在EV应用中使用第4代SiC MOSFET的效果
EV(电动汽车)有多种类型。如图8所示,在BEV(纯电动汽车)、HEV(混合动力汽车)、PHEV(插电式混合动力汽车)和Series HEV(串联式混合动力汽车)等不同的产品类型中,电源架构会因具体用途而有所不同。其中,最近备受关注的是BEV的双向/快速充电应用中的电池电压为400V或800V的电源架构。
图9是BEV电源架构框图示例。这里的OBC(车载充电器)采用的是V2G(Vehicle To Grid)技术,双向图腾柱PFC和双向CLLC(对称LLC)是最近备受关注的电路拓扑。电力从该OBC的输出端供应给辅助电源用DC-DC转换器、电池、逆变器升压用和主驱牵引逆变器。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由星晴123转载自ROHM(罗姆)论坛,原文标题为:在EV应用中使用第4代SiC MOSFET的效果:EV应用,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
相关推荐
解读SiC MOSFET关键参数——Rds(on)
当代电子技术的发展不仅需要高效性能,还需要可靠和可持续的解决方案。而SiC MOSFET作为一种新型的功率器件,正在引领着未来能源转型的浪潮。今天,我们要聊的主角是碳化硅MOSFET中的一个关键参数——Rdson,这个参数的优化,就像是在节能减排的长跑中,为我们的电动汽车、可再生能源系统换上了更轻盈的跑鞋。
技术探讨 发布时间 : 2024-07-11
SiC MOSFET损耗计算方法:通过波形的线性近似分割来计算损耗的方法
本文ROHM将介绍根据在上一篇文章(《SiC MOSFET损耗计算方法:开关波形的测量方法》)中测得的开关波形,使用线性近似法来计算功率损耗的方法。
技术探讨 发布时间 : 2024-05-25
SiC MOSFET损耗计算方法:开关波形的测量方法
关于根据开关波形计算功率损耗的方法,本文中ROHM将为大家介绍SiC MOSFET开关波形的测量方法。近年来,一些示波器已经具备可以自动计算并显示所观测波形的功率损耗的功能,但如果没有该功能,就需要通过测得的波形来计算损耗了。为此,需要了解具体的测量方法和波形。
技术探讨 发布时间 : 2024-05-11
【应用】三相全桥1200V SiC MOSFET智能功率模块(IPM)助力电动汽车功率转换器设计
本文讨论了在电动汽车应用的功率转换器设计中选择CISSOID的1200V三相全桥SiC MOSFET智能功率模块(IPM)体系所带来的益处,尤其表现在该体系是一个可扩展的平台系列。该体系利用了低内耗技术,提供IPM这种已整合的解决方案。
应用方案 发布时间 : 2021-08-26
罗姆即将亮相2024慕尼黑电子展,并展示其在“电动交通”、“汽车”和“工业”主题下的最新解决方案
罗姆即将亮相2024慕尼黑电子展,展示其先进的功率和模拟技术,旨在提高汽车和工业应用中的功率密度、效率和可靠性。这些先进技术对于满足现代电子系统日益增长的需求至关重要,特别是在可持续性和创新的背景下。
原厂动态 发布时间 : 2024-11-06
ROHM(罗姆) SiC(碳化硅)MOSFET选型指南(中文)
描述- SiC MOSFET原理上在开关过程中不会产生拖尾尾电流,可高速运行且开关损耗低。低导通电阻和小型芯片尺寸造就较低的电容和栅极电荷。此外,SiC还具有如导通电阻增加量很小的优异的材料属性,并且有比导通电阻可能随着温度的升高而上升2倍以上的硅(Si)器件更优异的封装微型化和节能的优点。
型号- SCT3160KL,SCT4062KR,SCT3030KLHR,SCT4013DE,SCT3080AW7,SCT2450KE,SCT3160KW7,SCT2H12NZ,SCT4062KW7HR,SCT2450KEHR,SCT4013DR,SCT3060ALHR,SCT3040KRHR,SCT3060ARHR,SCT3040KLHR,SCT4036KEHR,SCT4045DRHR,SCT3022KLHR,SCT2160KE,SCT3080KW7,SCT3017ALHR,SCT3022AL,SCT3080ALHR,SCT3060AR,SCT3105KLHR,SCT4036KR,SCT3060AL,SCT4026DEHR,SCT4062KRHR,SCT3040KR,SCT2080KE,SCT3080KR,SCT3105KRHR,SCT3120AL,SCT4013DW7,SCT3030KL,SCT4062KWAHR,SCT4062KE,SCT3080ARHR,SCT4036KW7,SCT2280KEHR,SCT3120ALHR,SCT2280KE,SCT4062KWA,SCT3030AR,SCT3030AL,SCT3030AW7,SCT4036KRHR,SCT4045DEHR,SCT3120AW7,SCT3040KL,SCT3105KW7,SCT2080KEHR,SCT4018KW7,SCT4045DWA,SCT3080KL,SCT3030ALHR,SCT4062KW7,SCT3040KW7,SCT3022ALHR,SCT3030ARHR,SCT4045DW7,SCT3017AL,SCT4036KE,SCT4018KE,SCT4045DE,SCT4026DW7,SCT4062KEHR,SCT3080AR,SCT4026DW7HR,SCT4026DE,SCT4026DWA,SCT3160KLHR,SCT3080AL,SCT4045DW7HR,SCT4045DR,SCT2160KEHR,SCT3022KL,SCT4018KR,SCT4026DR,SCT4045DWAHR,SCT3105KL,SCT3160KW7HR,SCT3105KR,SCT3080KLHR,SCT3060AW7,SCT4026DRHR,SCT3080KRHR,SCT4026DWAHR
ROHM(罗姆)SiC(碳化硅)MOSFET选型指南(英文)
目录- SiC MOSFETs
