捷捷微电JMSL06系列MOSFETs成功应用于华为“Max 80W”超级无线充电器

时间： 2024-04-10 来源：捷捷微电公众号

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近期，华为推出了一款名为“Max 80 W”的超级快充立式无线充电器；“Max 80W”为一款无线车充，最高可支持80W的功率，如图1。

图1. 华为“Max 80W”超级无线充电器

捷捷微电有6颗JMSL06系列60V耐压、低开启NMOS管应用于此超级快充立式无线充电器中。其中，2颗JMSL0606AG（NMOS，耐压60V，导阻4mΩ， PDFN5*6-8L封装）作为同步升压开关应用于同步升压模块，如图2；典型参数请参考表1。

图2. 同步升压模块（图片来源：充电头网）

4颗JMSL0606AU（NMOS，耐压60V，导阻5.0mΩ，PDFN3*3-8L封装）应用于无线充电管理模块，如图3；典型参数请参考表1。

图3. 无线充电模块（图片来源：充电头网）

表1. 特征参数列表

捷捷微电作为国内领先的MOSFET器件供应商，其Trench、SGT、SuperJunction等全系列MOSFET产品被广泛应用于汽车、新能源、工业、消费电子等领域。

江苏捷捷微电子股份有限公司创建于1995年，是集芯片研发、芯片制造、封测和销售为一体的江苏省高新技术企业。主导产品为单、双向可控硅、MOSFET（SGT、沟槽、平面、超结等工艺）、低结电容ESD、TVS、低结电容放电管等各类保护器件、高压整流二极管、功率型开关晶体管。捷捷微电是国内领先的高品质功率半导体器件IDM，晶闸管龙头企业。在启东、南通、无锡和上海拥有四大研发中心;江苏启东、南通两大制造基地更是全力打造「制造优越」和「本土化自主化」。公司先后通过ISO 9001:2008和IATF 16949质量管理体系、ISO14001:2015环境管理体系、ISO45001:2018职业健康安全体系、QC 080000有害物质过程管理体系认证。

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2023/7/7 - 选型指南 - V1.0a 代理服务技术支持采购服务

捷捷微电MOS选型表

捷捷微电提供以下技术参数的MOS选型，VDS_Max：-100V~1000V，VGS(th)_Typ：-2V~3.5V等

RDS(ON)_Typ@VGS =10V(mΩ)

RDS(ON)_Max@VGS=10V(mΩ)

RDS(ON)_Typ@VGS=4.5V(mΩ)

RDS(ON)_Max@VGS=4.5V(mΩ)

选型表 - 捷捷微电立即选型

JMSH040SAGQ 40V 0.56mΩN沟道功率MOSFET

本资料介绍了JMSH040SAGQ型号的40V 0.56mΩ N-Ch Power MOSFET。该器件具有超低导通电阻、低栅极电荷、100% UIS和Rg测试、无铅镀层、符合RoHS标准以及适用于汽车应用的AEC-Q101认证等特点。

捷捷微电 - N-CH功率MOSFET,N-CH POWER MOSFET,JMSH040SAGQ-13,JMSH040SAGQ,AUTOMOTIVE APPLICATIONS,汽车应用

2023/4/23 - 数据手册 - Rev. 2.1 代理服务技术支持采购服务查看更多版本

JMSL0612AUQ 60V 10.0mΩN沟道功率MOSFET

本资料介绍了JMSL0612AUQ型号的60V 10.0mΩ N-Ch Power MOSFET。该器件具有低导通电阻、低栅极电荷、高绝缘强度等特点，适用于汽车和其他工业应用。

捷捷微电 - N-CH功率MOSFET,N-CH POWER MOSFET,JMSL0612AUQ-13,JMSL0612AUQ,AUTOMOTIVE APPLICATIONS,汽车应用

2022/12/23 - 数据手册 - Rev. 1.4 代理服务技术支持采购服务查看更多版本

JMSL1018AKQ 100V 15.0mW N沟道功率MOSFET

本资料介绍了JMSL1018AKQ型100V 15.0mW N-Ch Power MOSFET的特性。该器件具有低导通电阻、低栅极电荷、高可靠性等特点，适用于汽车和其他工业应用。

捷捷微电 - N-CH功率MOSFET,光电耦合器组成,PHOTOCOUPLER CONSIST,N-CH POWER MOSFET,JMSL1018AKQ-13,JMSL1018AKQ,汽车,AUTOMOTIVE

2024/9/9 - 数据手册 - Rev. 1.1 代理服务技术支持采购服务

JMSH0402BGQ 40V 2.0mΩN沟道功率MOSFET

本资料介绍了JMSH0402BGQ型号的40V N-Ch Power MOSFET。该器件具有超低导通电阻、低栅极电荷、高可靠性等特点，适用于汽车和其他工业应用。

捷捷微电 - N-CH功率MOSFET,N-CH POWER MOSFET,JMSH0402BGQ,JMSH0402BGQ-13,AUTOMOTIVE APPLICATIONS,汽车应用

2023/3/16 - 数据手册 - Rev. 1.1 代理服务技术支持采购服务

JMH65R110APLNFD 650V超结功率MOSFET

本资料介绍了JMH65R110APLNFD型650V SuperJunction Power MOSFET的特性、参数和应用。该器件具有极低的栅极电荷、优异的输出电容特性、快速开关能力，适用于汽车和其他工业应用。

捷捷微电 - 超结功率MOSFET,SUPERJUNCTION POWER MOSFET,JMH65R110APLNFD-13,JMH65R110APLNFD,AUTOMOTIVE APPLICATIONS,汽车应用

2024/1/9 - 数据手册 - Rev 1.1 代理服务技术支持采购服务

是否有相关高边驱动Nmos汽车级芯片推荐，具有短路保护，热保护。电流3.5A保护。驱动高压直流接触器。高边驱动输出电压24V左右。

建议可以参考Silicon Labs的SI823Hx驱动芯片，输出驱动电流4A,可以输出24V驱动电压；关于短路保护和温度保护功能可能需要外围搭电路进行设计；该芯片满足车规级AEC-Q100认证。

2018-10-09 - 技术问答代理服务技术支持采购服务

JMPL1050AUQ-100V 38mΩP沟道功率MOSFET

本资料介绍了JMPL1050AUQ型号的P-Ch Power MOSFET器件。该器件具有低导通电阻、优异的栅极电荷乘以导通电阻（FOM）性能，适用于汽车和其他高可靠性应用。

捷捷微电 - P沟道功率MOSFET,P-CH POWER MOSFET,JMPL1050AUQ-13,JMPL1050AUQ,AUTOMOTIVE APPLICATIONS,汽车应用

2023/2/1 - 数据手册 - Rev. 1.1 代理服务技术支持采购服务

SMC碳化硅MOSFET器件S2M0025120K入选everything PE年度MOSFET榜单！

S2M0025120K是SMC研发和制造的碳化硅功率MOSFET器件，漏源击穿电压超过1200V，栅极阈值电压为2.1V，漏源导通电阻为25毫欧，连续漏极电流高达63A，功率耗散小于446W。是新能源汽车快充模块、车载充电器、太阳能逆变器、在线UPS/工业UPS、开关模式电源（SMPS）、DC-DC转换器和储能系统（ESS）等应用的理想选择。

2024-01-29 - 原厂动态代理服务技术支持采购服务