60V/3.6A双N沟道MOS管SL9945，克服传统FET高漏极电阻、中等输入阻抗和较慢操作速度等缺点

时间： 2024-07-11 来源：SLKOR官网

技术问答

SLKOR萨科微SL9945是一款具有60V漏源电压和3.6A连续漏极电流的双N沟道MOS管，以其低导通电阻（89mΩ@10V,3.6A）和较低的阈值电压（1V@250μA）而著称。中压MOS管SL9945克服了传统FET存在的高漏极电阻、中等输入阻抗和较慢操作速度等缺点，为通讯设备的高效稳定运行提供了有力支持。

slkor萨科微中压MOS管SL9945产品图

slkor萨科微中压MOS管SL9945规格书

Slkor萨科微SL9945为双N沟道MOS管，双N沟道MOS管在驱动能力、稳定性、抗干扰能力以及信号输出强度等方面均优于单N沟道MOS管。双N沟道MOS管相比单N沟道MOS管在多个方面展现出明显的优势，首先是驱动能力，采用两个N沟道MOS管并联的形式使驱动能力显著增强，能够轻松驱动更大的负载。第二是稳定性，由于双N沟道设计，其热稳定性得到显著提升，能够承受更大的热量。第三是抗干扰能力，双N沟道MOS管具有较低的导通电阻，从而展现出更好的抗干扰能力。第四是信号输出强度，双N沟道场效应管具有很高的输导能力，其信号输出强度较大，可以同时驱动多种不同的负载电路设备。综上所述，这些优势令双N沟道MOS管在高性能、高稳定性要求的电子电路、通讯设备、计算机设备、医疗设备等领域得到广泛应用。

萨科微slkor中压MOS管SL9945相关参数

slkor萨科微中压MOS管在通讯设备中的应用于通讯设备中信号处理与放大、功率控制与调节、频率合成与调制等功能。以其高速开关特性和低噪声性能，可实现信号的高效处理和放大，提高通讯设备的信号质量和传输效率。通过控制中压MOS管的导通和截止状态，可实现功率的调节，确保通讯设备在各种工作条件下稳定运行。并且，中压MOS管的高频性能使其能够处理高频信号，实现频率合成和调制，提高通讯设备的频谱利用率和通信质量。

在选型萨科微中压MOS管SL9945时，我们需要考虑一系列关键电气参数，以确保所选中压MOS管能够良好地适应我们的设计要求。首先，我们需要确定是选择PMOS还是NMOS。PMOS和NMOS具有不同的工作原理和特性，因此在不同的应用场景中使用。PMOS主要用于负载和开关电路，而NMOS则广泛应用于数字和模拟电路中。

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WAYON Company Profile

型号- WMK043N10HGS,WMM80R1K0S,WMB190DN10LG2,WMO08N70EM,WMN26N65C4,WMK071N15HG2,WML25N50C4,WMO15N65F2,WMJ53N60F2,WMLL017N10HGS,WMJ30N80M3,WML26N65SR,WML10N70EM,WMB81N03T1,WMN10N65C4,WMO6N80D1,WMX10N80D1,WMJ13N80M3,WMN90R830S,WMM26N60C4,WMM12N80M3,WMM13N65EM,WMP08N95C2,WMQ50P03T1,WML10N70C4,WMJ12N105C2,WMM90R360S,WMK36N65F2,WM02DN560Q,WMX115N15HG2,WMK05N70MM,WMM3N150D1,WMO15N65C4,WMB076N06LG2,WMN18N50C4,WMP08N60C4,WMR050N03LG4,WMJ40N50D1,WMM6N90D1,EM 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