100V/60A的N沟道MOS管SL60N10Q，导通电阻低至8mΩ，助力AI电源管理技术

时间： 2024-07-12 来源：SLKOR官网

技术问答

SLKOR萨科微SL60N10Q是一款具有100V漏源电压和60A连续漏极电流的N沟道MOS管，以极低的导通电阻（8mΩ@10V,20A）和较低的阈值电压（2.4V@250μA）而著称。在AI电源管理系统中，中压MOS管SL60N10Q能够实现对电源的高效管理和控制，确保电源的稳定供应和能源的高效利用。

萨科微Slkor中压MOS管SL60N10Q产品图

萨科微Slkor中压MOS管SL60N10Q规格书

Slkor萨科微SL60N10Q极低导通电阻的特性是其鲜明的产品亮点，这种特性为电源管理系统带来了显著的提升，使得中压MOS管在AI电源管理系统中的应用变得尤为突出，有助于实现高效、稳定的电能转换和管理。首先，非常小的电阻阻值大大降低了电源在转换过程中的能量损耗，从而提高了整体电源系统的效率。其次，有助于减少电源系统的热损耗和保持电源系统的稳定运行，避免因过热而导致的性能下降或设备损坏。最后，极低导通电阻的中压MOS管优异的热稳定性和抗辐射性能使得它能够在各种恶劣环境下保持稳定的性能表现。

萨科微Slkor中压MOS管SL60N10Q相关参数

slkor萨科微中压MOS管在AI电源管理系统的应用主要体现在数据采集、数据处理和智能优化等环节。其高效稳定的性能确保了数据采集的准确性和实时性。在数据处理环节，数据处理中心利用大数据技术和机器学习算法对采集到的数据进行分析和挖掘。通过对历史数据和实时数据的比对分析，系统能够获取电力系统当前的运行状态、负荷情况等信息。其应用使得数据处理过程更加高效，提高了系统的响应速度和准确性。智能优化是AI电源管理系统的核心环节。系统根据分析得到的数据，通过建立数学模型和优化算法，实现对电力系统的智能优化。中压MOS管在智能优化过程中可以根据实际情况进行负荷调节、能源调度等操作，确保电力系统的高效运行和节能减排。同时，它的高速开关性能使得系统能够更快速地响应负荷变化，提高了系统的稳定性和可靠性。此外，该器件还具有优异的热稳定性和抗辐射性能，这使得它在复杂多变的AI电源管理环境中能够保持稳定的性能表现。在高温、高湿、高辐射等恶劣环境下，其仍能正常工作，为AI电源管理系统提供持续稳定的电源支持。

在选型slkor萨科微中压MOS管SL60N10Q时，我们需要考虑一系列关键电气参数，以确保所选中压MOS管能够良好地适应我们的设计要求。首先，我们需要确定是选择PMOS还是NMOS。PMOS和NMOS具有不同的工作原理和特性，因此在不同的应用场景中使用。PMOS主要用于负载和开关电路，而NMOS则广泛应用于数字和模拟电路中。

