华轩阳电子17款电压等级从650至1700V不等的碳化硅MOSFET产品推荐——工业与新能源汽车领域

时间： 2024-04-10 来源：华轩阳电子官网

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华轩阳电子：17款碳化硅MOSFET产品推荐——工业与新能源汽车领域随着技术的不断迭代与创新

碳化硅（SiC）功率器件已在全球工业和新能源汽车领域展现出了强大的竞争优势。今天，为大家解析并推荐华轩阳电子公司研发生产的17款高性能碳化硅MOSFET产品系列，这些产品凭借其出色的VDSS、RDON和ID参数范围，以及TO247封装形式，为不同应用需求提供了最佳解决方案。

产品概览
-电压等级VDSS：从650V至1700V不等，覆盖了中高压电力转换系统的广泛需求。
-导通电阻RDON：在16毫欧（mR）至160毫欧之间，实现了更低的导通损耗，尤其适合高效率电源转换系统，显著提升系统能效。
-最大漏源电流ID：范围自19A至120A，满足从小到大功率变换设备的电流处理能力要求。
-封装形式：主要采用行业标准的TO247封装，确保良好的散热性能和电路板布局兼容性。

接下来，我们将通过几款具有代表性的产品型号及其应用场景来进一步阐述：

案例一：低导通电阻在充电桩中的应用HC3M0032120K“SiCMOS 1200V-32mR-63A”，拥有极低的32毫欧姆导通电阻及高达63A的电流承载能力，适用于快速充电站的设计，有效降低充电过程中的能量损失，提升充电效率，并减小体积，助力电动汽车行业的快速发展。

案例二：高压稳定应用于逆变器对于需要高耐压特性的场合，比如新能源汽车主驱逆变器，选择HC2M0045170D“SiCMOS1700V-45mR-72A”的产品是理想之选。这款器件能在高达1700V的工作电压下保持稳定的性能，同时具备适度的导通电阻和较高的电流容量，有助于实现车辆电动机的高效驱动和可靠运行。

案例三：紧凑型设计在光伏逆变器中的优势在太阳能逆变器中，优化空间和成本至关重要。选择HC3M0015065K：“SiCMOS650V-15mR-120A”以其低导通电阻和适中的工作电压，在保证转换效率的同时减少了整体方案的尺寸和散热需求，大大提高了光伏能源的利用率。

以上仅为部分代表性案例，每款精心设计的碳化硅MOSFET产品都经过严苛测试和实际验证，旨在适应多样化的市场应用。无论是在智能电网、轨道交通、还是工业自动化领域，这些产品都能凭借其卓越的高温性能、开关速度快、寿命长等特点，为客户带来前所未有的能效升级和成本节省。

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产品型号	品类	类型	VDSS耐压(V)	ID电流(A)	RDS电阻(mΩ)@4.5V MAX)	封装	应用等级
HXY2301AI	P型场效应晶体管	P沟道	20V	3A	87mΩ	SOT-23	民用级

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