【元件】 SMC碳化硅肖特基二极管,低损耗、耐高温,一个更理想的开关选择
SMC始终致力于根据客户需求设计和生产半导体产品。我们打造的碳化硅肖特基二极管功率器件,包括S6D10065A、S4D40120F、S4D80120S2等型号,为通讯设备、工业应用、光伏、风能、汽车、家电、医疗等多个尖端领域提供源源不断的创新动力。
一、S6D10065A SIC肖特基二极管
S6D10065A是一款650V、10A的碳化硅肖特基二极管功率器件,是我司最新研发的新一代低VF器件,室温下VF仅为1.35V,具有极低的总导通损耗,在极端温度下能够保持稳定的开关特性。S6D10065A器件非常适合在特殊作业环境中进行能量敏感型高频应用。
S6D10065A封装形式
特点概述:
●可于175°C Tj条件下运行
●超低开关损耗
●开关速度与工作温度无关
●总导通损耗低
●高正向浪涌电流容量
●高封装隔离电压
●端子表面处理:100%纯锡
●本品为无铅器件
●可根据要求提供额外的电气和寿命测试
●所有SMC产品均可追溯至晶圆批次
S6D10065A额定值
典型应用案例:
●替代性能源逆变器
●功率因数校正 (PFC)
●自由电力隔通二极管
●开关电源输出整流
●反向极性保护
二、S4D40120F SIC肖特基二极管
S4D40120F是一款1200V、40A的碳化硅肖特基二极管功率器件,具有极低的总导通损耗,在极端温度下能够保持稳定的开关特性。S4D40120F器件非常适合在特殊作业环境中进行能量敏感型高频应用。
S4D40120F封装形式
特点概述:
●可于175°C Tj条件下运行
●超低开关损耗
●开关速度与工作温度无关
●总导通损耗低
●高正向浪涌电流容量
●高封装隔离电压
●端子表面处理:100%纯锡
●本品为无铅器件
●本品通过AEC-Q101认证
●可根据要求提供额外的电气和寿命测试
●所有SMC产品均可追溯至晶圆批次
S4D40120F额定值
典型应用案例:
●替代性能源逆变器
●功率因数校正 (PFC)
●自由电力隔通二极管
●开关电源输出整流
●反向极性保护
三、S4D80120S2 SIC肖特基二极管
S4D80120S2是一款碳化硅肖特基二极管功率器件,采用SOT-277封装形式。该产品具有极低的总导通损耗,在极端温度下能够保持稳定的开关特性。S4D80120S2器件同样相当适合在特殊作业环境中进行能量敏感型高频应用。
S4D80120S2封装形式
特点概述:
●可于175°C Tj条件下运行
●超低开关损耗
●开关速度与工作温度无关
●总导通损耗低
●高正向浪涌电流容量
●高封装隔离电压
●端子表面处理:100%纯锡
●本品为无铅器件
●可根据要求提供额外的电气和寿命测试
●所有SMC产品均可追溯至晶圆批次
S4D80120S2额定值
典型应用案例:
●替代性能源逆变器
●功率因数校正 (PFC)
●自由电力隔通二极管
●开关电源输出整流
●反向极性保护
SMC产品应用于通讯、工业应用、光伏、风能、汽车、家电、医疗等尖端领域。我们始终严格遵守各个行业的可靠性和质量要求,并以卓越的产品质量与稳定的供应能力赢得客户的广泛认可。
除上述产品外,我们的产品线还包含碳化硅MOSFET、快恢复和超快恢复二极管、肖特基二极管、TVS阵列、功率模块等等。我们定期优化产品线,提供全面、先进的半导体解决方案。
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产品型号
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品类
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Package
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VRWM(V)
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IO (A)
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IFSM Max.(A)
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IR Max.@VWM (μA)
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VF Max. (V)
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CT Max. (pF)
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Part Status
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S3D03065A
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碳化硅肖特基二极管
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TO-220AC
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650
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3
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27
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1.7(1.5typical)
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Active
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选型表 - SMC 立即选型
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最小起订量: 30000 提交需求>
可定制单色光灯珠、双色灯珠、全彩灯珠、发光二极管、贴片灯珠、贴片LED等产品,尺寸:0.6*0.3mm-3.2*2.7mm,波长:405-940nm,亮度:24-750mcd,电压:1.5-3.5V。
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