低耗散功率NMOS管HKTQ80N03，漏源导通电阻仅0.0052Ω，可用于BMS/快充/电机驱动等应用

时间： 2024-04-13 来源：合科泰电子（合科泰半导体公众号）

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MOS管有N沟道MOS和P沟道MOS等，N沟道MOS是在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底上，制作两个高掺杂浓度的N+区，并用金属铝引出两个电极，分别作漏极D和源极S。然后在半导体表面覆盖一层很薄的二氧化硅绝缘层，在漏极和源极间的绝缘层上再装上一个铝电极作为栅极G，在衬底上也引出一个电极B，这就构成了一个N沟道增强型MOS管。本期，合科泰给大家介绍一款N沟道MOS管 HKTQ80N03，它可用于开关电路和电机驱动等上面。

特性

这款产品具有很好的电学特性（VDS=30V,RDS(ON)≤5.2mΩ@VGS=10 V,ID=20A），它的漏源电压30V，栅源电压±10V，连续漏极电流80A，漏源导通电阻0.0052欧姆，最小栅极阈值电压1V，最大栅极阈值电压2.5V，耗散功率37mW，整机重量约0.012克，非常轻巧。HKTQ80N03的导通电阻非常低，耗散功率低，非常适用于低功耗应用，可用于负载开关应用，连续漏极电流非常大，适用于DC到DC转换器应用等。

HKTQ80N03采用的整机表面贴装的PDFN3333封装技术，这款产品具有很小的体积，很薄，非常适用于体积小的电子设计方案，满足很多终端客户对小型化、功能系统化、模块化封装等设计要求。

HKTQ80N03产品的散热性能好，产品具有非常出色的热传导性能、电气性能和机械强度。

应用

合科泰生产的HKTQ80N03管子具有稳定、可靠、低功耗、开关速度快等特点，可用于电源、BMS、电机驱动、负载开关、功率放大器和充电器等应用，产品在电路中具有开关、调节电压和电流、信号放大、电路保护等作用。

以35W快充等应用为例，HKTQ80N03管子在这些产品里面得到了非常广泛的运用。比如，NMOS产品在35W快充产品中，通常对N-MOS管这个开关管的低档要求是：30V/ 20A/10mΩ/ PDFN3333，合科泰可用于VBUS开关的N-MOS管封装是PDFN5X6和PDFN3333，HKTQ50N03与HKTQ80N03这两款产品可满足要求。

电池管理系统的主要功能是实现电池单元的智能化管理及维护，通过状态监测、异常故障保护等来监管电池状态。在锂电池保护板上，MOS管的主要作用是检测过充电、充放电时过电电流、短路时过电电流等，NMOS产品被广泛应用于电池管理系统中。

NMOS可作为电池组的主开关，同时，NMOS类型也通过电荷泵用于高端开关。在电池管理系统中，通常会利用MOSFET的开关特性去控制电池对外供电主回路的切断和闭合，在一些不间断电源的场景上，需要电池管理系统在微控制器重启或者升级过程中，MOSFET的导通状态不发生变化，并维持原有的状态。合科泰可用于电池管理系统上的N-MOS管封装是PDFN5X6和PDFN3333，HKTQ50N03与HKTQ80N03这两款产品可满足要求。

N沟道MOS管的应用包括用于低电压设备，如使用电机和直流电源的全桥和B6桥布置，有助于将电机的负电源反向切换。N沟道MOS管在饱和区和截止区工作，它就像一个开关电路，这些MOS管用于将LAMP投影仪或LED进行ON/OFF切换。在大电流应用中，N沟道MOS管是非常适合的，在电机驱动和电动车控制器等应用上，N沟道MOS管的应用也很多，合科泰HKTQ50N03与HKTQ80N03这两款产品可满足要求。

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