为什么mos管电极会起名为源极栅极和漏极？
什么是功率器件？
功率器件被称为功率电子器件，即具有处理高电压和高电流能力的功率型半导体器件。它是电子部件和电子设备-发电机的统称。功率放大是晶体管的电流控制效果或FET的电压控制功能，以将电源转换为根据输入信号变化的电流。
MOSFET器件的基本概念
金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作载流子）的极性不同，可分为“N型”与“P型” 的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS、PMOS等。
MOSFET由MOS(Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体)+FET(Field Effect Transistor场效应晶体管)这个两个缩写组成。即通过给金属层(M-金属铝)的栅极和隔着氧化层(O-绝缘层SiO2)的源极施加电压，产生电场的效应来控制半导体(S)导电沟道开关的场效应晶体管
G极：栅极Gate/控制极
S极：源极Source/发射极
D极：漏极Drain/集电极
由于栅极与源极、栅极与漏极之间均采用SiO2绝缘层隔离，MOSFET因此又被称为绝缘栅型场效应管。
MOSFET分类
MOSFET按导电沟道类型可分为P沟道和N沟道。按栅极电压幅值可分为：耗尽型-当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道；增强型-对于N(P)沟道器件，栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道，功率MOSFET主要是N沟道增强型。
下图说明功率N沟道MOSFET器件的基本概念。
图2 — 示出耗尽区和电容的功率N沟道MOSFET 图
对于功率 MOSFET，漏极被偏置到一个很高的电压，漏极 - 源极电容(Cds) 和栅极- 源极电容(Cgs) 都取决于漏极直流电压值。
下面是 MOSFET交流模型。
图3— 功率MOSFET交流模型
现在我们考虑用电容表测量这三个电容中任一电容时的情况。下图是未使用AC 保护(未使用的端子被浮置) 时测量3 端器件未知电容(Cx) 的情况。
图4— 不使用AC 保护测量3 端器件的电容
从图中可看到当浮置不用的端子时，电流可通过另外两个电容器流过， 从而导致错误的测量结果。防止这种情况发生的最好方法是提供替代的电流 路径，使流过Ca 的电流不由Cb 返回CML 结点。这可以通过把不用的端子接到电容表的AC保护实现。注: 在继续往下进行前，必须了解AC 保护是自动平衡电桥的电路公共端，它接到四端对连接器的屏蔽。AC 保护与接到机箱地的接地端是不一样的。
下图显示把AC保护接到不用测量端的好处。
当把 AC保护接到第三个端子时，流过寄生路径的电流对未知电容 (Cx) 的测量准确度没有影响，因为电容测量是通过 CML 结点进行。当然，这一方案假定AC 保护结点的阻抗远低于寄生路径(Cb) 的阻抗。虽然讨论中没有包括使用 HVSMU 和高压偏置三通，我们下面将会说明如何将它们融入各电容测量中。
下图显示用高压偏置三通测量Cgd 的正确方法。
图6— 用高压偏置三通和AC 保护测量MOSFET 的栅极- 漏极(Cgd) 电容
如您所见，用高压偏置三通测量Cgd 是很简明的。同样，用高压偏置三通测量Cds 也很容易，请见下图。
图7— 用高压偏置三通和AC 保护测量MOSFET 的漏极- 源极(Cds) 电容
测量栅极 - 源极电容 (Cgs) 会遇到另两种测量不存在的挑战。除了需要把 AC 保护与漏极短路外，还需要用高压偏置漏极。
解决办法是在漏极与AC 保护间接一个大电容(远大于 Cgd 或Cds)，这样漏极看过去的AC 保护阻抗就远小于所看到的源极或漏极阻抗
。相反，我们需要通过一个相对大的电 阻器把 HVSMU 接到漏极，以防止 HVSMU 受到来自 MFCMU 的交流信号的干扰。下图说明进行这项测量的正确方法。
图8— 使用高压偏置三通和AC 保护测量栅极- 源极电容(Cgs)
注意: 虽然在这种情况下并不实际需要高压偏置三通(实际是作旁路用)， 但图中假定它正在被使用。这是因为Cgd 和Cgs 测量确需高压偏置三通，因此假定用户已经把它放在那里。
功率MOSFET技术资料中对MOSFET电容有不同规定。
所规定的典型参数是输出电容(Coss)，输入电容(Ciss) 和反向传输电容(Crss)。这些参数可按下面的公式从Cds, Cgs 和Cgd值计算得到。
我们前面已经讨论了如何测量Crss (Cgd)。也可使用 B1505A 的HVSMU， MFCMU 和高压偏置三通直接测量 Ciss 和Coss。虽然连接与Cgd、Cds 和Cgs 的情况不同。我们首先讨论其中较为简单的Coss 测量。为测量Coss，我们要像下图所示那样用导线把栅极端和源极端短路。
