AI笔记本电脑TYPE-C接口的EOS防护与世晶半导体的创新解决方案
随着人工智能(AI)技术的迅猛发展,越来越多的应用场景需要强大的计算能力来支持复杂的数据处理和分析任务。笔记本电脑作为便携式计算设备,在满足 AI 需求方面也有其一套独特的配置要求,随着应用场景愈加复杂,目前业内对于静电测试以及防护方案已经比较成熟,但是产品仍然有一定比例的返修,分析失效原因中比例最高的就是EOS。
EOS是Electrical Over Stress的缩写,本身是一个宽泛的概念,即元器件承受了过高的电压/电流,本文中所指的EOS表示符合IEC61000-4-5标准中所规定的的雷击/浪涌能量,目前消费行业使用的测试波形为1.2/50μs开路电压和8/20μs短路电流波形(如图一),使用的阻抗网络为2Ω。
图一:1.2/50μS开路电压波形(上)和8/20μS短路电流波形(下)
相较于ESD,EOS的持续时间更长,能量远大于ESD。所以在评估防护EOS的TVS时,需要更多的考虑TVS管的最大耗散电流(Ipp),此参数是用来描述TVS管本身对于EOS的耐受度,Ipp越大表示对浪涌图二:Type-C Vbus EOS测试设置能量的耐受度越强。在系统应用中,不仅要考虑TVS管的耐受度,更要考虑TVS管的保护效果,关键参数就是浪涌钳位电压(Vcl-surge),Vcl越低表示保护效果越强。
图二:Type-C Vbus EOS测试设置
笔记本电脑上目前Type-C接口的应用迎来了爆发式的增长,新推出产品上至少有一个Type-C接口。Type-C支持PD协议,可以将其作为电源接口使用,显著提高了使用者的体验,随之而来的,是以往产品设计上未曾遇到的挑战,电源线Vbus上可能会受到极强的EOS能量冲击,这种能量冲击包括但不限于线缆插拔,连接器接触不良等因素。这种能量一旦损坏PD控制芯片,整个电脑可能无法开机。所以TVS的高耐受度和强防护性能缺一不可。
世晶半导体推出的SEO24VFHN203, Ipp可以达到250A,Vcl=35V@150A,能够有效的保护后端脆弱的PD控制芯片。并且SEO24VFHN203是业内广泛采用的DFN2020-3L封装,从供应角度也是非常合适的选择。美中不足的是,这种封装占用PCB面积较大。目前世晶已经推出采用DFN1610-2L(0603) 较小封装的ST24VFHN162,DNF1006-2L封装更小性能更强的产品也开发出来。
Type-C接口不只有Vbus可能出现EOS现象,数据接口也有可能遭受浪涌能量的冲击,其中USB 2.0的D+/D-一般与CPU直接相连,一旦烧毁CPU将导致极高的返修成本;CC,SBU端口也同样会出现EOS现象。如图二所示,针对数据端口目前很多品牌厂商已经开始执行EOS测试要求。由于数据端口需要考虑寄生电容的影响,世晶半导体的SST5VLBN102,寄生电容值为0.8pF(Typ.),具有20A的IPP,钳位电压在20A时仅有9V;这颗TVS的优势会更大。
对于Type-C的高速差分接口TX/RX的EOS防护,目前也是行业内关注的重点,由于信号速率更高,要求TVS超低电容,同时还要兼顾耐受度和保护效果。所以在评估防护方案时,SSE5VRBN102是非常合适的选择,这颗TVS的寄生电容仅有0.2pF(Typ.),可以支持到USB4的速率,IPP能够达到6A,并且Vcl=5.8V@6A,能够非常好的保护后端IC,封装为DFN1006-2L(0402)。
笔记本电脑外部接口EOS返修的另一个高发部位是HDMI接口。由于sink端常常是带电的,线缆频繁的插拔非常容易导致EOS现象的发生,所以需要更强浪涌防护能力的TVS,世晶半导体的SSE3V3RN2510能够在HDMI2.0的接口上提供IPP=4.5A,并且Vcl=7V@4.5A。随着产业的发展,HDMI2.0向HDMI2.1过渡,数据速率从16Gbps提升到48Gbps,后端IC更加敏感,对TVS的钳位电压和寄生电容提出了更高的要求,世晶半导体的ST5VXN2510,寄生电容小于0.2pF,IPP可达4.2A,并且提供Vcl=13V@4.2A的强大保护能力,支持HDMI2.1。在HDMI的低速接口上,我们同样有集成式的SST3V3LT236提供强大的EOS防护能力,IO口的IPP可达20A。
随着客户需求的多样化,PC产业依旧在飞速发展,越来越多的品牌厂商不仅在更多的接口上执行EOS测试,而且测试等级要求更为严格;世晶半导体在行业内有丰富经验的解决方案,能够帮助客户快速准确的解决问题。
