例，一般情况下其输入电压为380V三相交流，经过三相PFC后母线电压高达800V。为了应对这种较高的电压应力，需要使用更高电压等级的功率器件，如1200V级别的器件。这些器件能够承受更高的电压并提供更稳定可靠的性能，从而保证充电桩的高效运行和快速充电。
在新能源发电应用中，1200V功率器件同样扮演着关键角色。随着可再生能源的快速发展，如太阳能和风能等，需要将这些能源有效地转换为电能并接入电网。在这一过程中，1200V甚至1700V的功率器件可以帮助实现高效的能量转换和稳定的电力输出。通过采用高电压等级的器件，可以提高系统的效率和可靠性，同时带来更好的功率密度和性能表现，为新能源发电系统的可持续发展提供支持。
能华半导体1200V Cascode GaN器件与MOSFET(Si / SiC)以及IGBT相比在性能方面更具有优势，器件具有更低的导通损耗和开关损耗，能够提升应用系统的能源转换效率；并且GaN器件非常适合高频下工作，开关频率可以达到上限1MHz，可以减小应用系统的体积，提升功率密度。
总体来说，能华半导体推出的1200V 功率器件，具有低成本、高可靠性、出色的耐压性能以及动态特性稳定等特点，在工业级应用及车规级应用方面，具有很大的应用潜力; 此外，基于能华半导体目前的技术平台，1700V的GaN功率器件也在积极研发当中。
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纳芯微公司介绍
型号- NCA8244-DTSTR,NCA8245-DSWTR,NSI6602,NCA1051,NSI1312,NCA9617,NSI8308X,NCA8244,NSM2017,NSI6611X,NSM2018,NSM2019,NSM2013,NIRS485,NSI6801X,NCA8T245-DTSXR,NSM2015,NSM2016,NSD1624-Q1,NSI6601B,NSM2011,NSI6601C,NSM2012,NSI6651X,NSI6631ASC-DWSR,NSI36XX,NSI6601MB,NSI6801L,NSI6601MC,NSI1306,NSI824X,NSI812X,NSI8308XE,NCA1042,NSI6801T,NSI6801,NSI1305,NCA1043,NSI6622X,NSR35XXX Q1,NSM201X,NSE11409,NSM2020,NSL2163X,NSD8306,NCA8244-Q1TSTR,NSD8308,NCA3491,NSD1025X,NSI8308A,NSI86XX,NSI6651ASC-DWSR,NSI68010,NSI68011,NSI1303X,NSI6851X,NSI66X1X-Q1,NSM2035,NSM2031,NSM2032,NSI6801C,NSM2033,NSIP8308X,NCA8245-DTSTR,NSD1624,NSR31XXX Q1,NSI6801B,NCA8245L-DTSTR,NSI6811,NSD731X,NSIP88XX,NSI1400,NSI6931,NSI82XXC,NSD11416,NSI826X,NCA3485,NCA8541-DTSTR,NSD56008,NSI82XX,NCA8244L-DSWTR,NSM2041,NSI6651ALC-DWSR,NSL2161X,NSI319X,NCA9539,NSI6601X-Q1,NSI6611ASC-DWSR,NSR33XXX Q1,NSI821X,NIRSP31,NSG65N15A,NSD5604,NSD122X,NSI66X1X,NSI6911,NCA9646,NSIP89XX,NCA9645,NCA9648,NCA8244-DSWTR,NSD12409,NCA8245L-DSWTR,NSD2621,NSIP87XX,NSD1015,NSI810X,NSI6601MX,NCA8T245-Q1DTSXR,NCA1042A,NSI823X,NSI6601XM,NSI1311X,NSI6602V,NSD3608,NSI6602HC,NSI6601X,NSI6602HB,NSIP1042,TL432,TL431,NSM2111,NCA84245-DTSXR,NSD1025,NCA82DS44-Q1TSTR,NIRS31,NCA8244L-DTSTR,NSI1200,NSI1042,NSI6611,NCA9306,NCA1145,NSI6602HA,NSI822X,NSI1300X,NCA1021,NCA8244-Q1SWTR,NSI6601WC,NSD262X,NSI6602B,NSI6602C,NSI6602E,NSI1050,NSIP8XX,NSI6602A
