分享低边MOS管的驱动电路设计

时间： 2024-04-13 来源：凌讯微电子

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MOS管虽然是电压驱动，但是栅极之间有较大的结电容，打开时需要较大的充电电流，截止的时候同样需要较大的放电电流，这是一个低边MOS管驱动电路。

它的输入端由Q3还有外围，使用共机集接，构成电平转换电路，从这里接受控制输入。控制输入可以由MCU产生，将输入的3V转换成输出的12V。在这里Q1 Q2为互补的射极输出器，不存在两者同时导通短路电源的问题。一般保险起见，我们可以在输出端进行串电阻来防止意外。一般MOSS管从截止到导通需要的时间和导通到截止的时间，截止到导通的需要的时间会更长。

通过减少R1可以有效缩短截止到导通的时间，但这不是没有限制的。因为驱动源的拉电流能力是有限的，当控制电压由低变高时，栅极电压会有一个3V的台阶，这是由于Q3截止后，3.3偏置电压经过BC结馈电引起的。开关状态下，MOS管需要做到尽快的打开与尽快的关闭，而这个电路设计可以进行有效控制。

凌讯微电子是一家专注功率半导体器件研发、封装测试、销售于一体的国家高新技术企业，致力于成为卓越的功率半导体器件制造商，助力功率半导体核心器件国产化，能够为客户提供高质量，高可靠性的功率器件产品及全方位的技术支持，现有肖特基、LowVF肖特基、快恢复、高压MOS、中低压MOS、超结MOS、IGBT单管及SiC（碳化硅）二极管等主力产品线，产品广泛应用于各类电源适匹器、LED照明、无刷马达，锂电管理，逆变等领域。

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