【元件】 基本半导体推出工业级Pcore™2 E2B碳化硅MOSFET半桥模块BMF240R12E2G3
Pcore™2 E2B 封装
1200V 240A 大功率碳化硅MOSFET模块
BMF240R12E2G3是基本半导体为更好满足工业客户对高效和高功率密度需求而开发的一款1200V 240A大功率碳化硅MOSFET半桥模块,该模块采用了Press-Fit压接工艺、带NTC温度检测以及高封装可靠性的氮化硅(Si3N4)AMB陶瓷基板等技术,在导通电阻、开关损耗、抗误导通、可靠性等方面表现出色,可应用于大功率快速充电桩模块、不间断电源UPS、高频DCDC变换器、高端工业焊机等领域。
产品拓扑
产品特点
●高晶圆可靠性:新型内部构造极大抑制了碳化硅晶体缺陷引起的RDS(on)退化。
●优异抗噪特性:宽栅-源电压范围(VGS: -10V~+25V),及更高阈值电压(VGS(th).typ = 4.0V),便于栅极驱动设计。
●高热性能及高封装可靠性:高性能氮化硅AMB陶瓷基板及高温焊料引入,改善温度循环的CTE失配,陶瓷板的可靠性大幅提升。
●Press-Fit连接技术
●集成NTC温度传感器
应用优势
●低导通电阻
●低开关损耗
●提高系统效率,降低系统散热需求
●提高开关频率,以降低设备体积,提高功率密度
●高阈值电压,降低误导通风险
应用领域
●大功率快速充电桩
●不间断电源UPS
●储能系统ESS
●高端工业电焊机
●高频DCDC变换器
●工业伺服电机
产品列表
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由出山转载自基本半导体 微信公众号,原文标题为:产品速递 | 工业级Pcore™2 E2B碳化硅MOSFET半桥模块,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
相关推荐
【IC】基本半导体推出单通道智能带短路保护的隔离驱动芯片BTD3011R系列,绝缘电压高达5000Vrms
BTD3011R单通道智能带短路保护的隔离门极驱动芯片采用磁隔离技术,集成退饱和短路保护、软关断功能、原副边欠压保护、副边电源正压稳压器,极大简化外部电路设计,用于电压等级1200V内的IGBT或碳化硅MOSFET驱动。
产品 发布时间 : 2023-10-09
【元件】基本半导体新品工业级全碳化硅MOSFET功率模块,更好满足客户对高功率密度需求
基本半导体开发推出了工业级全碳化硅MOSFET功率模块Pcore™2 E1B和Pcore™4 E1B。该系列产品采用了Press-Fit压接工艺、带NTC温度检测以及高封装可靠性的氮化硅(Si3N4)AMB基板等技术,在比导通电阻、开关损耗、抗误导通、抗双极性退化等方面表现出色。
产品 发布时间 : 2024-10-28
【元件】基本半导体新推出Pcore™2汽车级DCM碳化硅MOSFET模块,工作结温高达175℃
汽车级DCM碳化硅MOSFET系列模块PcoreTM2是基本半导体专为新能源汽车主驱逆变器应用设计的一款高功率密度的碳化硅功率模块。产品具有低动态损耗、低导通电阻、高阻断电压、高电流密度、高可靠性等特点,可支持连续运行峰值结温至175℃,以及具备650Arms以上连续峰值相电流输出。
产品 发布时间 : 2023-11-27
基本半导体(BASIC)碳化硅功率器件选型指南
描述- 深圳基本半导体有限公司是中国第三代半导体行业创新企业,专业从事碳化硅功率器件的研发与产业化。公司总部位于深圳,在北京、上海、无锡、香港以及日本名古屋设有研发中心和制造基地。公司拥有一支国际化的研发团队,核心成员包括二十余位来自清华大学、中国科学院、英国剑桥大学、德国亚琛工业大学、瑞士联邦理工学院等国内外知名高校及研究机构的博士。
