美浦森半导体获得CNAS实验室认可，完全满足车规级功率器件全参数测试需求

时间： 2024-04-10 来源：美浦森半导体公众号

技术问答

选型帮助

研发客服

商务客服

近日，深圳市美浦森半导体有限公司实验室（以下简称美浦森实验室）通过中国合格评定国家认可委员会（CNAS）审核，并获得CNAS实验室认可证书。证书的获得标志着美浦森实验室具备国家及国际认可的检测分析能力、环境硬件设施配套和管理水平。

CNAS证书具有国际权威性和公信力，在全球上百个国家和地区互信认可，这将为美浦森提升产品竞争力，加快产品升级，提升客户服务水平提供坚实的实验室能力支撑。美浦森实验室将严格遵守CNAS相关要求，一如既往地为客户提供优质的服务。此外，美浦森近期也将与国内顶尖晶圆厂、终端方案厂家成立联合实验室。

中国合格评定国家认可委员会（英文名称为：China National Accreditation Service for Conformity Assessment英文缩写为：CNAS），是根据《中华人民共和国认证认可条例》的规定，由国家认证认可监督管理委员会批准设立并授权的国家认可机构，统一负责对认证机构、实验室和检验机构等相关机构的认可工作。

美浦森实验室成立于2019年，分为“器件可靠性/失效分析实验室”和“器件/应用实验室”两部分，总面积达到800平方米，累计投入超过3000万元。实验室拥有国际先进的仪器设备100余台，十余名经验丰富的工程师，核心成员拥有十年以上工作经验。

实验室拥有全套功率器件测试系统，目前具备MOSFET，SiC，IGBT单管和模块等功率器件的全面检测能力，包含Si/SiC器件及模块的动静态参数、热特性、高低温性能、结电容等参数测试能力，完全满足车规级功率器件全参数测试需求，并且具备AEC-Q101的可靠性评估能力。此外，美浦森实验室也可以为客户提供检测验证服务。

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由犀牛先生转载自美浦森半导体公众号，原文标题为:美浦森半导体获得CNAS实验室认可，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。

全部评论（0）

暂无评论

美浦森参加慕尼黑华南电子展，其系列功率半导体产品在工业电源、服务器和PC电源、充电桩等广泛应用

作为国内专业的功率器件半导体企业，公司产品以市场为导向，用创新实现突破。其系列产品在工业电源、服务器和PC电源、充电桩、光伏逆变、汽车电子、储能、BMS、电机/电动工具、 UPS等领域得到广泛应用，通过产品技术创新，满足客户需求。再次参展，也充分向业界展现了美浦森半导体的产业战略布局和产品创新能力。

原厂动态发布时间 : 2023-11-08

美浦森半导体“广东省SiC功率器件与半导体元器件工程技术研究中心”顺利通过认定！

2024年4月，广东省科学技术厅发布了关于认定2023年度广东省工程技术研究中心的通知，由美浦森半导体建设的“广东省SiC功率器件与半导体元器件工程技术研究中心”顺利通过认定。

原厂动态发布时间 : 2024-05-01

美浦森功率器件被真我、绿联、睿量等多家大厂采用，具有高效率、低损耗的特性，有效降低产品散热成本

美浦森半导体是一家专业的功率半导体公司，产品包括中大功率场效应管（低压到高压全系列产品，Trench/MOS/SGT/MOS/Super Junction MOS/Planar MOS），SiC 二极管、SiC MOSFET等系列产品。美浦森MOSFET和碳化硅系列产品在PD电源、工业电源、服务器和PC电源、充电桩、光伏逆变、汽车电子、BMS、电机/电动工具、 UPS等领域得到广泛应用。