图9 — 用B1505A的HVSMU, MFCMU 和高压偏置三通测量Coss
注意在进行这项测量时不需要使用 AC 保护，因为所测电流正是通过Cgd 和Cds。
图10— 用B1505A 功率器件分析仪的HVSMU, MFCMU 和高压偏置三通测量Ciss
Ciss 的测量更具挑战性，因为我们需要把CMH 端接到漏极，并用高压偏置漏极。该解决方案类似于测量Cgs 的情况，因为需要建立至MFCMU CMH 端的交流连接，以及至HVSMU 的直流连接。下图说明这项技术。
图11 — 用B1505A 进行大功率MOSFET 电容测量
将大型电容器放在CMH 和漏端子之间，使交流信号中的漏极至源极电容(Cds) 短路。隔直流电容器的电容要明显大于栅极- 漏极电容(Cgd)，因此， CMH 和CML 端子间的有效阻抗仅包含Cgs 和Cgd 并联。对于之前谈到的Cgs 测量，HVSMU 必须通过相对大的电阻器连接至漏极节点，以免干扰交流电容测量。下图显示了使用 N1259A 测试夹具时，用于封装MOSFET 的多个连接。
图12 — 使用N1259A 测试夹具测量MOSFET 的Ciss。
下图显示了使用 B1505A 对大功率 MOSFET 的Ciss 执行直接电容测量。
图13 — 在1000 V 直流偏置时，测量输入电容(Ciss)。
对于低功率电容测量，通常只需对频率高于5 MHz 的测量进行负载补偿。但在使用高电压偏置T 型接头来执行大功率电容测量时，需要在极低的频率上进行负载补偿，以确保获得精确的测量结果。大多数技术资料是在1 MHz 上指定Ciss、Coss 和Crss。以下数据表明在完成开路/ 短路电容补偿后，使用高电压偏置T 型接头获得的栅极 - 源极(Cgs) 电容(Cp-G) 与频率的绘图。注意: 电导在频率超出100 kHz 后变成负数。
图14 — 使用高电压偏置T 型接头获得的Cp-G 与频率图。
负载电容补偿能够消除这种效应，但在大多数高功率器件晶圆探测环境中，这不太实用。因此，如果无法执行负载补偿，那么最好是在低于100 kHz 的频率范围内测量MOSFET电容参数。下表总结了在功率MOSFET 上进行Cp-G 测量的相对测量精度，与在100 kHz 和1 MHz 上执行的补偿有着直接关系( 使用高电压偏置T 型接头)。
图15— 表中对比了使用高电压偏置T 型接头，并进行不同程度的电容补偿，在100 kHz 和1 MHz 上Cp-G 的相对测量精度。
注 : 本表格是以功率 MOSFET 的相对较大的结电容 ( 约为毫微法拉 ) 为基础。
当电压高于3000 V 时，这项技术可以直接测量功率 MOSFET电容。与传统的参数测量方法相比，这项技术取得了相当大的改进，它通常包含自制测试设置，用来测量器件的阶跃响应并析取RC 时间常数的电容值。
高DC 偏置电压晶圆片探测器连接
通常我们要用晶圆片探测器对两种不同类型的器件，即横向器件和纵向器件作CV测试。横向器件连接较为简单，因为能用HPSMU 偏置晶圆片卡盘(衬底连接)。最常用的两种电容测量是漏源(Cds) 电容和栅漏(Cgd) 电容测量。它们需要同样类型的电缆和连接器，但必须按下面两张图所示的那样手动改变连接。下面两张图示出横向器件的连接。
图16 — 高直流电压偏置横向器件栅漏电容(Cgd) 测量的B1505A 功率器件分析仪配置
图17 — 高直流电压偏置横向器件漏源电容(Cds) 测量的B1505A 功率器件分析仪配置
对于纵向器件，需要在晶圆片卡盘上加高压。为此要有一个SHV - 高压三轴适配器，该适配器可从晶圆片探测器供应商处，或从制造这类适配器的第三方厂商处得到。与横向器件的情况相似，两种电容测量(Cds 和Cgd) 需要同样类型的电缆和连接器，但必须手动改变连接。下面两张图示出纵向器件的测量连接。
图18 — 高直流电压偏置纵向器件栅漏电容(Cgd) 测量的 B1505A 功率器件分析仪/曲线追踪仪配置
图19 — 高直流电压偏置纵向器件漏源电容(Cds) 测量的B1505A 功率器件分析仪配置
正如您所看到的，在为高直流偏置电压电容测量配置晶圆片探测器时， 必须确切了解要测试的是何种类型的器件。
功率转换电路中的晶体管的作用非常重要，为进一步实现低损耗与应用尺寸小型化，一直在进行各种改良。SiC功率元器件半导体的优势前面已经介绍过，如低损耗、高速开关、高温工作等，显而易见这些优势是非常有用的。本章将通过其他功率晶体管的比较，进一步加深对SiC-MOSFET的理解。
SiC-MOSFET的特征
目前SiC-MOSFET有用的范围是耐压600V以上、特别是1kV以上。关于优势，现将1kV以上的产品与当前主流的Si-IGBT来比较一下看看。相对于IGBT，SiC-MOSFET降低了开关关断时的损耗，实现了高频率工作，有助于应用的小型化。相对于同等耐压的SJ-MOSFET（超级结MOSFET），导通电阻较小，可减少相同导通电阻的芯片面积，并显著降低恢复损耗。