Application Brochure for INDUSTRIAL
型号- BD52W04G-C,SH8KXX SERIES,BD900N1W,QH8KXX SERIES,BM2SCQ123T-LBZ,R6007RND3,BD900N1G-C,BD2311NVX-C,RBR2VWM60A,BD9XXN1 SERIES,BD933N1,RFS SERIES,RBR1VWM40A,BM2SC12XFP2-LBZ,CSL1901,BP3622,BD14210G-LA,BP3621,SCT4013DW7,BM2P06XMF-LBZ,R6035VNX3,RB068VWM150,R60XXRNX SERIES,CSL1901DW,BD950N1WG-C,BM2P060LF-Z,BM2LE160FJ-C,BV1LE080EFJ-C,BM2SC123FP2-LBZ,SH8MC5,SCT4018KW7,RB168VWM-40,RFL SERIES,SCT4018KE,BD52W03G-C,SCT4026DE,BM2SCQ121T-LBZ,LTR10 SERIES,RB168VWM-60,BD48W00G-C,RBR1VWM30A,SH8MB5,SCT4018KR,SCT4026DR,R6035VNX,BM2P061MF-Z,BM6437X,CSL1901UW,BM64378S-VA,BD900N1EFJ-C,D950N1EFJ-C,SCT4013DE,BM2P063MF-Z,R6024VNX3,SCT4013DR,BD7XXL05G-C,R60XXVNX SERIES,BD950N1,RB068VWM100,RFL,SH8KXX,CSL1901VW,RFS,BD14215FVJ-LA,BM6437X SERIES,PSR,RB168VWM-30,SCT4036KW7,R6004RND3,BM2LE040FJ-C,RF05VAM2S,BD750L05G-C,BM2SC122FP2-LBZ,BD933N1G-C,BD900N1,BM2P061LF-Z,BD52W02G-C,BM64377S-VA,BD933N1EFJ-C,QH8MB5,REFLD002,R60XXRNX,RBLQ2VWM10,PSR500,SCT4026DW7,BV1LE040EFJ-C,RFS30TZ6S,BD900N1WG-C,CSL1901 SERIES,QH8MC5,CSL1901YW,BV1LEXXXEFJ-C,RFL60TZ6S,R6013VND3,PSR SERIES,R6009RND3,R6077VNZ,BM2SCQ122T-LBZ,RFL60TS6D,S WAVE B-01,PSR400,BD933N1WG-C,BD52W01G-C,RB068VWM-60,R WAVE B-01,REFPDT007-EVK-001B,REFPDT007-EVK-001A,REFPDT007-EVK-001C,RFS30TS6D,LTR10,BD950N1WEFJ-C,BM2SC124FP2-LBZ,QH8MX5 SERIES,QH8KB5,R6013VNX,QH8KB6,RBR2VWM30A,BM2LE250FJ-C,BD2311NVX-LB,RGWXX65C SERIES,RGW00TS65CHR,SH8MX5 SERIES,SCT4045DW7,BV1LE250EFJ-C,SCT4036KE,QH8MX5,SCT4045DE,R6024VNX,BM2SCQ124T-LBZ,R6055VNX,R6018VNX,R6055VNZ,SCT4045DR,RGW80TS65CHR,QH8KC6,CSL1901MW,QH8KC5,R60A4VNZ4,RB168VWM150,BD7XXL05G-C SERIES,BD52W06G-C,SCT4062KR,BD48HW0G-C,RBR2VWM40A,BD1421X-LA SERIES,BD9XXN1,R6077VNZ4,BM1390GLV-Z,RGWXX65C,RBR1VWM60A,REFLD002-1,QH8KXX,REFLD002-2,R6055VNX3,BD52W05G-C,BM2P06XMF-LBZ SERIES,SCT4036KR,RFL30TS6D,BD900N1WEFJ-C,BM2LEXXXFJ-C,RFS60TS6D,BD733L05G-C,BD933N1WEFJ-C,SCT4062KE,BM2SC12XFP2-LBZ SERIES,BM64374S-VA,GNE1040TB,BD950N1W,BD725L05G-C,BD933N1W,BD730L05G-C,BM2SC121FP2-LBZ,PSR350,SH8KC6,BM64375S-VA,SH8KC7,BM2LE080FJ-C,SH8MX5,SCT4062KW7,R60XXVNX,PSR100,BV1LEXXXEFJ-C