原厂动态发布时间 : 2024-01-24

美浦森半导体超结MOSFET/高压MOSFET/VD MOSFET/碳化硅二极管/碳化硅MOSFET选型表

目录- SJ MOSFET HV MOSFET VD MOSFET SIC Diode SIC MOSFET

型号- SLF8N60C,SLF12N70S,SLF16N60S,MSD02120G1,SLFT0R360S3,SLD80N04T,MSH080120M1,MSP540S,SLP300N10T,MSH16120G1,SLB130N10G,SLF8N60S,MSNP06065G1,SLF60R099E7,SLF60R180E7D,SLF80R380SJ,SLH60R070E7,SLD100N03T,SLD70R310S3,SLD5N50S2,SLF10N70S,SLM100N03T,SLF65R380E7,SLD70R600S3,SLS30L03T,SLF10N65C,SLF10N65A,SLD2N65S,SLF80R240SJ,SLD65R280E7,SLF14N60S,SLN30N03T,SLF18N50S,SLF12N65S,SLF3101,MSH060065M1,SLF70R500S3,SLF10N65S,SLN40N04G,SLM65R380E7,SLF18N50A,SLF18N50C,SLF12N65C,SLF12N65A,SLW24N50C,MSNP08065G1,SLW9N90C,SLD20N06T,SLF16N50S,SLF70R360S3,SLD80N06T,MS2H20120G1,MSD05120G1,SLF65R565SS,MSD02065G1,SLF20N60S,SLF5N60S,MS2TH60065G1,SLF16N50C,SLF60R380E7,SLD60N04T,MSP08065G1,SLD20N10T,SLP150N06T,MSH20120G1,SLP80N08T,SLF5N60C,SLF18N60S,MSP02065G1,SLF70R310S3,SLF60R070E7,MSK040120M1,SLFT0R600S3,SLL65R170E7,MS2H32120G1,MSK060065M1,MSM06065G1,SLD80R500SJ,SLD840U,MSP04065G1,MS2H40120G1,MSD10120G1,MSF10120G1,SLP32N20C,SLD50N06T,SLF20N50S,SLF18N65S,SLD65R565SS,MSP20065G1,SLD65R380E7,SLF20N50A,SLD70R500S3,SLF20N50C,SLP150N04T,SLF2N60S,SLW60R099E7,SLF8N65C,SLM80N10G,SLP3103,SLF65R280E7,SLF7N70S,MSD06065G1,SLF8N65S,MS2H40065G1,SLF70R600S3,MSP10120G1,MSP06065G1,SLD840UZ,SLD70R360S3,SLP3205T,SLP3710T,SLF5N65C,SLF10N60C,SLF730S,SLP50N06T,MS2H32065G1,SLF14N65S,SLM90N06G,MSP10065G1,SLM180N04G,MSP16065G1,SLF10N60S,MSK025120M1,SLF12N60C,SLF840C,SLF65R170E7,SLD90N02T,MSNP10065G1,MSK080120M1,SLH65R070E7,SLF16N65S,SLF13N50C,SLD5N50S,SLF20N65S,SLF13N50A,MSD04065G1,SLF60R280E7,SLB120N08G,SLD80N03T,SLP150N03T,SLD80R850SJ,SLF5N65S,SLD80R600SJ,SLF13N50S,SLM20L10T,SLF7N80C,SLD150N03T,SLM60N10G

选型指南 - 美浦森 - REV.01 - 2021 PDF 英文下载

美浦森(Maplesemi)成立于2008年，2009年在韩国成立FABOWN工厂，致力于POWER MOSFET及碳化硅产品的研发和生产。目前8 英寸月产能12000片，6寸产能10000片，是东亚地区唯一的PLANNER 8英寸晶圆生产线，技术骨干均来自SAMSUNG（三星）和FAIRCHILD（仙童），2009年获得韩国政府IT VENTURE企业认可。

VD-MOSFET 超级JMO MOSFET SiC二极管

授权代理商 - 世强先进（深圳）科技股份有限公司线上商城技术资料

展开

美浦森基于2.4μm工艺平台开发的最新一代FS+Trench IGBT，动静态参数及损耗数据表现出色

美浦森不断研究最新的IGBT芯片技术，取得多项专利。本次在12吋晶元2.4um工艺平台开发的最新一代的 FS+Trench IGBT系列。美浦森最新一代IGBT：工艺平台2.4μm，归一化面积95，短路10μs+，静态1.62V，开关损耗4330μJ，耐压1300+，RBSOA 关断4倍以上额定电流。

