N沟道MOSFET SKG111N15-T广泛应用于电源供应器、电源管理系统等领域

时间： 2024-04-10 来源：时科微信公众号

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【选型】国产N沟道MOS管TMA10N65HG可PIN-PIN替换安森美FDPF10N60NZ用于全桥电源

目前市面上应用于全桥电源的MOSFET有安森美650V/10A的N MOS管FDPF10N60NZ，不过由于价格压力、贸易战等因素影响，很多客户会选择一款低成本、供货交期好的国产替代方案，本文重点推荐无锡紫光微的N沟道MOSFET TMA10N65HG，该产品可pin-pin替代FDPF10N60NZ。

器件选型发布时间 : 2020-04-17

【选型】通过工规认证的N沟道MOSFET 2SK1835助力储能光伏直流高压隔离器设计，耐压高达1500V

某客户储能光伏直流高压隔离器项目里，正在评估一颗工规高压MOS应用电源前端，客户使用前端电压800V ，就需要1500V 的高压MOS ,电流≥4A ，内阻要求5Ω以内，满足工规要求即可。经过筛选推荐，RENESAS的N沟道MOSFET 2SK1835。

器件选型发布时间 : 2023-03-30

60V/10A的N沟道MOSFET SL10N06A，是笔记本电脑理想的电源管理和控制电流元件

SL10N06A是一款具有60V漏源电压和10A连续漏极电流的N沟道MOSFET，以其低导通电阻（35mΩ@10V,5A）和较低的阈值电压（2.5V@250μA）而著称。这些特性使得SL10N06A成为笔记本电脑领域中理想的电源管理和控制电流元件，尤其是在需要高效能和高精度控制的场合。

产品发布时间 : 2024-07-10

时科SK10U100AA肖特基二极管，具备低开启电压和高频等特性，在电源管理和高速数据传输应用中表现出色

随着科技的发展，电子设备对高效、低损耗元件的需求不断增加，特别是在电源管理和高速数据传输领域。时科的SK10U100AA肖特基二极管在这些应用中表现出色，解决了许多实际问题，成为市场的热门选择。

应用方案发布时间 : 2024-08-21

美浦森携N沟道MOSFET和碳化硅MOSFET新品参加2020年广州亚太电源展

2020年8月16至18日，美浦森半导体在广州进出口商品交易会展馆参加了2020亚太国际电源产品及技术展并圆满落幕。美浦森在大会上展示了N沟道MOSFET新品SLF65R170E7和碳化硅MOSFET新品MSK060065M1。

行业资讯发布时间 : 2020-08-25

【产品】可驱动无寄生二极管的N沟道MOSFET电源开关IC SGM2554系列，关断模式供电电流小于1μA

圣邦微电子（SGMICRO）推出了一系列电源开关IC——SGM2554，包含SGM2554A和SGM2554B两种型号，适用于自供电和总线供电的通用串行总线（USB）应用。它们具有用于驱动无寄生二极管的N沟道MOSFET的内置电荷泵，可消除断电时流过开关的任何反向电流。这两款芯片的高侧N沟道MOSFET导通电阻的典型值为95mΩ。

新产品发布时间 : 2018-09-24

100V/15A的N沟道MOSFET SL9968，开关损耗低、开关速度快，适用于工业自动化开关

SL9968是一款具有100V漏源电压和15A连续漏极电流的N沟道MOSFET，以其低导通电阻（80mΩ@10V,4A）和较低的阈值电压（2V@250μA）而著称。这些特性使得SL9968成为电源管理系统中理想的功率半导体器件，尤其是在需要高效能和高精度控制的场合，并且适用于多种中压开关和功率控制应用。

产品发布时间 : 2024-05-29

【产品】漏源电压600V的N沟道MOSFET SLP8N60C/F8N60C，栅极电荷典型值29nC

美浦森SLP8N60C/SLF8N60C是漏源电压高达600V的N沟道MOSFET；采用平面条纹DMOS技术，为最小化导通电阻，提供卓越的开关性能以及在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲而设计；非常适合高效开关电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。

产品发布时间 : 2022-11-04

【应用】扬杰科技双N沟道MOSFET用于板卡boost升压电路，可提供24V/2A电源输出

本文项目是板卡，主要功能是通过处理器采集北斗卫星的定位信号，对设备进行定位。北斗模块采用24V供电，系统的输入电源为12V，因此需要将12V电源升压到24V提供给模块。输出功率比较大，只能采用外接MOSFET进行设计，选用扬杰科技的YJGD20G10A作为开关管。

应用方案发布时间 : 2021-11-17

SKG150N03AD 30V N -Channel MOSFET

型号- SKG150N03AD

数据手册 - 时科 - REV.08 - 2024/3/27 PDF 英文下载

【产品】500V/5A的N沟道MOSFET SLP/F5N50S，适合于高效开关模式电源等应用

美浦森（Maplesemi）推出的两款N沟道MOSFET SLP5N50S、SLF5N50S，采用美浦森的先进平面条纹DMOS技术生产，漏源电压500V，连续漏极电流5A，耗散功率分别为73W/38W，采用TO-220/TO-220F封装，适合于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正等应用。

新产品发布时间 : 2020-03-12

美浦森将携N沟道MOSFET和碳化硅MOS亮相2021亚太国际电源展，相关性能达行业领先水平

2021年第十一届亚太国际电源产品及技术展会即将在11月18-20日开展，美浦森与您相约2021亚太国际电源展。美浦森半导体MOSFET和碳化硅系列产品，在LED电源、PD电源、PC和服务器电源、光伏逆变、UPS、充电桩、智能家居等领域得到广泛应用。

原厂动态发布时间 : 2021-11-18

100V/12A的N沟道MOSFET SL12N10，在便携充能领域中的应用具有重要意义

SL12N10是一款具有100V漏源电压和12A连续漏极电流的N沟道MOSFET，以其低导通电阻（130mΩ@10V，220mA）和较低的阈值电压（2V@250μA）而备受瞩目。在当今便携充能设备如移动电源、无线充电器等的设计中，MOSFET扮演着至关重要的角色，通过合理选用适合的MOSFET，可以提升充电设备的充电效率，减少能量损耗，并确保充电过程的安全可靠。

产品发布时间 : 2024-05-12