【元件】 SMC碳化硅肖特基二极管,低损耗、耐高温,一个更理想的开关选择
SMC始终致力于根据客户需求设计和生产半导体产品。我们打造的碳化硅肖特基二极管功率器件,包括S6D10065A、S4D40120F、S4D80120S2等型号,为通讯设备、工业应用、光伏、风能、汽车、家电、医疗等多个尖端领域提供源源不断的创新动力。
一、S6D10065A SIC肖特基二极管
S6D10065A是一款650V、10A的碳化硅肖特基二极管功率器件,是我司最新研发的新一代低VF器件,室温下VF仅为1.35V,具有极低的总导通损耗,在极端温度下能够保持稳定的开关特性。S6D10065A器件非常适合在特殊作业环境中进行能量敏感型高频应用。
S6D10065A封装形式
特点概述:
●可于175°C Tj条件下运行
●超低开关损耗
●开关速度与工作温度无关
●总导通损耗低
●高正向浪涌电流容量
●高封装隔离电压
●端子表面处理:100%纯锡
●本品为无铅器件
●可根据要求提供额外的电气和寿命测试
●所有SMC产品均可追溯至晶圆批次
S6D10065A额定值
典型应用案例:
●替代性能源逆变器
●功率因数校正 (PFC)
●自由电力隔通二极管
●开关电源输出整流
●反向极性保护
二、S4D40120F SIC肖特基二极管
S4D40120F是一款1200V、40A的碳化硅肖特基二极管功率器件,具有极低的总导通损耗,在极端温度下能够保持稳定的开关特性。S4D40120F器件非常适合在特殊作业环境中进行能量敏感型高频应用。
S4D40120F封装形式
特点概述:
●可于175°C Tj条件下运行
●超低开关损耗
●开关速度与工作温度无关
●总导通损耗低
●高正向浪涌电流容量
●高封装隔离电压
●端子表面处理:100%纯锡
●本品为无铅器件
●本品通过AEC-Q101认证
●可根据要求提供额外的电气和寿命测试
●所有SMC产品均可追溯至晶圆批次
S4D40120F额定值
典型应用案例:
●替代性能源逆变器
●功率因数校正 (PFC)
●自由电力隔通二极管
●开关电源输出整流
●反向极性保护
三、S4D80120S2 SIC肖特基二极管
S4D80120S2是一款碳化硅肖特基二极管功率器件,采用SOT-277封装形式。该产品具有极低的总导通损耗,在极端温度下能够保持稳定的开关特性。S4D80120S2器件同样相当适合在特殊作业环境中进行能量敏感型高频应用。
S4D80120S2封装形式
特点概述:
●可于175°C Tj条件下运行
●超低开关损耗
●开关速度与工作温度无关
●总导通损耗低
●高正向浪涌电流容量
●高封装隔离电压
●端子表面处理:100%纯锡
●本品为无铅器件
●可根据要求提供额外的电气和寿命测试
●所有SMC产品均可追溯至晶圆批次
S4D80120S2额定值
典型应用案例:
●替代性能源逆变器
●功率因数校正 (PFC)
●自由电力隔通二极管
●开关电源输出整流
●反向极性保护
SMC产品应用于通讯、工业应用、光伏、风能、汽车、家电、医疗等尖端领域。我们始终严格遵守各个行业的可靠性和质量要求,并以卓越的产品质量与稳定的供应能力赢得客户的广泛认可。
除上述产品外,我们的产品线还包含碳化硅MOSFET、快恢复和超快恢复二极管、肖特基二极管、TVS阵列、功率模块等等。我们定期优化产品线,提供全面、先进的半导体解决方案。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由出山转载自SMC 微信公众号,原文标题为:SMC产品 | 碳化硅肖特基二极管,低损耗、耐高温,一个更理想的开关选择,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
相关推荐
时科碳化硅肖特基二极管Q-SSC20120-T,光伏逆变器、开关电源和新能源汽车充电桩的最佳选择
在电子设备的设计和应用中,选择合适的碳化硅肖特基二极管是确保电路性能和可靠性的关键步骤。时科的碳化硅肖特基二极管又有什么优势呢?本文中时科小编将详细介绍Q-SSC20120-T碳化硅肖特基二极管及其性能优势,帮助工程师朋友更好地了解这款产品的卓越之处。
产品 发布时间 : 2024-07-12
【产品】EASII IC推出10A、1200V SiC肖特基二极管XTR1K1210,结温可达+250℃,采用通孔封装
XTR1K1210是EASII IC推出的10A、1200V 4H-SiC肖特基二极管,能够在-60℃至+230℃范围内可靠工作,结温可达+250℃。该二极管的反向恢复电荷为零,非常适合具有最低或无冷却要求的高频和高效率电源系统。