型号- B2D05120E1,B2M1000170Z,B2M1000170R,BTD5350SBPR,BTL27523R,B2M080120Z,BMS600R12HLWC4_B01,B3D40120HC,B2D40065H1,BGH75N65HS1,BD2M040A120S1,B2M080120R,BGH75N65ZF1,B2D,B2D60120H1,BMS800R12HWC4_B02,BMS950R08HLWC4_B02,BTL27523B,B2M080120H,B2D16120HC1,B3D03120E,BGH40N120HS1,B2DM060065N1,BTD5350E,BTD5350SBWR,BTD5350EBPR,B3D系列,BTD21520M,BTL27524R,B2D30120H1,BTD21520E,BTD5350MBPR,BD2D20A120S1,BD2D40A120S1,B3D,BTL27524BR,BTL27524B,B2D02120K1,BTD21520S,BMF800R12FC4,BTL2752X,AB2M040120Z,BD2D10A065S1,B2M040120H,BTD25350MMCWR,BTD21520系列,BTD3011R,BTD21520MBWR,B2D10120E1,AB2M040120R,BTD5350SCPR,BMF240R12E2G3,BMF600R12FC4,BMS700R08HWC4_B01,BTD21520EBWR,B2D08065K1,B2M032120Y,BTD25350MECWR,BTD5350EBWR,B2D30120HC1,B2D40120HC1,BD2D04A065S1,B2D10065F1,B2M040120Z,B2M009120Y,BD2M065A120S1,BD2D02A120S1,BMF700R08FC4,B2D系列,B1D06065KS,B2D40120H1,B2M040120R,BMS950R08HWC4_B02,BGH50N65HS1,BGH50N65ZF1,B2D10065KF1,B2D04065E1,BTD5350,BTD5350SCWR,B3D40200H,BTD5350ECPR,BTD5350M,BTD5350MBWR,BTD21520MBPR,BTD5350S,B2D08065KS,BD2D30A120S1,BTD5350MCPR,B2D20065F1,BD2D08A120S1,B2M1000170H,BTL27523BR,BMS800R12HLWC4_B02,BD2D15A065S1,BD2D20A065S1,B2D20120H1,B2M160120Z,BTD25350MMBWR,B2D10120K1,BTD21520MAWR,B2D20065HC1,B2D30065HC1,BTD25350,B2M160120R,BTD21520EAWR,B2D40065HC1,BMS700R08HLWC4_B01,BTD5350ECWR,BTD25350MEBWR,B2D04065KF1,BGH75N65HF1,B2D10065KS,BTD21520EBPR,BMZ200R12TC4,BTD21520SBWR,B2D04065K1,B3D20120H,BMS600R12HWC4_B01,B2M160120H,BGH75N120HF1,B2M030120R,BD2D08A065S1,BTD25350系列,B2M011120HK,BTD21520SBPR,BTD3011R系列,BTD21520MAPR,B2M030120Z,B2M009120N,BTD5350MCWR,B2D06065K1,BTD5350系列,BMZ250R08TC4,B2M012120N,B3D50120H2,BTD25350MSCWR,BTL2752X系列,B2D20065H1,B2D10065E1,B2M030120H,BD2D30A065S1,B2D06065KF1,B2D05120K1,B2D02120E1,B2D06065E1,BMF950R08FC4,BD2D05A120S1,BGH50N65HF1,B2D20120F1,BD2D15A120S1,B2D20120HC1,B2D10120HC1,BTD21520EAPR,BTD25350ME,BTD21520SAWR,BTD21520,B2D20065K1,B2M018120Z,BTD25350MM,BTD25350MS,B2D16065HC1,AB2M080120R,B2D10120H1,B2M018120N,BD2D06A065S1,B2D30065H1,B2M065120Z,BTD21520SAPR,AB2M080120H,B2M065120R,B2M018120H,B2M065120H,BD2D10A120S1,BTL27523,B2D10065K1,AB2M080120Z,BTD25350MSBWR,B2M020120Y,BTL27524,B3D05120E,B2DM100120N1,BD2D40A065S1