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WAYON Company Profile

型号- WMK043N10HGS,WMM80R1K0S,WMB190DN10LG2,WMO08N70EM,WMN26N65C4,WMK071N15HG2,WML25N50C4,WMO15N65F2,WMJ53N60F2,WMLL017N10HGS,WMJ30N80M3,WML26N65SR,WML10N70EM,WMB81N03T1,WMN10N65C4,WMO6N80D1,WMX10N80D1,WMJ13N80M3,WMN90R830S,WMM26N60C4,WMM12N80M3,WMM13N65EM,WMP08N95C2,WMQ50P03T1,WML10N70C4,WMJ12N105C2,WMM90R360S,WMK36N65F2,WM02DN560Q,WMX115N15HG2,WMK05N70MM,WMM3N150D1,WMO15N65C4,WMB076N06LG2,WMN18N50C4,WMP08N60C4,WMR050N03LG4,WMJ40N50D1,WMM6N90D1,EM 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SERIES,WML15N95C2,WMM12N100C2,WMK22N50C4,WML07N70C4,WML14N65F2,GS系列,WMK07N105C2,WMLL017N10,WMM043N12HGS,WM02N31M,WML26N70SR,WMN36N65C4,WMJ12N120D1,WMH4N80D1,WMO05N95C2,WM03N58M,WML15N60C4,WMK14N60C4,WMK18N70EM,WMM08N70C4,WMN05N100C2,WMLL020N08,WML20N50D1,WMX161N15T2,WMJ12N100C2,WMM90R1K1S,WMN80R260S,WMM06N80M3,WMM05N80M3,WMQ55P02T1,WMB31430DN,WMM05N105C2,WMM14N70SR,WMX043N10HGS,WMK26N60F2,WMO10N100C2,WMJ35N80M3,WMO14N70C4,WMK80R720S,WMP06N65EM,WMN06N90C2,WMM043N10HGS,WMP90R500S,WMO08N65EM,WMN53N65C4,WMN10N60F2,WMM53N60C4,WMP05N70MM,WMN13N50C4,WMLL015N08HGS,WMK90R360S,WMJ30N65EM,WMN06N70EM,WMP90R830S,WMK03N80M3,WMK3N150D1,WPCM75J120T2B,WMN03N80M3,WML15N60F2,WMX12N70D1,WMP26N65F2,WMN11N70SR,WML10N80M3,WMN22N50C4,WMO15N60F2,WMX198N15HG2,WML11N95C2,WMN08N60C4,WML07N100C2,WMO03N90C2,WMX4N80D1,WMJ28N65C4,WMM90R1K5S,WMK25N65EM,WML14N65C4,WML40N50C4,WMJ15N80M3,WMN05N90C2,WMJ90N65C4,WMJ80N65EM,WMM10N100C2,WML10N105C2,WMP08N70EM,WMN14N60C4,WMJ80N65F2,WML10N50C4,WMN80R850S,WML05N100C2,WMP80R850S,WMK25N50C4,WM03P91A,WMO10N70EM,WML28N60C4,WMK05N105C2,WMX16N70D1,WMM14N65SR,WML03N90C2,WML90R260S,WMN90R260S,WML20N65EM,WMLL015N08,WMO9N65D1,WML80R350S,WMK12N65D1,WMM28N65C4,WMZ14N60C4,WMX025N06HG2,WMM36N60F2,WMO14N65C4,WMM15N80M3,WMK10N60F2,WMM25N80M3,WMO10N70C4,WMO11N80M3,WMO07N70C4,WML06N70EM,WMN07N100C2,WMO08N80M3,WMN05N70MM,WML30N65EM,WMP05N105C2,WMP11N70SR,WMN10N80M3,WMJ30N70EM,WMP22N50C4,WML13N70EM,WMK90N08TS,WML16N70D1,WMM18N65EM,WML53N65F2,WMO14N65F2,WMB050N04LG2,WMN80R720S,WMM28N65F2,WMM80R160S,WMB13N65EM,WMO90R1K5S,WMN13N65EM,WMN07N80M3,WMP05N90C2,WML10N65EM,WMF06N80M3,WML10N65F2,WMO07N90C2,WMK06N80M3,WM02DN60M3,WMB014N06HG4,WMLL014N06HG4,WMB034N06LG4,WMQ40N03T1,WMF10N60C4,WMP14N70SR,WMM36N60C4,WMP06N80M3,WMX060N10HGS,WMK14N70SR,WM02P06F,WM02P06H,WMM26N60F2,WML06N90C2,WMK10N60C4,WMO100N07T1,WMN09N90C2,WMK80N06TS,WMK07N60C4,WMK05N65MM,WMN36N65F2,WMB150N03TS,WMO80R600S,WMJ20N70EM,WML05N95C2,WMP10N60F2,WMJ90N65F2,WM0XPXXXR,WMB016N06HG4,WMF05N65MM,WMB119N10LG2,WML10N65D1,WMS690N15HG2,WMP07N95C2,WML07N65C4,WMM15N65C4,WMK07N95C2,WMP15N70C4,WMK15N70C4,WMM18N50C4,WM02DN080C,WML12N105C2,W

