在EV应用中使用第4代SiC MOSFET的效果
EV（电动汽车）有多种类型。如图8所示，在BEV（纯电动汽车）、HEV（混合动力汽车）、PHEV（插电式混合动力汽车）和Series HEV（串联式混合动力汽车）等不同的产品类型中，电源架构会因具体用途而有所不同。其中，最近备受关注的是BEV的双向/快速充电应用中的电池电压为400V或800V的电源架构。
图9是BEV电源架构框图示例。这里的OBC（车载充电器）采用的是V2G（Vehicle To Grid）技术，双向图腾柱PFC和双向CLLC（对称LLC）是最近备受关注的电路拓扑。电力从该OBC的输出端供应给辅助电源用DC-DC转换器、电池、逆变器升压用和主驱牵引逆变器。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由星晴123转载自ROHM（罗姆）论坛，原文标题为:在EV应用中使用第4代SiC MOSFET的效果：EV应用，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。
相关推荐
解读SiC MOSFET关键参数——Rds(on)
当代电子技术的发展不仅需要高效性能，还需要可靠和可持续的解决方案。而SiC MOSFET作为一种新型的功率器件，正在引领着未来能源转型的浪潮。今天，我们要聊的主角是碳化硅MOSFET中的一个关键参数——Rdson，这个参数的优化，就像是在节能减排的长跑中，为我们的电动汽车、可再生能源系统换上了更轻盈的跑鞋。
一文看懂瑞之辰SiC MOSFET相对于IGBT器件的优势
在功率电子领域，相较于传统的绝缘栅双极晶体管（IGBT），碳化硅（SiC）MOSFET以其卓越的性能逐渐受到业内关注，成为行业的焦点。碳化硅功率器件近年来越来越广泛应用于工业领域，目前瑞之辰旗下的碳化硅产品线包括SiC PIM大功率模块、SiC IPM智能功率模块和SiC MOSFET—TO247-4PHC器件（直插和贴装两种）。
SiC MOSFET损耗计算方法：通过波形的线性近似分割来计算损耗的方法
本文ROHM将介绍根据在上一篇文章（《SiC MOSFET损耗计算方法：开关波形的测量方法》）中测得的开关波形，使用线性近似法来计算功率损耗的方法。
【应用】三相全桥1200V SiC MOSFET智能功率模块（IPM）助力电动汽车功率转换器设计
本文讨论了在电动汽车应用的功率转换器设计中选择CISSOID的1200V三相全桥SiC MOSFET智能功率模块（IPM）体系所带来的益处，尤其表现在该体系是一个可扩展的平台系列。该体系利用了低内耗技术，提供IPM这种已整合的解决方案。
ROHM（罗姆） SiC（碳化硅）MOSFET选型指南（中文）
SiC MOSFET原理上在开关过程中不会产生拖尾尾电流，可高速运行且开关损耗低。低导通电阻和小型芯片尺寸造就较低的电容和栅极电荷。此外，SiC还具有如导通电阻增加量很小的优异的材料属性，并且有比导通电阻可能随着温度的升高而上升2倍以上的硅（Si）器件更优异的封装微型化和节能的优点。
ROHM - SIC场效应晶体管,SIC MOSFET,SCT3160KL,SCT4062KR,SCT3030KLHR,SCT4013DE,SCT3080AW7,SCT2450KE,SCT3160KW7,SCT2H12NZ,SCT4062KW7HR,SCT2450KEHR,SCT4013DR,SCT3060ALHR,SCT3040KRHR,SCT3060ARHR,SCT3040KLHR,SCT4036KEHR,SCT4045DRHR,SCT3022KLHR,SCT2160KE,SCT3080KW7,SCT3017ALHR,SCT3022AL,SCT3080ALHR,SCT3060AR,SCT3105KLHR,SCT4036KR,SCT3060AL,SCT4026DEHR,SCT4062KRHR,SCT3040KR,SCT2080KE,SCT3080KR,SCT3105KRHR,SCT3120AL,SCT4013DW7,SCT3030KL,SCT4062KWAHR,SCT4062KE,SCT3080ARHR,SCT4036KW7,SCT2280KEHR,SCT3120ALHR,SCT2280KE,SCT4062KWA,SCT3030AR,SCT3030AL,SCT3030AW7,SCT4036KRHR,SCT4045DEHR,SCT3120AW7,SCT3040