华轩阳电子17款电压等级从650至1700V不等的碳化硅MOSFET产品推荐——工业与新能源汽车领域

时间： 2024-04-10 来源：华轩阳电子官网

代理服务

技术支持

批量订货

华轩阳电子：17款碳化硅MOSFET产品推荐——工业与新能源汽车领域随着技术的不断迭代与创新

碳化硅（SiC）功率器件已在全球工业和新能源汽车领域展现出了强大的竞争优势。今天，为大家解析并推荐华轩阳电子公司研发生产的17款高性能碳化硅MOSFET产品系列，这些产品凭借其出色的VDSS、RDON和ID参数范围，以及TO247封装形式，为不同应用需求提供了最佳解决方案。

产品概览
-电压等级VDSS：从650V至1700V不等，覆盖了中高压电力转换系统的广泛需求。
-导通电阻RDON：在16毫欧（mR）至160毫欧之间，实现了更低的导通损耗，尤其适合高效率电源转换系统，显著提升系统能效。
-最大漏源电流ID：范围自19A至120A，满足从小到大功率变换设备的电流处理能力要求。
-封装形式：主要采用行业标准的TO247封装，确保良好的散热性能和电路板布局兼容性。

接下来，我们将通过几款具有代表性的产品型号及其应用场景来进一步阐述：

案例一：低导通电阻在充电桩中的应用HC3M0032120K“SiCMOS 1200V-32mR-63A”，拥有极低的32毫欧姆导通电阻及高达63A的电流承载能力，适用于快速充电站的设计，有效降低充电过程中的能量损失，提升充电效率，并减小体积，助力电动汽车行业的快速发展。

案例二：高压稳定应用于逆变器对于需要高耐压特性的场合，比如新能源汽车主驱逆变器，选择HC2M0045170D“SiCMOS1700V-45mR-72A”的产品是理想之选。这款器件能在高达1700V的工作电压下保持稳定的性能，同时具备适度的导通电阻和较高的电流容量，有助于实现车辆电动机的高效驱动和可靠运行。

案例三：紧凑型设计在光伏逆变器中的优势在太阳能逆变器中，优化空间和成本至关重要。选择HC3M0015065K：“SiCMOS650V-15mR-120A”以其低导通电阻和适中的工作电压，在保证转换效率的同时减少了整体方案的尺寸和散热需求，大大提高了光伏能源的利用率。

以上仅为部分代表性案例，每款精心设计的碳化硅MOSFET产品都经过严苛测试和实际验证，旨在适应多样化的市场应用。无论是在智能电网、轨道交通、还是工业自动化领域，这些产品都能凭借其卓越的高温性能、开关速度快、寿命长等特点，为客户带来前所未有的能效升级和成本节省。

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由星晴123转载自华轩阳电子官网，原文标题为:华轩阳电子：17款碳化硅MOSFET产品推荐——工业与新能源汽车领域，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。

全部评论（0）

暂无评论

蓉矽1200V 40/75mΩ碳化硅MOSFET用于直流充电桩，减少50%器件用量，助力800V高压快充充电桩行业发展

基于蓉矽半导体第二代1200V 40/75mΩ SiC MOSFET的两电平方案结构简单、控制方便，可简化系统拓扑，减少50%的器件用量，助力800V高压快充充电桩行业的发展。蓉矽半导体1200V 40mΩ SiC MOSFET电压等级为1200V，最大可持续电流达75A。

2024-07-17 - 应用方案代理服务技术支持批量订货

【应用】采用开环LLC＋电流源PFC方案实现全碳化硅高功率密度充电桩模块设计

国产碳化硅领先品牌瞻芯电子采用SiC MOSFET、SiC SBD和SiC MOSFET驱动芯片开发了全碳化硅的充电桩模块包括PFC和DCDC的原型设计。该参考设计的功率密度比业界主流的充电桩模块提升50%，揭示了碳化硅功率器件在高功率密度、高性能充电桩模块领域的巨大优势和潜力。

2020-12-29 - 应用方案代理服务技术支持批量订货

【应用】耐压1200V的碳化硅MOSFET ASC60N1200MT3用于充电桩电源模块上，Rds为45mΩ

目前市面上充电桩电源模块的转换效率已经可以做到99%，对于车辆快速且高效的充电有很大的意义。然而这对于设计者来说，功率器件的选型尤为重要。本文推荐爱仕特的碳化硅MOSFET ASC60N1200MT3用于充电桩电源模块的LLC谐振电路中，可以有效降低热损耗。

2022-12-02 - 应用方案代理服务技术支持批量订货

瑶芯推出最新新能源车、光储、充电桩及各类电源的功率器件解决方案

作为国内领先的功率器件和数模混合信号链IC产品供应商，瑶芯推出最新新能源车、光储、充电桩及各类电源的功率器件解决方案，覆盖低压SGT MOS、高压SJ MOS、IGBT和SiC MOSFET系列。

2024-08-06 - 产品代理服务技术支持批量订货

华轩阳电子MOS选型表

华轩阳电子MOS选型表包括P型场效应晶体管、N型场效应晶体管、P+P型场效应晶体管、N+N型场效应晶体管、N+P型场效应晶体管五种类型，主要有以下选型参数：VDSS耐压(V)18~650V;ID电流(A)0.1A~400A;RDS电阻(mΩ)@4.5V MAX)2.4~14000mΩ;应用等级均为民用级。