产品 发布时间 : 2022-11-29
【产品】中电国基南方推出碳化硅肖特基二极管WS3A004065F,工作结温达175°C
中电国基南方(CETC)研发的高压大功率SiC电力电子器件关键技术被评为“第十三届中国半导体创新产品和技术”。中电国基南方公司推出碳化硅肖特基二极管WS3A004065F,TO-220FM封装,满足RoHS要求,用于风力,光伏发电等绿色能源。
产品 发布时间 : 2022-03-26
HI-SEMICON(深鸿盛)MOSFET/SiC肖特基二极管/SiC MOSFET选型指南
目录- 公司简介 MOSFET Product Introduction VDMOS 超结MOSFET 中低压MOSFET 碳化硅肖特基二极管 碳化硅MOS MOSFET/SiC肖特基二极管封装
型号- SCF60R190C,SFD3006T,SFD6003T,SGP104R5T,SFS0406T4,SFM6005DT,SFD7N70,SFW90N25,SFQ0320T4,SFD18N20,SFM4009T,SFE6001T2,SFM6004T5,SFK2N50,SFF60N06,SFN4006T5,SFM0420T4,SFP10003PT,SFF18N20,SCF65R190TF,SFD2N50,SFM4004PT,SFS6003PT,SFP33N10,SFS4010T,SGS6001T4,SGP6008T,SFS3401,SFQ0318T4,SC3D40120D,SFS3400,SFK1N65,SCD65R960C,SFS4010T2,SFF5N80,SFS0407T4,SFS3407,SFD6005T,SFD10003PT,SFD7N50,SFM6005ST,SFF18N50,SFP40P10,SGS15HR430T,SFA10015T,SFP50N06,SCF65R640C,SFD3003T,SFQ0322T4,SFF12N65,SFD6006T,SGD105R5T,SFP11P20,SFD6N70,SFS6007T,SGM10HR14T,SCF65R380C6,SFS3400.A,SFS3001T2,SCD70R600C,SFQ0420T4,SCF60R580C,SGXXXXXPT,SGM062R3T,SFS4525T,SFD3004T5,SFS3401A,SGM066R5T,SFN3009T,SGM031R7T,SFB11N90,SCD70R900C,SFU3006T,SFP9N20,SFA110P06,SFR0305T2,SFF50N06,SFD6007T,SCD80R500S,SC3D08065G,SCF65R380C,SFD4006T,SC3D08065I,SFN0315T4,SFN3003PT,SFA6005T,SFS4008T2,SFS2300,SGP157R5T,SFS2301,SFM10015T,SFH8402DW,SC3D04065E,SCU70R900C,SCF60R280C,SFS2304,SFS2303,SFF13N50,SFS2305,SC3D04065I,SFF7N50,SCF65R540T,SFD50N06,SFP20007,SFU18N20,SGP104R0T,SCD65R1K2C,SFN0330T2,SFD6008T,SGM107R7T,SC3D04065A,SFM4010T,SFF20N50,SC3D20065D,SFP40N20,SFS0307T4,SFD3012T,SFF7N65,SCD60R580C,SFU5N20,SC3D10065A,SGM105R0T,SCF65R310C,SCF60R360C6,SFS0405T4,SC3D10065G,SC3D10065I,SFP6P10,SFM4005DT,SC3K080120,SCK65R1K15C,SFW50N25,SFU4N65,SFN0413T4,SFD5N65,SFP30P10,SFM10003PT,SC3D08065A,SFP18P10,SFD4N90,SFF7N70,SCF60R125C,SFXXXXXPTX,SFD4006PT,SFD4003T,SCF70R600C,SFF6005T,SFS0306T4,SCF80R950C,SGA104R0T,SFD3010T,SFE3007T,SFD5N50,SFP3006T,SFP3018T,SFP18N20,SGP103R0T,SCW65R075CF,SCF65R170C,SFS6012T2,SGD6008T,SGM041R8T,SFD4001PT4,SFD4001PT5