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型号- Q115,TFMOV10M625,RT121,SFV20D181KT,SFV10S221K,SFV20D 系列,SFV10D T,SK115,SFV7D391KM,SCF520,SFV10D M,U 系列,TS136-RHZ,SFV25D151K,SCF63212.5A,TFMOV20S391X,SC625,TM102,SFV14D101K,SFV10D561KM,SFV10D561KT,SFV20D181KM,SZ 系列,RT128,RS263,RT110,SY95,SFV34S241K,TFMOV20M460,Q102,TFMOV25SXXXL 系列,SFV53D621K,TFMOV25D122X,SK102,SFV7D391KT,SFV10D112KT,SCF520PF12A,TG102C-HQZ,SFV25S151K,SFV14D102K,SFV20D511K,SFV10D112KM,SF2,TM115,RT117,SF4,SK130,SF8,RT144,Q136,TFMOV34S431X,SFV7D621K,TFMOV10S390,TFMOV10S391,SK135,SFV10D681KT,SM34S121P1GBB,SFV7D151KT,SM20M230A404 系列,RXF21SC,RXF21SB,TFV10S361K,SFV10D681KM,TS136-RJZ,TFMOV25S560X,TFMOV15S680,5KP,TFMOV15S681,SFV14D301KT,SFV14D301KM,TFMOV21R2P 系列,SCF63210A,TFMOV15S201,SM08B230N203,SFV10S220K,TFMOV20K821X,TFMOV25D471X,Q125,SFV15S 系列,SK125,SCF520P 系列,SFV7D151KM,SD 系列,SCF6328A,1.5KE 系列,TFMOV25S561X,RT134,TGXXXC 系列,X16,SCF6322.5A,X18,X17,RSK187A-KSS,SFV20D431KT,SGT520-1.25A,SFV34S331K,TFMOV25S121X,SD20R 系列,SCT520 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【方案】支持8端口的单芯片以太网供电(POE)优选器件方案
描述- 本方案通过采用单芯片,可以提供8个供电端口,采用高性能TVS保护器件,提供±4KV 共模,±2KV差模浪涌防护等级,支持IEEE802.3 AT标准,实现更加高效稳定的以太网供电系统。
型号- SI3406,SMBJ,SMAJ,SMDJ,SMCJ,SI34061,SI34062,D10JDB80V,SMF,SI8600,EFM8BB,SI860X,SI3459,SI3404,SLVU2.8-4BTG-S,S1ZB60
应能微智能门锁ESD&EOS整体解决方案
应能微(APM)针对智能门锁的ESD&EOS防护,提供高紧凑度、大电流、低钳位电压、低漏电、超高稳定性的ESD&EOS防护器件系列TVS以及完整的器件组合,根据不同接口的静电等级及浪涌电压电流要求和被保护IC的灵敏度选择合适的产品。
智能手表产品应用方案
型号- SE5VLVBN062,SEO26VFN203,SE5VFBN102,SST5VLBN102,SM30P044SG,SE5VLBN062,SD31A01N062,SVP5301,SME20N007SD,SSE3V3XBN062,ST5VFBN062,SVPA2601,SD401AN102,SE5VFBN062,SDTC143N103,SEO4V5FN203,SST5VXBN062,SD40A1D322,SME20P013SD,SEO4V5FD322,SSE22VUBN062,SD40A02N102,SME20P013DD,SEO24VFCN203,ST4V5FHN102,SME20N007DD
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可定制连接器的间距范围1.25mm~4.5mm、单列/双列列数、焊尾/表面贴装/浮动式等安装方式、镀层、针数等参数,插拔寿命达100万次以上。
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