产品型号	品类	类型	VDSS耐压(V)	ID电流(A)	RDS电阻(mΩ)@4.5V MAX)	RDON(mR)	封装	应用等级
HXY2301AI	P型场效应晶体管	P沟道	20V	3A	87mΩ	25mR	SOT-23	民用级

选型表 - 华轩阳电子立即选型

派恩杰首推2000V SiC MOSFET成功通过HV-H3TRB加严可靠性考核！

产品不停迭代、技术不断升级，派恩杰在2024年第三季度首次推出2000V 45m2 SiC MOSFET产品。本次首推2000V 45mΩ SiC MOSFET已经成功通过HV-H3TRB考核，且经历HV-H3TRB考核后器件各项电性参数均无显著变化，充分证明其在极端运行环境下的优良耐受能力，确保在实际应用中的稳定性和安全性。

2024-11-27 - 原厂动态代理服务技术支持批量订货

派恩杰（PN Junction）碳化硅肖特基二极管和碳化硅MOSFET选型指南

目录- 碳化硅肖特基二极管碳化硅MOSFET

型号- P3D06010I2,P3D06020F2,P3M06120K4,P3D06010E2,P3D06016I2,P3M171K0G7,P3M173K0T3,P3M06120K3,P3D12010T2,P3D12040K2,P3M12080K4,P3D12040K3,P3M12080K3,P3D06002T2,P3M12040K3,P3D06004T2,P3M12040K4,P3D06006T2,P3D06008T2,P3M12025K4,P3M12080G7,P3M171K0K3,P3D06020I2,P4D06010F2,P3D12005E2,P3D06002G2,P3M06060T3,P3D06004G2,P3D06006G2,P3D06008G2,P6D12002E2,P3M06060G7,P3M171K0T3,P3D12030K3,P3D06010T2,P3D12030K2,P3M06060K3,P3D12015K2,P3M06060K4,P3M173K0K3,P3D06010G2,P4D06020F2,P4D06010I2,P3D06016K3,P3D06006F2,P3D06008F2,P6D06004T2,P3D12020K3,P3M06300D8,P3M06300D5,P3D12020G2,P3D12015T2,P3M12160K4,P3D06020T2,P3D12020K2,P3M12160K3,P3D06020P3,P3D12005K2,P3M12017BD,P3D06010F2,P4D06020I2,P3D06002E2,P3D06006I2,P3D06004E2,P3D06008I2,P3D06006E2,P3D06008E2,P3D12010K2,P3M06025K4,P4D06010T2,P3D12010K3,P3M07013BD,P3D12005T2,P3M06040K4,P3M06040K3,P3M12017K4,P3D06020K2,P3D12010G2,P3M17040K3,P3D06020K3,P3M17040K4

派恩杰 - 选型指南代理服务技术支持批量订货

【元件】扬杰科技新推出用于光伏逆变、充电桩、电源等的SiC MOSFET，采用开尔文接触，工作温度175℃

扬杰科技近日推出了一系列TO-263-7L、TOLL、T2PAK产品，产品均采用开尔文接触，明显减少了开关时间，降低了开关损耗，支持更高频率的应用与动态响应；同时相比插脚器件降低了电路板空间，增加了电路板的集成化，非常适合应用于高功率密度和高效率电力电子变换系统。

2024-11-26 - 产品代理服务技术支持批量订货

【选型】力特1700V SiC MOSFET助力光伏逆变器1500V系统辅助电源高效稳定运行

现在光伏逆变器电压等级提升到1500V，如果选用单端反激拓扑，单管MOS耐压值需要超过3000V，因此建议采用双管反激方案，推荐Littelfuse的SiC MOSFET LSIC1MO170E1000，1700V高耐压，同时采用常用的TO247封装，可直接替换Si MOS使用。

2020-12-29 - 器件选型代理服务技术支持批量订货

B2M040120Z碳化硅MOSFET

描述- 本资料介绍了B2M040120Z型号的碳化硅（SiC）MOSFET的特性、最大额定值、电学特性、热特性、典型性能和应用领域。该器件具有低导通电阻、高阻断电压、低电容等特点，适用于开关电源、逆变器、电机驱动器和电动汽车充电站等领域。

型号- B2M040120Z

2023-08-10 - 基本半导体 - 数据手册 - Rev. 0.1 代理服务技术支持批量订货查看更多版本

B2M040120T SiC MOSFET

描述- 本资料详细介绍了B2M040120T型号的SiC MOSFET产品，包括其产品概述、特性、应用领域、最大额定值、电气特性、封装特性、热特性、开关特性、典型性能、封装尺寸和修订历史。该产品适用于高频率操作，具有高阻断电压、低导通电阻和低电容等特点，适用于开关电源、微逆变器、太阳能逆变器、电机驱动器、DC/DC转换器和OBC等领域。

型号- B2M040120T

2024-10-25 - 基本半导体 - 数据手册 - Rev. 0.1 代理服务技术支持批量订货