50V/220mA的N沟道MOS管BSS138,具有低导通电阻和高效率特性,可用于LED驱动电路
SLKOR萨科微BSS138是一款具有50V漏源电压和220mA连续漏极电流的N沟道MOS管,以其较低的导通电阻(3.5Ω@10V,220mA)和较低的阈值电压(1.6V@1mA)而著称。该MOS管在LED驱动中的应用具有诸多优势,如高效率、低功耗、高可靠性等。通过合理的设计和选择,可以充分发挥其在LED驱动电路中的作用,为现代电子设备提供稳定、高效的照明解决方案。
Slkor萨科微中压MOS管BSS138产品图
Slkor萨科微中压MOS管BSS138规格书
Slkor萨科微BSS138能够承受的最大电压和电流满足了大多数LED驱动电路的需求。它可以承受的最大电压为50V,适合在中低压应用中使用,能够持续通过的电流最大值为220mA,适用于驱动中等亮度的LED。此外,由于该MOS管的导通电阻较小,因此在导通状态下产生的热量较少,有利于提高LED驱动电路的整体效率,体现了其高效的电流传输能力。同时,它还具有较低的阈值电压,这有助于降低驱动电路的功耗。最后它在工作时能够耗散的最大功率为225mW,确保了其在正常工作条件下的稳定性。
萨科微Slkor中压MOS管BSS138相关参数
slkor萨科微中压MOS管BSS138非常适合用于LED驱动电路。LED驱动电路的主要目的是为LED提供稳定的电流,以确保其正常发光。而中压N沟道MOS管以其低导通电阻和高效率的特性,成为实现这一目标的理想选择。它在LED驱动电路中作为开关元件,通过控制其栅极电压来调节漏极电流,从而实现对LED电流的精确控制。当栅极电压高于阈值电压时,MOS管导通,电流从源极流向漏极,驱动LED发光。反之,当栅极电压低于阈值电压时,MOS管截止,LED熄灭。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由Vicky转载自SLKOR,原文标题为:【每日一品】Slkor萨科微50V漏源电压的中压MOS管BSS138,广泛应用于LED驱动等领域,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
相关推荐
【产品】N沟道中压MOS管SL15N10A可承受高达100℃的工作温度,适用于高功率电路
SL15N10A是N沟道中压MOS管 ,漏源电压(Vdss)为100V,连续漏极电流(Id)为15A,导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)是130mΩ@20V,15A,阈值电压(Vgs(th)@Id)是20V@15A,具有高漏源电压和低导通电阻的特点,能够承受高达100℃的工作温度,可以广泛应用于各种开关电路、电源管理和电动机控制等领域。
【产品】漏源电压20V的N沟道低压MOS管NTR4003N,采用SOT-23封装,导通电阻1.5Ω
SLKOR的低压MOS管NTR4003N是一种N沟道低压MOS管,适用于DC-DC转换器、电池管理和其他低压应用。该器件具有漏源电压20V、导通电阻1.5Ω和连续漏极电流560mA的特性,可在小型封装中实现高效的功率转换。
100V/33A的N沟道场效应管IRF540NS,具有低导通电阻和低阈值电压等特性
萨科微半导体推出的中压MOS管IRF540NS作为一款性能卓越的N沟道场效应管,漏源电压达到100V,连续漏极电流为33A,具有低导通电阻和低阈值电压等特性,使其成为通信系统中电源管理、驱动控制和能量转换的理想选择。
MDD关于在MOS管在电池管理系统(BMS)中应用的解析
随着电动汽车(EV)、可再生能源存储和便携式半导体电子设备的快速发展,电池管理系统(BMS)在保障电池安全、延长使用寿命和提高效率方面的作用变得越来越重要。MOS管(场效应管)作为一种重要的半导体器件,在BMS中具有不可替代的作用,尤其是在电池充放电管理、电池保护和温度控制等方面。
【技术】解析MOS管的工作原理
MOS(金属-氧化物-半导体)管是一种常见的场效应晶体管(FET),常用于放大和开关电路中。MOS管主要由一片半导体晶体片(通常是硅)和相连的两个金属电极组成,它们之间隔着一层氧化物。本文中合科泰电子将为大家解析MOS管的工作原理。
详解耗尽型MOS管在电路中的应用