SERIES,RB168VWM100,BD950N1G-C,RGW60TS65CHR,R6055VNZ4,BM2P060MF-Z,RLD90QZWJ,RFS60TZ6S,RLD90QZWD,RLD90QZWC,SH8KB7,RLD90QZWB,SH8KB6,RB068VWM-40,RLD90QZWA,RB068VWM-30,BV1LE160EFJ-C,RLD90QZW8,RFL30TZ6S,BM2LEXXXFJ-C SERIES,RLD90QZW5,BD1421X-LA,PSR330,RLD90QZW3
研讨会2024功率器件新技术研讨会
描述- 11月21日在线直播，带来低导通电阻的功率MOS、集成驱动的GaN IC、IGBT新技术、用于电机驱动/BMS/移动储能的SGT MOS、高压车规SiC功率MOS、国产车规IGBT模块等功率器件新产品新技术，点击了解报名
议题- 降低20%导通电阻的功率MOS | 集成驱动的GaN IC | 沟槽栅场截止型IGBT新技术 | 适用于电机驱动/BMS/移动储能等应用SGT MOSFET | 1700V SiC功率MOS | 国产50A IPM模块 | 高可靠国产车规IGBT模块 | ROHM——专注功率，电源和模拟技术的全球知名半导体厂商 | EPC——基于氮化镓（GaN）功率管理器件的领先供应商 | 致力于功率器件和智能传感器技术的专业半导体厂商——瑶芯微（ALKAIDSEMI） | 中国半导体功率器件十强企业：扬杰科技（YANGJIE） | 致力于成为双碳时代功率半导体中国领跑者——阿基米德半导体（Archimedes） | 中国领先的碳化硅（SiC）半导体和芯片解决方案提供商——瞻芯电子（InventChip） | 专业从事电源管理、电机驱动、微控制器、传感器的集成电路和系统方案的设计与开发——华润微电子（CRM ICBG ） | Kyocera（京瓷）——全球领先的材料与电子元件制造商 | Shindengen（新电元）——“桥王”，整流桥全球份额占比约40% | 中国半导体功率器件十强的主板上市企业——新洁能（NCEPOWER） | 国内首家抗负压能力可达-40V/600ns的电机驱动（HVIC）制造商——数明半导体 | 国内领先的半导体分立器件整合制造商 (IDM) —— 捷捷微电(JieJie Microelectronics） | 国产一站式电路保护解决方案专家——硕凯（SOCAY） |
活动 发布时间 : 2024-10-12
功率器件主题原厂报名
11月21日新技术研讨会，功率MOS、IGBT模块、GaN、SiC等新产品推广，邀请数字储能、工业/通信电源、汽车等热门行业头部企业研发工程师参会，发掘新的项目机会。
服务提供商 - SEKORM 进入
能华半导体授权世强硬创代理氮化镓外延片及器件，器件阈值电压提高约60%
能华半导体E-mode GaN产品采用增强型氮化镓（GaN）技术，较常规产品来说，其阈值电压（VTH）提高约60%。
签约新闻 发布时间 : 2024-06-21
河南省工信厅组织省半导体行业重点企业代表团到东海半导体参观交流，共同探讨半导体行业功率器件产品经验
2024年9月3日上午9时许，河南省工业和信息化厅组织省半导体行业重点企业代表团到江苏东海半导体股份有限公司参观交流。WXDH ELECTRONICS东海半导体是国内一流的功率器件产品供应商，专注于先进功率器件的研发设计、封装制造和应用研究，为客户提供IGBT单管/模块、中低压MOS、高压MOS、FRD、SiC Diode/MOS/模块、GaN、IPM等全面功率器件产品解决方案。
产品 发布时间 : 2024-09-15
CorEnergy（能华半导体）外延片和功率器件选型指南
描述- 作为行业领先的以氮化镓功率器件为主的IDM公司，目前公司的产品线涵盖氮化镓外延片、氮化镓功率场效应管、氮化镓集成功率器件以及氮化镓芯片代工等。As a leading IDM company in the industry mainly focused on GaN power devices, the company's product portfolio currently covers GaN epitaxial wafers, GaN power field-effect transistors, GaN integrated circuits, and customer-specified GaN foundry services.