商品及供应商介绍 - WAYON - V1.0 - 2023/8/11 PDF 英文下载

合科泰NMOS管HKTQ60N02凭借强大特性和低功耗，广泛用于电机驱动和BMS、便携式设备负载开关等

合科泰电子生产的NMOS管HKTQ60N02具有很好的电气性能，其能承受的最大漏源电压达20V，栅源电压2.5V，连续漏极电流50A，漏源导通电阻0.0075欧，最小栅极阈值电压0.5V，最大栅极阈值电压1V，耗散功率83mW。重量约0.012克，非常轻薄便捷。它作为一款低压MOS产品，具有强大特性和低功耗，适用于物联网设备、小信号驱动和通讯领域等。

技术探讨发布时间 : 2024-09-16

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客户在水表项目中设计了阀控控制单元，使用的是集成的H桥驱动方案控制，目前由于物料交期问题想要修改方案，根据客户项目情况及使用给客户推荐了国产H桥驱动芯片TMI8837，内部集成650mΩ（HS+LS典型）H桥NMOS开关，可支持1.8V~12V输入电压范围。

应用方案发布时间 : 2022-02-22

MOS管和三极管的电源开关电路，NPN与PMOS管组合并非唯一CP

NPN和PMOS组合比较常见，NPN三极管用于控制基极电流，PMOS管用于控制高电压或高功率负载。其中NPN三极管用于低电压和低功率控制信号，而PMOS管用于高电压和高功率负载。PNP和NMOS，这种组合适用于需要负电压供电的应用，其中PNP三极管用于负电压供电，而NMOS管用于控制信号。在一些特殊应用中，如负电源电路和功率逆变器中会经常使用。

技术探讨发布时间 : 2023-11-22

100V/33A的N沟道场效应管IRF540NS，具有低导通电阻和低阈值电压等特性

萨科微半导体推出的中压MOS管IRF540NS作为一款性能卓越的N沟道场效应管，漏源电压达到100V，连续漏极电流为33A，具有低导通电阻和低阈值电压等特性，使其成为通信系统中电源管理、驱动控制和能量转换的理想选择。

产品发布时间 : 2024-05-13

凌讯微MOS管LT100N03，具有散热性强、高负载电流能力等特点，有效提高系统效率

凌讯微电子生产的一款LT100N03是采用N沟道制作的MOS管，产品具有很强的电性参数的性能，其能承受的最大漏源电压30V，栅源电压±20V，连续漏极电流100A，漏源导通电阻3.4欧姆，最小栅极阈值电压1V，最大栅极阈值电压2.5V，重量约0.016克，非常轻巧。它的导通电阻非常低、开关速度快、耐电流能力强，适用于LED驱动电路、稳压电路、开关电路等。

产品发布时间 : 2024-09-09

【选型】CISSOID 晶体管/功率开关/二极管/线性稳压器/电压参考/DC-DC转换器/栅极驱动和马达驱动器/模数转换器/比较器/放大器/逻辑门/定时器/时钟发生器选型指南

目录- Company profile DISCRETE LINEAR VOLTAGE REGULATORS DC-DC CONVERTERS GATE DRIVERS AND MOTOR DRIVERS MIXED SIGNAL comparator AMPLIFIERS LOGIC devices OSCULLATOR&TIMERS