耗尽型MOS管在电路设计中具有多种重要应用。其高输入阻抗、低输出阻抗、快速开关速度和高可靠性等特性使得它成为电子领域中不可或缺的元件之一。
Mos管怎么看型号和功率的关系
MOS管的型号通常由字母和数字组成,代表着其特性和性能。这些信息包括厂家代号、产品系列、产品类型、额定电流、额定电压等参数。而功率主要取决于MOS管的额定电流和额定电压。因此在选择MOS管时,需要根据实际应用场景中的电流和电压需求来确定合适的型号。
【产品】萨科微N沟道功率MOSFET器件2N7002,漏源电压高达60V,可适应各种电源电压要求
2N7002是一种N沟道功率MOSFET器件,具有高漏源电压和高效导通等特点,适用于多种应用场合。该器件的漏源电压高达60V,可适应各种电源电压要求。同时,其导通电阻低,最小值为7.5Ω,能够提供更高的效率。此外,MOS管2N700的阈值电压高达2.5V,具有更好的抗干扰能力。该器件采用SOT-23封装,尺寸小巧,便于布局设计和集成。
最大漏源电压达60V的MOS管HKTD20N06,可用于电机驱动、LED和电源等
MOS管在稳压以及开关等电路上具有非常重要的作用,一款好的MOS管除了具备好的产品性能,其功耗、产品稳定性同样重要。本期,合科泰电子给大家介绍一款MOS管HKTD20N06,可用于电机驱动、LED和电源等产品上。
【经验】MOS管导通电流方向及MOS管体二极管最大极值分析
本文SLKOR主要就以下两个问题展开介绍:1、MOS管导通电流能否反着流?D到S,S到D方向随意?2、MOS管体二极管能过多大的电流?
【经验】一文解析MOS管的源极和漏极的区别
源极简称场效应管,T仅是由多数载流子参与导电,与双极型相反,也称为单极型晶体管。漏极利用外部电路的驱动能力,减少IC内部的驱动,或驱动比芯片电源电压高的负载。本文SLKOR将介绍MOS管的源极和漏极的区别。
具有高耐压与电流能力的MOS管AO9435,可用于电机驱动和电源电路
合科泰电子AO9435 MOS管在电气性能、控制简便性、可靠性、稳定性、小体积以及工作效率等方面均表现出色,应用在消费电子、电源、计算机、汽车电子、工控以及仪器仪表等多个领域,是很多电子设备中不可或缺的元件之一。
60V/50A的N沟道MOS场效应管SL50N06D,具有高频率、大电流、抗冲击能力强等优点
SL50N06D是一款N沟道MOS场效应管,采用先进的Trench技术生产。其具有较高的漏源电压(60V)和连续漏极电流(50A),具有高频率、大电流、抗冲击能力强等优点。它在BLDC电机技术领域不仅能够提高电力传动系统的效率和性能,还能够实现更加智能化的控制,通过对电机相电流进行高精度调控,实现了电机的高效、平稳运行。
30V/8.5A的低压MOS管SLP240C03D,具备高功率和电流处理能力
萨科微半导体的低压MOS管SLP240C03D是一种N+P互补型MOS管,它的漏源电压为30V,连续漏极电流为8.5A。在Vgs为10V,Id为8.5A时,导通电阻为19mΩ,阈值电压为1.6V@250μA。它具备高功率和电流处理能力,能够承受较高负载和压力,为电路设计提供了更大的弹性和可靠性。
合科泰连续漏极电流达60A的MOS管HKTQ30P03,可用于电池、充电器和适配器
MOS管的高集成度、低功耗、高速度、制造工艺成熟、设计灵活性、可靠性和热噪声等特点,成为很多电子产品的标配。本期,合科泰电子给大家介绍一款应用广泛的MOS管产品HKTQ30P03,其产品可靠性和广泛适用性,成为很多工程师的喜欢的MOS管之一。
电子商城
现货市场
服务
定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m,厚度2mm-100mm,单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
最小起订量: 1片 提交需求>
可烧录IC封装SOP/MSOP/SSOP/TSOP/TSSOP/PLCC/QFP/QFN/MLP/MLF/BGA/CSP/SOT/DFN;IC包装Tray/Tube/Tape;IC厂商不限,交期1-3天。支持IC测试(FT/SLT),管装、托盘装、卷带装包装转换,IC打印标记加工。
最小起订量: 1pcs 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论