【元件】基本半导体于2023年全球最大功率半导体展会PCIM发布第二代碳化硅MOSFET系列新品
基本半导体新一代产品性能大幅提升,产品类型进一步丰富,助力新能源汽车、直流快充、光伏储能、工业电源、通信电源等行业实现更为出色的能源效率和应用可靠性。碳化硅MOSFET具有优秀的高频、高压、高温性能。
新产品 发布时间 : 2023-05-13
显著提升充电桩充电效率,基本半导体应用于高压快充的E2B碳化硅功率模块方案解析
基本半导体PcoreTM2 E2B全碳化硅半桥MOSFET模块BMF240R120E2G3基于高性能晶圆平台设计,在比导通电阻、开关损耗、抗误导通、可靠性等方面表现出色。在高压快充的大背景下,以基本半导体为代表的碳化硅功率器件企业将不断加大研发力度,确保先进技术能紧跟行业趋势和市场需求,为充电桩设备制造企业提供更高性能的碳化硅功率器件。
器件选型 发布时间 : 2024-07-08
展会前沿 | 基本半导体携多款碳化硅新品精彩亮相2024 SNEC国际光伏展
6月13-15日,SNEC第十七届(2024)国际太阳能光伏与智慧能源大会暨展览会在国家会展中心(上海)隆重举办。本届展会汇聚了超过3500家全球光伏产业链企业,共同展示最前沿的科技成果和技术产品,吸引逾50万专业观众参与。基本半导体携2000V/1700V系列高压碳化硅MOSFET、第三代碳化硅MOSFET、工业级碳化硅功率模块PcoreTM2 E1B、工业级碳化硅半桥顶部散热MOSFET模块等
原厂动态 发布时间 : 2024-06-27
基本半导体碳化硅功率器件的九个问答
基本半导体核心产品包括碳化硅二极管和MOSFET芯片、汽车级碳化硅功率模块、碳化硅驱动芯片等,性能达到国际先进水平,服务于光伏储能、电动汽车、轨道交通、工业控制、智能电网等领域的全球数百家客户。本文基于基本半导体产品常见的FAQ问题进行了汇总。
原厂动态 发布时间 : 2022-11-03
基本半导体携全系碳化硅产品赴欧亮相PCIM EUROPE 2022,为开拓海外市场打开新局面
5月10-12日,基本半导体携旗下全系碳化硅功率器件及驱动产品首次亮相PCIM EUROPE,为现场嘉宾带来了专业高效的功率器件解决方案,向世界展示了来自中国的第三代半导体技术。
原厂动态 发布时间 : 2022-05-20
【产品】车规级全碳化硅功率模块BMB200120P1,专为新能源汽车主逆变器应用设计
BMB200120P1是基本半导体为新能源汽车主逆变器应用推出的车规级全碳化硅功率模块。该模块采用业内主流的单面水冷散热形式,为高效电机控制器设计提供便利。单模块采用半桥拓扑形式,内部集成两单元1200V/200A碳化硅MOSFET和碳化硅续流二极管。单模块200A的输出电流能力可有效减少逆变器中功率器件数量,降低系统设计难度,同时提升系统可靠性。
新产品 发布时间 : 2019-07-01
【产品】破解绝缘和导热痛点!基本半导体力推内绝缘型TO-220封装碳化硅肖特基二极管
近期,基本半导体推出内绝缘型的TO-220封装碳化硅肖特基二极管产品。该产品在内部集成一个陶瓷片用于绝缘和导热,可简化生产步骤,提高生产质量和整机的长期可靠性,有效解决产业界痛点问题。内绝缘TO-220封装外形跟普通铁封TO-220产品基本一致,但其背面散热器不再是二极管的阴极,属于悬浮电位。
新产品 发布时间 : 2020-08-19
【IC】基本半导体推出支持米勒钳位的双通道隔离驱动芯片BTD25350,能高效可靠地抑制碳化硅MOS误开通
基本半导体自主研发推出可支持米勒钳位功能的双通道隔离驱动芯片BTD25350,此驱动芯片专为碳化硅MOSFET门极驱动设计,能高效可靠地抑制碳化硅MOSFET的误开通,该驱动芯片目前被广泛应用于光伏储能、充电桩、车载OBC、服务器电源等领域中。
产品 发布时间 : 2024-06-26
电子商城
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址: 西安 提交需求>
提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务,使用直流电源分析仪测量精度达50µV,8nA,波形发生器带宽100kHz,输出功率300W,示波器200kHz,512 kpts
实验室地址: 深圳/苏州 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论