低耗散功率NMOS管HKTQ80N03,漏源导通电阻仅0.0052Ω,可用于BMS/快充/电机驱动等应用
MOS管有N沟道MOS和P沟道MOS等,N沟道MOS是在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底上,制作两个高掺杂浓度的N+区,并用金属铝引出两个电极,分别作漏极D和源极S。然后在半导体表面覆盖一层很薄的二氧化硅绝缘层,在漏极和源极间的绝缘层上再装上一个铝电极作为栅极G,在衬底上也引出一个电极B,这就构成了一个N沟道增强型MOS管。本期,合科泰给大家介绍一款N沟道MOS管HKTQ80N03,它可用于开关电路和电机驱动等上面。
特性
这款产品具有很好的电学特性(VDS=30V,RDS(ON)≤5.2mΩ@VGS=10 V,ID=20A),它的漏源电压30V,栅源电压±10V,连续漏极电流80A,漏源导通电阻0.0052欧姆,最小栅极阈值电压1V,最大栅极阈值电压2.5V,耗散功率37mW,整机重量约0.012克,非常轻巧。HKTQ80N03的导通电阻非常低,耗散功率低,非常适用于低功耗应用,可用于负载开关应用,连续漏极电流非常大,适用于DC到DC转换器应用等。
HKTQ80N03采用的整机表面贴装的PDFN3333封装技术,这款产品具有很小的体积,很薄,非常适用于体积小的电子设计方案,满足很多终端客户对小型化、功能系统化、模块化封装等设计要求。
HKTQ80N03产品的散热性能好,产品具有非常出色的热传导性能、电气性能和机械强度。
应用
合科泰生产的HKTQ80N03管子具有稳定、可靠、低功耗、开关速度快等特点,可用于电源、BMS、电机驱动、负载开关、功率放大器和充电器等应用,产品在电路中具有开关、调节电压和电流、信号放大、电路保护等作用。
以35W快充等应用为例,HKTQ80N03管子在这些产品里面得到了非常广泛的运用。比如,NMOS产品在35W快充产品中,通常对N-MOS管这个开关管的低档要求是:30V/ 20A/10mΩ/ PDFN3333,合科泰可用于VBUS开关的N-MOS管封装是PDFN5X6和PDFN3333,HKTQ50N03与HKTQ80N03这两款产品可满足要求。
电池管理系统的主要功能是实现电池单元的智能化管理及维护,通过状态监测、异常故障保护等来监管电池状态。在锂电池保护板上,MOS管的主要作用是检测过充电、充放电时过电电流、短路时过电电流等,NMOS产品被广泛应用于电池管理系统中。
NMOS可作为电池组的主开关,同时,NMOS类型也通过电荷泵用于高端开关。在电池管理系统中,通常会利用MOSFET的开关特性去控制电池对外供电主回路的切断和闭合,在一些不间断电源的场景上,需要电池管理系统在微控制器重启或者升级过程中,MOSFET的导通状态不发生变化,并维持原有的状态。合科泰可用于电池管理系统上的N-MOS管封装是PDFN5X6和PDFN3333,HKTQ50N03与HKTQ80N03这两款产品可满足要求。
N沟道MOS管的应用包括用于低电压设备,如使用电机和直流电源的全桥和B6桥布置,有助于将电机的负电源反向切换。N沟道MOS管在饱和区和截止区工作,它就像一个开关电路,这些MOS管用于将LAMP投影仪或LED进行ON/OFF切换。在大电流应用中,N沟道MOS管是非常适合的,在电机驱动和电动车控制器等应用上,N沟道MOS管的应用也很多,合科泰HKTQ50N03与HKTQ80N03这两款产品可满足要求。
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