型号- SCT3160KL,SCT4062KR,SCT3030KLHR,SCT4013DE,SCT3080AW7,SCT2450KE,SCT3160KW7,SCT2H12NZ,SCT4062KW7HR,SCT2450KEHR,SCT4013DR,SCT3060ALHR,SCT3040KLHR,SCT4036KEHR,SCT4045DRHR,SCT3022KLHR,SCT2160KE,SCT3080KW7,SCT3017ALHR,SCT3022AL,SCT3080ALHR,SCT3060AR,SCT3105KLHR,SCT4036KR,SCT3060AL,SCT4026DEHR,SCT4062KRHR,SCT3040KR,SCT2080KE,SCT3080KR,SCT3120AL,SCT4013DW7,SCT3030KL,SCT4062KE,SCT4036KW7,SCT2280KEHR,SCT2280KE,SCT3030AR,SCT3030AL,SCT3030AW7,SCT4036KRHR,SCT4045DEHR,SCT3120AW7,SCT3040KL,SCT3105KW7,SCT2080KEHR,SCT4018KW7,SCT3080KL,SCT3030ALHR,SCT4062KW7,SCT3040KW7,SCT3022ALHR,SCT4045DW7,SCT3017AL,SCT4036KE,SCT4018KE,SCT4045DE,SCT4026DW7,SCT4062KEHR,SCT3080AR,SCT4026DW7HR,SCT4026DE,SCT4036KW7HR,SCT3080AL,SCT4045DW7HR,SCT4045DR,SCT2160KEHR,SCT3022KL,SCT4018KR,SCT4026DR,SCT3105KL,SCT3105KR,SCT3080KLHR,SCT3060AW7,SCT4026DRHR
Littelfuse电动汽车无线充电解决方案
电动汽车(EV)无线充电正日益接近现实。只需将车停在充电板上,车辆就会自动充电,而无需插电。本文介绍了Littelfuse如何帮助新型无线电动汽车充电站设计实现安全、高效和可靠。
应用方案 发布时间 : 2024-10-27
瞻芯电子解读特斯拉Model Y电动汽车Gen-4 主驱逆变器的设计改进和创新
特斯拉Model 3 电动汽车主驱逆变器率先应用碳化硅(SiC) MOSFET,开启了EV动力总成设计的新篇章。本文将比较Model Y和Model 3车型,并列举在主驱逆变器上的主要设计改进和创新。
原厂动态 发布时间 : 2023-04-11
昕感科技1200V/7mΩ SiC MOSFET,采用TO247-4PLUS封装,方便实现大电流并联
昕感科技在低导通电阻器件的开发上走在了行业的前列,于2023年推出一款1200V/7mΩ SiC MOSFET产品N2M120007PP0,使用了TO247-4PLUS封装降低器件热阻。该产品工作电流可达300A以上,具有正温度系数,可方便实现大电流并联。同时,昕感新品的漏电流极低,具备优越的高压阻断特性,方便用户使用和节省成本。
产品 发布时间 : 2024-05-18
ROHM提供支持电力电子仿真工具PSIM™的第4代SiC MOSFET仿真模型
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开始提供支持电力电子仿真工具PSIM™的第4代SiC MOSFET仿真模型。该模型可在Altair® US公司开发的电力电子和电机控制用的电路仿真工具PSIM™中使用。设计人员可从ROHM官网下载模型文件,轻松进行系统级评估。这一进展使得在更广泛的产业领域中进行高效设计和评估成为可能,并能进一步推动功率元器件的使用。
产品 发布时间 : 2024-09-15
【应用】国产SiC MOSFET IV1Q12050T4助力30KW充电模块全桥LLC设计,最高效率可达96.5%
新能源汽车的快速发展,带来充电的需求,为了满足电动汽车的快速充电,充电桩直流充电模块在其中有着不可替代的作用,本文重点介绍瞻芯电子1200V的SiC MOS管 IV1Q12050T4助力30KW充电模块全桥LLC设计,最高效率可达96.5%。
应用方案 发布时间 : 2022-03-05
走进长安,2024智能电动汽车前瞻技术与生态链合作展示交流会圆满落幕,扬杰科技展示在汽车电子领域的最新成果
7月26日,为期两天的“2024智能电动汽车前瞻技术与生态链合作展示交流会”在长安全球研发中心圆满落幕。作为行业领军企业,扬杰科技凭借其在半导体领域的深厚积累和汽车电子领域的持续创新,受邀参与本次大会。
原厂动态 发布时间 : 2024-07-29
SiC器件在电动汽车无线充电的应用及技术优势
无线电能传输技术是一种新兴的充电技术,通过电磁感应原理将电能从发射侧装置传输到接收侧装置中,再通过功率变换电路给负载进行充电,从而实现非接触式充电。近年来,电动汽车无线充电技术备受关注,并逐步走向商业化应用。本文将重点探讨碳化硅器件在电动汽车无线充电的应用及技术优势。
应用方案 发布时间 : 2024-09-06
SCT2H12NZ 1700V高耐压SiC MOSFET
型号- SCT2280KE,SCT212AF,SCT2450KE,SCT2160KEAHR,SCT2450KEAHR,SCT2H12NZ,SCT3022KL,SCT2080KE,SCT3040KL,SCT3030KL,BD7682FJ-LB-EVK-402,SCH2080KE,SCT2H12NYSCT2750NY,SCT2080KEAHR,SCT2280KEAHR,SCT2160KE
电子商城
现货市场
服务
定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m,厚度2mm-100mm,单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
最小起订量: 1片 提交需求>
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址: 西安 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论