产品发布时间 : 2024-08-12

SLD80N03T 30V N -Channel MOSFET

型号- SLD80N03T

数据手册 - 美浦森 - Rev2.0 - Jun. 2022 PDF 英文下载

SLD3095T 30V N -Channel MOSFET

型号- SLD3095T

数据手册 - 美浦森 - Rev2.0 - Jun. 2022 PDF 英文下载

SLF80R395GT 800V N-Channel Multi-EPI Super-JMOSFET

型号- SLF80R395GT

数据手册 - 美浦森 - Rev1.0 - Jun 2023 PDF 英文下载

【选型】美浦森（Maplesemi）高压MOSFET/超结MOSFET/碳化硅二极管/碳化硅MOSFET选型指南

目录- 高压MOSFET(VDMOS) 超结MOSFET(SJMOS) 碳化硅二极管(SiC DIODE)

型号- SLF8N60C,MSP08065V1,SLF11N50S,SLF740UZ,SIF8N60S,MSD02120G1,SLF32N20C,SLF10N70C,S4.F5NCOC,MSH080120M1,MSH180120M1,MSH16120G1,SLF8N60S,SLD80R1K3SJ,SIF12N70C,MS2H32120GI,MSNP06065G1,SIF11N50S,SLF12N70C,SIF8N60C,SLF80R380SJ,SLD5N50S2,SLF10N65C,SLF80R240SJ,SIF13N50C,SLF18N50S,SLF12N65S,SLD2N65UZ,SLF60R100S2,SLF10N65S,SIF13N50U,SLF60RW0S2,SLF730C,SLF60R380S2,SLH60R080SS,MSP10O65O1,SLF18N50C,SLF12N65C,SLD65R700S2,MSP10065V1,SLW24N50C,MSNP08065G1,SLW9N90C,SLH60R042SS,SLF16N50S,SLD2N65U2,MS2H20120G1,MSD05120G1,MSF10065G1,SIF16N50S,SLF5N60S,SLF70R900S2,SIF18N50S,SLF60R160S2,SLF70R420S2,SLF16N50C,SL080R600SJ,MSP08065G1,SL060R1K3SJ,MSH20120G1,SLF5N60C,SIF18N50C,SLF50R240SJ,MSP06065V1,SLFS0R140SJ,SLF60R190S2,SLF740C,MS2H32120G1,SLD80R500SJ,SLF60R280S2,MSP04065G1,MSP16065V1,MS2H40120G1,SLD65R420S2,MSD10120G1,MSP160Q5V1,MSF10120G1,S4.F5N60S,MSNP0606SG1,SIF8N65C,SLF20N50S,STF5N65C,MSP20065G1,SLF65R190S2D,SIF840C,SLD80R380SJ,SLF60R190S2D,SLF60R190SJ,SLF20N50C,SLD80R240SJ,SLF70R&O0S2,SLF8N65C,MSH040120M1,SI.F20N50S,SLF65R950S2,MS010120G1,SIF730C,SLF8N65S,SLF1DN60S,MS2H40065G1,SLF40N26C,MSP10120G1,MSP06065G1,SLF70R600S2,SIF8N65S,SLD840UZ,SLH50R060SJ,SLF7N70C,MSH160120M1,SLF5N65C,SLF10N60C,SLF12N60S,MS2H32065G1,SLF65R300S2,MSP10065G1,SL080R500SJ,MS2H32065O1,STD5N50S,MS0MCMJ5G1,SLH50R100SJ,SIF60R190S20,MSP16065G1,SLF10N60S,MSP04065V1,SLF12N60C,SLF840C,SLF60R650S2,MSNP10065G1,MSNP0606501,MSM20120G1,SLFS0R240SJ,SLF13N50C,SLD5N50S,SLF60R850S2,S10640UZ,SLF13N50A,MSD04065G1,SLF50R140SJ,SLD80R850SJ,SLF5N65S,SLD80R600SJ,SLF13N50U,$LDE5R420$2,SLF7N80C,SLF65R240S2

选型指南 - 美浦森 - 2020年 PDF 中文下载