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型号- U8480,B2911B,N9321C-TG4,CXG X 系列,N8926A,34460A,N7040A,N5742A,N5766A,N9918B,N9918A,N6735B,N6977A,DSOX6MSO,V8486A,N6953A,N8480,85093D,3012G,N5743A,6800C 系列,3024G,L2050 X 系列,N1914B,N5767A,3000G,N1914A,P9240AUTC,B2900BL,N6976A,N6746B,N443XD,N6734B,N6952A,E5061B ENA 系列,N8948A,34470A,N7042A,N1913B,N1913A,N5744A,N1298B,E5061B ENA,N5768A,N1298C,N3300A,3000G 系列,N1298A,N9916B,N9916A,N8924A,N9928A,D2000AUTB,34939A,N6701C,N8949A,N8925A,N8937A,N7041A,3034G,N1912A,N9000B,N5745A,3022G,N5769A,N2819A,B2901BL,S404A,E36100B 系列,N6700C,N9917B,N9917A,N6736B,N6954A,CXA X,D6000PWRB,8491A,E36150,P9240AERC,N9320B,33509B,N7020A,N1911A,N5746A,N3302A,N2818A,EXR208A,34925A,34937A,82357B,P9240BDLC,U2802A,D6000AUTB,N5181B,8480D 系列,N2142A,N9321C,AC68GPBU,B2902B,3032G,4024A,N5747A,N3303A,U9424B SP4T,S204A,E36150A,8490G,ENA,U9422C SPDT,N6702C,B2901B,N6705C,U2060 X,D2000BDLB,N8928A,33519B,EL30000,N3304A,N5748A,D4000USBB,33600A 系列,34947A,34959A,6000 X 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系列,E3640A,DSOXBODE,AC6800B,N2874A,EDU33211A,RP7942A,6002A,BN9963B,E3600,S054A,1000 X,U7106N,E36313A,DAQM900A,L2060 X,U9422B SPDT,DSOX,U7106F,U7106E,N8756A,DSOX2MSO,J7204B,N8732A,E36150A 系列,N8950A,U3851A,EXR058A,RP7941A,AC6801B,10070D,P9384B,D4000AUTB,N2752A,EDU33210A,RP7953A,BN9962B,DAQM902A,U2761A,34980A,E36300A,E36312A,N6782A,DAQM901A,U2020 X,E36106B,53220A,N8757A,AC6900 系列,N8733A,D3000PWRB,N8951A,N9952B,RP7952A,N9952A,U7108B,U7108A,P9242A,P9375B,U7108C,P9240GENC,N2751A,P9375A,U9428C,E4980A,U9428B,6004A,33500B 系列,U9428A,N7971A,ENA 系列,D4000AERB,53132A,EXG X,N6785A,B2980B,N6773A,N6761A,N8754A,N8742A,RP7963A,N9953B,RP7951A,EDU33210 系列,N7970A,EDU33212A,P9241A,P938XB,N2750A,N2871A,53230A,N8700,U3810 系列,U9424A SP4T,DSOXT3MSO,S804A,L2050 X,J7201C,J7201B,N6784A,N8755A,J7201A,N8731A,N2870A,8495D,N2797A,N9934B,N2894A,N5770A,8495B,34420A,N70412A,N7973A,E3647A,6000X 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系列,E36200A 系列,E3643A,N6755A,EDUX,N2780B,E4416A,N9915B,N7976A,N5763A,E4980AL,N5751A,E36300,N7952A,D9110PWRA,E9300,N9915A,N8923A,N6972A,EXR104A,N9927A,N6742B,N8935A,E3630A,4052A,E3642A,N6700 系列,N6766A,N6754A,N2791A,