型号- CE65H900TOBI,CE65E160DNHI,CE65H270DNFI,CE65H600TOGI,CE65H160DNFI,CE65H600TOEI,CE65H160TOAIF,CE65E300DNYI,CE65H070TODI,CE65H160DNHI,CE65H270DNHI,CE65D150DNBI,CE65H270TOBI,CE65H270TOHI,CE65H270DNGI,CE65H900TOEI,CE12E075DNHI,CE65H110DNDI,CE65H160DNGI,CE12H160DNFI,CE65H600TOHI,CE65H160TOFIF,CE65H070TOCI,CE65H600TOBI,CE65E160DNYI,CE65H900TOGI,CE65H270TOGI,CE65H110TOFI,CE90E075DNHI,CE65H270TOEI
WAYON Company Profile
型号- WMK043N10HGS,WMM80R1K0S,WMB190DN10LG2,WMO08N70EM,WMN26N65C4,WMK071N15HG2,WML25N50C4,WMO15N65F2,WMJ53N60F2,WMLL017N10HGS,WMJ30N80M3,WML26N65SR,WML10N70EM,WMB81N03T1,WMN10N65C4,WMO6N80D1,WMX10N80D1,WMJ13N80M3,WMN90R830S,WMM26N60C4,WMM12N80M3,WMM13N65EM,WMP08N95C2,WMQ50P03T1,WML10N70C4,WMJ12N105C2,WMM90R360S,WMK36N65F2,WM02DN560Q,WMX115N15HG2,WMK05N70MM,WMM3N150D1,WMO15N65C4,WMB076N06LG2,WMN18N50C4,WMP08N60C4,WMR050N03LG4,WMJ40N50D1,WMM6N90D1,EM 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胜金微电子（SMST）时钟芯片/漏电保护器/数字隔离器/功率器件选型指南
描述- 杭州胜金微电子是一家专业从事高端集成电路芯片研发、销售、应用及服务的高新技术企业。公司拥有芯片研发及应用人员100+，并拥有集成电路相关专利近100项。公司围绕安全环保、绿色节能的开发理念布局了高端时钟、数字隔离器、电源管理、GaN功率器件等，主要应用于新能源、5G通讯、工业控制等领域。可为客户提供定制化产品和解决方案。
型号- SMST5381＿X,SMST5341＿X系列,SMST5351B,SMST539X,SMST5351A,SMST5351C,SMST5341＿X,SMST624X,SMST5330X系列,SMST532XX,SMST52112,SMST650D350,SMST530＿X,SMST52112＿X系列,SMST510＿X系列,SMST695X,SMST784X,SMST54133,SMST683X,SMST710X,SMST754X,SMST621X,SMST69XX,SMST54123L,SMST697X,SMST786X,SMST63XX,SMST714X,SMST65XX,SMST52112＿X,SMST30C,SMST650D200,SMST530＿X系列,SMST54123,SMST650D240,SMST120C,SMST100C,SMST54123F,SMST758XX,SMST54X,SMST532XX系列,SMST696X,SMST684X,SMST650D600,SMST781X,SMST54123A,SMST650D800,SMST5147B,SMST622X,SMST755X,SMST610X,SMST654X,SMST5145,SMST626X,SMST715X,SMST5146,SMST614X,SMST658XX,SMST5147,SMST650D140,SMST510＿X,SMST650DXX,SMST5381＿X系列,SMST782X,SMST623X,SMST534X,SMST68XX,SMST655X,SMST538X,SMST64XX,SMST615X,SMST5159,SMST5152,SMST150C,SMS5901,SMST5154,SMST5330X,SMST60C,SMST650D190,SMST650D500,SMST650D100,SMST662X,SMST56X,SMST650D2K2,SMST682X
电子商城
服务
满足150W内适配器、PD快充、氮化镓快充等主流产品测试需要；并可查看被测开关电源支持协议，诱导多种充电协议输出，结合电子负载和示波器进行高精度测试。测试浪涌电流最大40A。支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
实验室地址： 深圳 提交需求>
提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务，使用直流电源分析仪测量精度达50µV，8nA，波形发生器带宽100kHz，输出功率300W，示波器200kHz，512 kpts
实验室地址： 深圳/苏州 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
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