,SFF8N65,SFN3006PT,SC3K040120,SGM6008T,SFD4N70,SCW60R030CF,SFB50N25,SCW65R041CF,SFP6005T,SFS2013PT,SCF70R420C,SCW65R090C,SGM031R1T,SCD70R420C,SC3K075120,SFD33N10,SCW65R099TF,SFP5P03,SCF60R160C,SFR0206T2,SFD4N65,SC3D15120H,SFS2N7002,SFF33N10,SCF70R360C6,SFD2008T,SFN3003T,SFS2302B,SGM109R5T,SFM6008T,SFD3006PT,SFD6003PT,SGA104R5T,SFF20N65,SFK4N65,SFB90N25,SFD5N20,SFR0205PT2,SGM030R7T,SFF8N80,SC3D30065D,SFN3002T,SFU9N20,SFD7N65E,SFD9N65,SFD4004PT,SFF20N70,SGM042R4T,SFP6007T,SFS3401B,SFS4435,SFU6003T,SGU6008T,SFM0430T2,SFF10N70,SCF60R360C,SFD2006T,SC3D06065E,SC3D06065G,SFP75P55,SC3D10120H,SFF3N80,SC3D06065A,SCD70R600C6,SCD65R380C,SFD14N25,SC3K015120,SFSAP4580,SFS6010T2,SCD65R540T,SGP105R5T,SFF4N65,SFF10N65,SC3D30120H,SFM0320T4,SC3D30120D,SC3D16065A,SC3D16065D,SC3D16065G,SFP27P20,SC3K050120,SFU6005T,SFW10P04,SFD3N50,SFF4N70,SFM10008T,SFF9N90,SCXXXXXXXXFX,SFD2003T,SFN0318T2,SFD3009T,SFM3011T,SFD6005PT,SC3K032120,SFP110N55,SFF16N65,SC3D12065A,SFF10N80,SFF5N50,SC3D12065G,SGD10HR20T,SC3D12065I,SC3D20120H,SFP59N10,SFN6004T5,SXXXXXXX,SFD9N20,SCF65R240C,SC3D06065I,SCD65R640C,SFS2012PT,SGA105R5T,SFN0250T2,SFM3012T,SC3D20120D,SGM041R3T
派恩杰(PN Junction)碳化硅肖特基二极管和碳化硅MOSFET选型指南
型号- P3D06010I2,P3D06020F2,P3M06120K4,P3D06010E2,P3D06016I2,P3M171K0G7,P3M173K0T3,P3M06120K3,P3D12010T2,P3D12040K2,P3M12080K4,P3D12040K3,P3M12080K3,P3D06002T2,P3M12040K3,P3D06004T2,P3M12040K4,P3D06006T2,P3D06008T2,P3M12025K4,P3M12080G7,P3M171K0K3,P3D06020I2,P4D06010F2,P3D12005E2,P3D06002G2,P3M06060T3,P3D06004G2,P3D06006G2,P3D06008G2,P6D12002E2,P3M06060G7,P3M171K0T3,P3D12030K3,P3D06010T2,P3D12030K2,P3M06060K3,P3D12015K2,P3M06060K4,P3M173K0K3,P3D06010G2,P4D06020F2,P4D06010I2,P3D06016K3,P3D06006F2,P3D06008F2,P6D06004T2,P3D12020K3,P3M06300D8,P3M06300D5,P3D12020G2,P3D12015T2,P3M12160K4,P3D06020T2,P3D12020K2,P3M12160K3,P3D06020P3,P3D12005K2,P3M12017BD,P3D06010F2,P4D06020I2,P3D06002E2,P3D06006I2,P3D06004E2,P3D06008I2,P3D06006E2,P3D06008E2,P3D12010K2,P3M06025K4,P4D06010T2,P3D12010K3,P3M07013BD,P3D12005T2,P3M06040K4,P3M06040K3,P3M12017K4,P3D06020K2,P3D12010G2,P3M17040K3,P3D06020K3,P3M17040K4