KL,SCT3105KW7,SCT2080KEHR,SCT4018KW7,SCT4045DWA,SCT3080KL,SCT3030ALHR,SCT4062KW7,SCT3040KW7,SCT3022ALHR,SCT3030ARHR,SCT4045DW7,SCT3017AL,SCT4036KE,SCT4018KE,SCT4045DE,SCT4026DW7,SCT4062KEHR,SCT3080AR,SCT4026DW7HR,SCT4026DE,SCT4026DWA,SCT3160KLHR,SCT3080AL,SCT4045DW7HR,SCT4045DR,SCT2160KEHR,SCT3022KL,SCT4018KR,SCT4026DR,SCT4045DWAHR,SCT3105KL,SCT3160KW7HR,SCT3105KR,SCT3080KLHR,SCT3060AW7,SCT4026DRHR,SCT3080KRHR,SCT4026DWAHR
ROHM（罗姆）SiC（碳化硅）MOSFET选型指南（英文）
ROHM - SIC场效应晶体管,SIC MOSFETS,SIC MOSFET,SCT3160KL,SCT4062KR,SCT3030KLHR,SCT4013DE,SCT3080AW7,SCT2450KE,SCT3160KW7,SCT2H12NZ,SCT4062KW7HR,SCT2450KEHR,SCT4013DR,SCT3060ALHR,SCT3040KLHR,SCT4036KEHR,SCT4045DRHR,SCT3022KLHR,SCT2160KE,SCT3080KW7,SCT3017ALHR,SCT3022AL,SCT3080ALHR,SCT3060AR,SCT3105KLHR,SCT4036KR,SCT3060AL,SCT4026DEHR,SCT4062KRHR,SCT3040KR,SCT2080KE,SCT3080KR,SCT3120AL,SCT4013DW7,SCT3030KL,SCT4062KE,SCT4036KW7,SCT2280KEHR,SCT2280KE,SCT3030AR,SCT3030AL,SCT3030AW7,SCT4036KRHR,SCT4045DEHR,SCT3120AW7,SCT3040KL,SCT3105KW7,SCT2080KEHR,SCT4018KW7,SCT3080KL,SCT3030ALHR,SCT4062KW7,SCT3040KW7,SCT3022ALHR,SCT4045DW7,SCT3017AL,SCT4036KE,SCT4018KE,SCT4045DE,SCT4026DW7,SCT4062KEHR,SCT3080AR,SCT4026DW7HR,SCT4026DE,SCT4036KW7HR,SCT3080AL,SCT4045DW7HR,SCT4045DR,SCT2160KEHR,SCT3022KL,SCT4018KR,SCT4026DR,SCT3105KL,SCT3105KR,SCT3080KLHR,SCT3060AW7,SCT4026DRHR
应用笔记 | SiC模块并联驱动振荡的抑制方法
由于并联使用这样的高速元件，有时会发生元件间的并联驱动振荡 (以下简称振荡)。发生振荡的话元件有破坏的危险，因此抑制对策是市场的重要课题之一。本应用笔记将介绍有效抑制功率模块振荡的方法。
【应用】国产SiC MOSFET IV1Q12050T4助力30KW充电模块全桥LLC设计，最高效率可达96.5%
新能源汽车的快速发展，带来充电的需求，为了满足电动汽车的快速充电，充电桩直流充电模块在其中有着不可替代的作用，本文重点介绍瞻芯电子1200V的SiC MOS管 IV1Q12050T4助力30KW充电模块全桥LLC设计，最高效率可达96.5%。
BMH027MR07E1G3 SiC MOSFET模块
该资料介绍了Basic Semiconductor公司生产的BMH027MR07E1G3型号650V SiC MOSFET模块。该模块具有低导通电阻、高电流密度、低开关损耗等特点，适用于高频转换器/逆变器、DC-DC转换器、电动汽车充电器和UPS系统等领域。
基本半导体 - SIC MOSFET MODULE,SIC MOSFET模块,BMH027MR07E1G3,DC-DC CONVERTERS,HIGH FREQUENCY CONVERTER,SOLAR APPLICATIONS,EV CHARGERS,UPS SYSTEMS,电动汽车充电器,UPS系统,高频变频器,倒相器,INVERTERS,太阳能应用,DC-DC转换器
