捷捷微电JMSL06系列MOSFETs成功应用于华为“Max 80W”超级无线充电器
近期，华为推出了一款名为“Max 80 W”的超级快充立式无线充电器；“Max 80W”为一款无线车充，最高可支持80W的功率，如图1。
图1. 华为“Max 80W”超级无线充电器
捷捷微电有6颗JMSL06系列60V耐压、低开启NMOS管应用于此超级快充立式无线充电器中。其中，2颗JMSL0606AG（NMOS，耐压60V，导阻4mΩ， PDFN5*6-8L封装）作为同步升压开关应用于同步升压模块，如图2；典型参数请参考表1。
图2. 同步升压模块（图片来源：充电头网）
4颗JMSL0606AU（NMOS，耐压60V，导阻5.0mΩ，PDFN3*3-8L封装）应用于无线充电管理模块，如图3；典型参数请参考表1。
图3. 无线充电模块（图片来源：充电头网）
表1. 特征参数列表
捷捷微电作为国内领先的MOSFET器件供应商，其Trench、SGT、SuperJunction等全系列MOSFET产品被广泛应用于汽车、新能源、工业、消费电子等领域。
江苏捷捷微电子股份有限公司创建于1995年，是集芯片研发、芯片制造、封测和销售为一体的江苏省高新技术企业。主导产品为单、双向可控硅、MOSFET（SGT、沟槽、平面、超结等工艺）、低结电容ESD、TVS、低结电容放电管等各类保护器件、高压整流二极管、功率型开关晶体管。捷捷微电是国内领先的高品质功率半导体器件IDM，晶闸管龙头企业。在启东、南通、无锡和上海拥有四大研发中心;江苏启东、南通两大制造基地更是全力打造「制造优越」和「本土化自主化」。公司先后通过ISO 9001:2008和IATF 16949质量管理体系、ISO14001:2015环境管理体系、ISO45001:2018职业健康安全体系、QC 080000有害物质过程管理体系认证。
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捷捷微电MOS选型表
捷捷微电提供以下技术参数的MOS选型，VDS_Max：-100V~1000V，VGS(th)_Typ：-2V~3.5V等
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产品型号
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品类
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Confi-guration
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VDS_Max(V)
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ID_Max(A)
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VGS(th)_Typ(V)
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RDS(ON)_Typ@VGS =10V(mΩ)
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RDS(ON)_Max@VGS=10V(mΩ)
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RDS(ON)_Typ@VGS=4.5V(mΩ)
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RDS(ON)_Max@VGS=4.5V(mΩ)
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VGS_Max(V)
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EAS_Max(mJ)
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Ciss_Typ(pF)
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Coss_Typ(pF)
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Crss_Typ(pF)
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Qg_Typ(nC)
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MPQ
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MOQ
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封装
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JMSL040SAGQ
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MOS
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N
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40V
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387A
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1.5V
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0.58mΩ
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0.75mΩ
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0.8mΩ
|
0.99mΩ
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±20V
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506mJ
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7654pF
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3738pF
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44pF
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114nC
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3000
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30000
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PDFN5x6-8L
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选型表 - 捷捷微电 立即选型
JMSH0403AGQ 40V 2.7mΩN沟道功率MOSFET
描述- 本资料介绍了JMSH0403AGQ型号的N沟道功率MOSFET的特性。该器件具有超低导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷、经过100% UIS和Rg测试，符合RoHS标准，适用于汽车应用。
型号- JMSH0403AGQ,JMSH0403AGQ-13
JMSL1018AKQ 100V 15.0mW N沟道功率MOSFET
描述- 本资料介绍了JMSL1018AKQ型100V 15.0mW N-Ch Power MOSFET的特性。该器件具有低导通电阻、低栅极电荷、高可靠性等特点，适用于汽车和其他工业应用。
型号- JMSL1018AKQ-13,JMSL1018AKQ
JMSH040SAGQ 40V 0.56mΩN沟道功率MOSFET
描述- 本资料介绍了JMSH040SAGQ型号的40V 0.56mΩ N-Ch Power MOSFET。该器件具有超低导通电阻、低栅极电荷、100% UIS和Rg测试、无铅镀层、符合RoHS标准以及适用于汽车应用的AEC-Q101认证等特点。
型号- JMSH040SAGQ-13,JMSH040SAGQ
JMSL0612AUQ 60V 10.0mΩN沟道功率MOSFET
描述- 本资料介绍了JMSL0612AUQ型号的60V 10.0mΩ N-Ch Power MOSFET。该器件具有低导通电阻、低栅极电荷、高绝缘强度等特点，适用于汽车和其他工业应用。
型号- JMSL0612AUQ-13,JMSL0612AUQ
JMH65R110APLNFD 650V超结功率MOSFET
描述- 本资料介绍了JMH65R110APLNFD型650V SuperJunction Power MOSFET的特性、参数和应用。该器件具有极低的栅极电荷、优异的输出电容特性、快速开关能力，适用于汽车和其他工业应用。
型号- JMH65R110APLNFD-13,JMH65R110APLNFD
JMSL0602AGQ 60V 1.8mΩN沟道功率MOSFET
描述- 本资料介绍了JMSL0602AGQ型60V 1.8mΩ N-Ch Power MOSFET的特性。该器件具有超低导通电阻、低栅极电荷、高可靠性等特点，适用于汽车和其他工业应用。
型号- JMSL0602AGQ-13,JMSL0602AGQ
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JMSH0401BGQ 40V 0.90mΩN沟道功率MOSFET
描述- 本资料介绍了JMSH0401BGQ型号的N沟道功率MOSFET的特性。该器件具有超低导通电阻、低栅极电荷、高可靠性等特点，适用于汽车和其他工业应用。
型号- JMSH0401BGQ-13,JMSH0401BGQ
JMSH0402BGQ 40V 2.0mΩN沟道功率MOSFET
描述- 本资料介绍了JMSH0402BGQ型号的40V N-Ch Power MOSFET。该器件具有超低导通电阻、低栅极电荷、高可靠性等特点，适用于汽车和其他工业应用。
型号- JMSH0402BGQ,JMSH0402BGQ-13
JMH65R110ACFDQ 650V超结功率MOSFET
描述- 本资料介绍了JMH65R110ACFDQ型号的650V SuperJunction Power MOSFET的特性、参数和应用。该器件具有极低的栅极电荷、优异的输出电容特性和快速开关能力，适用于各种切换应用。
型号- JMH65R110ACFDQ-U,JMH65R110ACFDQ
JMSL0402AGQ 40V 1.6mΩN沟道功率MOSFET
描述- 本资料介绍了JMSL0402AGQ型号的N沟道功率MOSFET的特性。该器件具有超低导通电阻、低栅极电荷、高可靠性等特点，适用于汽车和其他工业应用。
型号- JMSL0402AGQ-13,JMSL0402AGQ
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最小起订量： 1 提交需求>
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