型号- CMT-OPA,CHT-PMOS300X,CHT-74021,DIODES,10-BIT ULTRA LOW POWER ADC,CMT-74021,CHT-NMOS40XX,LINEAR VOLTAG E REGULATORS,CHT-AMAZON,TIMERS,EVK-HADES®,CHT-CG50-LP,CMT-7474,ADJUSTABLE LINEAR VOLTAG E REGULATORS,CHT-NMOS4005,CHT-74132,VESUVIO®,CMT-555,AMPLIFIERS,CHT-PALLAS,EVK-THEMIS-ATLAS,CMT-RHEA,SWITC HES,HIGH-SPEED,CHT-NMOS4010,TRANSISTORS,STROMBOLI,CMT-7486,EREBUS,CHT-NEPTUNE,DC-DC CONVERTER ICS,MERCURY,EREBUS-40,CHT-CALLISTO,CHT-NILE,CHT-HYPERION,PWM CONTROLLER,CHT-SNMOS80,EREBUS®,CHT-7474,DUAL NMOS TRANSISTOR,POWER MOSFET PMOS 30V,CONVERTERS,DIODES,CHT-LDOS-XXX,CHT-FUJI,SMALL SIGNAL MOSFET TRANSISTORS,FUJI,CMT-7408,CHT-PTC8,EREBUS-50,GATE DRIVERS AND MOTOR DRIVERS: TITAN,CHT-RHEA,CMT-7400,CHT-VOLGA,CMT-7404,VENUS,CHT-7400,DC-DC CONVERTER,CHT-7486,CHT-SPMOS30,CHT-555,CHT-7404,STROMBOLI®,TRANSCEIVERS,CHT-OPA,POWER MOSFET NMOS 80V,OSCILLATOR,COMPARATORS,SATURN,LINEAR VOLTAGE REGULATORS AND VOLTAGE REFERENCES: STAR,CHT-NMOS8005,CHT-BG3M-XXX,CHT-NMOS8001,CHT-NMOS80XX,CMT-7432,CHT-ADC10,POWER SWITCHES,BRIDGE ISOLAT ED SIC GAT E DRIVER,CHT-MAGMA,DUAL SMALL SIGNAL DIODES,8-BIT PROGRAMMABLE COMPARATOR,CHT-THEMIS-ATLAS,POWER MOSFET NMOS 40V,3A DUAL DIODE,CHT-PMOS3002,CHT-7408,CHT-LDOP-XXX,CHT-NMOS8010,CMT-THEMIS-ATLAS,CHT-GANYMEDE,EARTH,CHT-PMOS3008,VESUVIO,CHT-PMOS3004,CHT-MAGMA: VERSATI LE VO LTAG E-MODE PWM CO NTROLLER,DC-DC CONVERTERS: VOLCANO,CHT-BG03M,CHT-LDNS-XXX,DUAL ISOLAT ED TRANSCEIVER,VOL1088B,CHT-MOON,CHT-CG50,CHT-NMOS4020,HIGH-PRECISION DUAL OP AMP,CHT-7432,CHT-RIGEL,YELLOWSTONE,HADES®,OSCILLATOR & TIMERS: PULSAR,CMT-74132,AMPLIFIERS: GEMSTONE,CHT-VEGA,CHT-OPAL,DC-DC CONVERTER TECHNOLOGIES,CHT-LDN-025,MARS,CHT-AMALTHEA,CHT-74-4040,CHT-RUBY

选型指南 - CISSOID - 05/14 PDF 英文下载

瑶芯微AKT4P100KL-A MOSFET，符合汽车AEC-Q101要求的小型负载电控模块反接保护解决方案

瑶芯（ALKAIDSEMI）推出的P-channel Trench MOSFET AKT4P100KL-A，不仅符合严苛的AEC-Q101标准，还采用先进的SGT技术，提供了完美的电源反接保护解决方案。该解决方案不仅简化外围电路设计，降低了成本，还能够在电源极性接反的情况下，确保不会损坏控制模块或其它驱动负载。

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力芯微推出超低内阻负载开关ET3565支持1至5.5V宽输入电压范围，最高持续电流可达3A

ETEK的ET3565超低内阻负载开关支持1.0V至5.5V的宽输入电压范围，集成电荷泵驱动NMOS管以实现更低的导通阻抗，最高持续电流可达3A。接口电路支持最新的1.2V I/O标准，以满足各类平台应用场景。

产品发布时间 : 2024-09-03

低耗散功率NMOS管HKTQ80N03，漏源导通电阻仅0.0052Ω，可用于BMS/快充/电机驱动等应用

本文合科泰电子给大家介绍一款N沟道MOS管HKTQ80N03，它可用于开关电路和电机驱动等上面。这款产品具有很好的电学特性。它的漏源电压30V，栅源电压±10V，连续漏极电流80A，漏源导通电阻0.0052欧姆，最小栅极阈值电压1V。导通电阻非常低，耗散功率低，非常适用于低功耗应用，可用于负载开关应用，连续漏极电流非常大，适用于DC到DC转换器应用等。

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