罗姆第4代SiC MOSFET裸芯片批量应用于吉利集团电动汽车品牌“极氪”3种主力车型
日前，搭载了罗姆第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模块成功应用于“极氪”电动汽车3种车型的主机逆变器上，有助于延长车辆续航距离以及提高性能。
CRXQF40M120G1 SiC MOSFET 1200V，40mΩ，55A
本资料介绍了CRXQF40M120G1型碳化硅（SiC）MOSFET的特性、应用领域和电气参数。该器件具有高阻断电压、低导通电阻、高速开关特性，适用于太阳能逆变器、开关电源、高压直流/直流转换器和电动汽车充电器等领域。
华润微电子 - SIC场效应晶体管,SIC MOSFET,CRXQF40M120G1,高压DC/DC变换器,SOLAR INVERTERS,HIGH VOLTAGE DC/DC CONVERTERS,EV CHARGE,太阳能逆变器,EV充电,模式电源开关,SWITCH MODE POWER SUPPLIES
SiC器件在电动汽车无线充电的应用及技术优势
无线电能传输技术是一种新兴的充电技术，通过电磁感应原理将电能从发射侧装置传输到接收侧装置中，再通过功率变换电路给负载进行充电，从而实现非接触式充电。近年来，电动汽车无线充电技术备受关注，并逐步走向商业化应用。本文将重点探讨碳化硅器件在电动汽车无线充电的应用及技术优势。
SiC MOSFET 栅极-源极电压的浪涌抑制方法 Application Note
本应用手册主要探讨了SiC MOSFET在开关动作过程中栅极-源极电压浪涌的产生原因及抑制方法。详细分析了桥式电路中开关动作产生的栅极-源极电压浪涌现象，并提出了浪涌抑制电路的设计方案，包括正向和负向浪涌的抑制措施。同时，对浪涌抑制电路的布线设计进行了说明，以确保电路的稳定性和效率。
ROHM - SIC场效应晶体管,SIC MOSFET,SCT3040KR,SCT3040KR 4L
IV1Q12080D7Z–1200V 80mΩ汽车用SiC MOSFET
本资料介绍了InventChip Technology Co., Ltd.生产的1200V 80mΩ Automotive SiC MOSFET的特性、应用领域和电学参数。该器件具有低阻抗封装、高阻断电压、快速开关速度、高结温操作能力等特点，适用于太阳能逆变器、电动汽车充电器、高压直流/直流转换器和开关模式电源等领域。
瞻芯电子 - AUTOMOTIVE SIC MOSFET,汽车级SIC MOSFET,IV1Q12080D7Z,电动汽车电池充电器,SOLAR INVERTERS,高压DC/DC变换器,HIGH VOLTAGE DC/DC CONVERTERS,EV BATTERY CHARGERS,太阳能逆变器,SWITCH MODE POWER SUPPLIES,模式电源开关
BMF240R12E2G3 SiC MOSFET模块
该资料介绍了BASiC Semiconductor Ltd.生产的BMF240R12E2G3 SiC MOSFET模块，这是一种1200V SiC MOSFET模块，适用于高频转换器、逆变器、DC-DC转换器、电动汽车充电器、不间断电源系统和太阳能应用。
基本半导体 - SIC 1200V MOSFET半桥模块,SIC MOSFET MODULE,SIC 1200V MOSFET HALF BRIDGE MODULE,SIC MOSFET模块,BMF240R12E2G3,DC-DC CONVERTERS,HIGH FREQUENCY CONVERTER,SOLAR APPLICATIONS,EV CHARGERS,高频逆变器,UPS SYSTEMS,电动汽车充电器,UPS系统,高频变频器,太阳能应用,DC-DC转换器,HIGH FREQUENCY INVERTERS
电子商城
现货市场
服务
定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m，厚度2mm-100mm，单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
最小起订量： 1片 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论