扬杰科技SiC肖特基二极管、SiC汽车电子选型表
扬杰科技提供以下技术参数的肖特基二极管、SiC汽车电子【Silicon Carbide Power MOSFET (N-Channel Enhancement)/碳化硅功率MOSFET(N沟道增强型)】选型,总功率损耗PTOT(W):31W~638W,额定电流Blocking Voltag(V):650V~1200V;
产品型号
|
品类
|
Package
|
Blocking Voltag(V)
|
Current Rating(A)
|
Generation
|
Total Power Dissipation PTOT(W)
|
Thermal resistance RthJ-C(°C/W)
|
YJD106502DQG3
|
SiC肖特基二极管
|
TO-252
|
650
|
2
|
Gen3
|
42
|
3.62
|
选型表 - 扬杰科技 立即选型
芯众享面向光伏及储能领域推出碳化硅肖特基二极管和碳化硅MOSFET产品,电流范围10~40A可选
芯众享面向光伏及储能领域推出了碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET产品。其中碳化硅肖特基二极管已经在工商业光伏逆变器、组串式光伏逆变器、微型光伏逆变器领域广泛应用。
原厂动态 发布时间 : 2023-08-07
HI-SEMICON(深鸿盛)碳化硅肖特基二极管选型表
目录- 碳化硅肖特基二极管
型号- SC3D10065E,SC3D04065E,SC3D12065A,SC3D10065A,SC3D04065I,SC3D02065A,SC3D06065E,SC3D30065H,SC3D08065A,SC3D06065A,SC3D10065I,SC3D04065A,SC3D08065E,SC3D16065A,SC3D06065I,SC3D16065H,C3D02065I,SC3D20065D,SC3D50065H,SC3D20120D
【产品】1700V/3300V国产高压碳化硅肖特基二极管,可应用于光伏、轨道牵引等领域
国产泰科天润具有针对于高压应用领域的1700V/3300V电压等级产品。1700V碳化硅肖特基二极管产品型号齐全,也是同行中极少数可以批量供货3300V碳化硅产品的功率半导体器件厂商。泰科天润1700V产品对比同类产品VF约低8-10%,浪涌电流能力约高50-100%;文中3300V碳化硅二极管可针对特殊应用进行双面银芯片产品、高压二极管模组等特殊封装的定制服务。
新产品 发布时间 : 2020-09-09
时科Q-SSC20120-T碳化硅肖特基二极管全应用解析:光伏逆变器、开关电源和新能源汽车充电桩
碳化硅肖特基二极管(SiC Schottky Diode)在现代电子设备中扮演着重要角色,尤其在高功率、高频和高温应用中表现尤为突出。本文中小编将带你探讨时科Q-SSC20120-T碳化硅肖特基二极管在实际中的典型应用,包括光伏逆变器、开关电源和新能源汽车充电桩。
应用方案 发布时间 : 2024-07-23
碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET等碳化硅功率器件用于变频空调等白色家电,具备更高的效率、开关频率
碳化硅技术带来了更高的效率,可以减少空调散热器的尺寸和热管理的成本。同时,更高的开关频率可以降低磁性元件的成本和尺寸,实现更高的功率密度。此外,低电磁干扰特性则可以降低电磁干扰滤波器的成本并解决电磁干扰的研发成本。
应用方案 发布时间 : 2024-08-26
电子商城
现货市场
服务
可定制LAMP LED、 CHIP LED、 PLCC LED、 汽车用车规级LED、COB LED的尺寸/电压/电流等参数,电压1.5-37V,电流5-150mA,波长470-940nm。
最小起订量: 30000 提交需求>
可定制单色光灯珠、双色灯珠、全彩灯珠、发光二极管、贴片灯珠、贴片LED等产品,尺寸:0.6*0.3mm-3.2*2.7mm,波长:405-940nm,亮度:24-750mcd,电压:1.5-3.5V。
最小起订量: 3000 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论