半导体器件测试——集成电路和分立器件
集成电路（integrated circuit，港台称之为积体电路）是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构。
设计经验 发布时间 : 2023-10-26
The Parametric Measurement Handbook
型号- E5263A,B2911A,B2200A,E4980A,B2901A,E990A,N1274A,N1268A,N1266A,N1260A,B1505A,42941A,N1254A-524,B2900A,N1259A-020,E5262A,E5250A,E5260A,E5270B,B2201A,B2912A,B2902A,B1500A,N1275A,B1512A,E4990A,N1300A,B2220A,N1265A,N1259A-300,4294A,B1506A
Keysight（是德科技）电源产品选型指南（中文）
目录- BenchVue软件 电源产品 系统直流电源和台式直流电源 直流电源输出电压和电流一览表 直流电源 直流电子负载 交流电源 专用电源产品 已停产的直流电源及其替代产品
型号- B2911B,B2911A,N8926A,U8000,N5742A,N5766A,6632B,6644A,BV0003B,N6977A,N6735B,N6953A,6800C 系列,N5743A,N5767A,N1275A,6621A,6633B,6645A,N6780 系列,EL30000系列,N6976A,N6746B,B1506A,N6952A,N6734B,U8031A,N8948A,N5744A,N5768A,N1274A,E4361A,N3300A,6622A,6634B,66332A,N8924A,66102A,6600 系列,B1505A,N6701C,66000,N8949A,N8925A,N8937A,6624A,N5745A,N5769A,E4360A,6611C,N3301A,N1273A,6623A,B2901BL,N6700C,66101A,U8000 系列,N6736B,N6954A,E36100A 系列,N6700A,E5263A,6625A,6612C,N5746A,N3302A,N1272A,66104A,N1260A,U8032A,66321D,66321B,B2902B,B2902A,6626A,N5747A,N3303A,6613C,PA2203A,66103A,BV0012B,N1271A,N6702C,6060 系列,6060B,N6705C,B2901B,N8928A,6800B 系列,N7900 系列,B2901A,6627A,EL30000,N3304A,6614C,N5748A,6600,E4360,66106A,N6783A-BAT,N8929A,B2900A,B2912B,E5262A,6628A,B2912A,N3305A,N5749A,66311B,PV8922A,66105A,U8001A,E4368A,N3306A,E4356A,N5700,6672A,B1511B,6684A,PV8921A,RP7935A,CX3322A,BV9210B,RP7945A,RP7933A,B2962A,N8900 系列,N3307A,E4367A,RP7900 系列,N6900,B1510A,6673A,PV8932A,B2960,RP7946A,6620 系列,B2961B,B2961A,RP7932A,6674A,AC6906L,AC6918L,PV8931A,U2723A,U8002A,RP7943A,RP7931A,6675A,B1520A,6651A,PA2201A,U2722A,BV9201B,AC6900,N8760A,6652A,B2900A 系列,E36232A,AC6906H,66300,AC6918H,N6700,N8761A,6653A,E4362A,B1514A,6641A,E36231A,BV9211B,B2960系列,EDU36311A,N3300,B1513C,6654A,6642A,E36234A,N7900,CX3324A,667X,U2720,CX3300A,BV9200B,669X,E36200 系列,66000 系列,B1500A,6643A,B1512A,E36233A,6655A,6631B,AC6903L,668X,RP7936A,E36100B,AC6903H,E36100A,RP7962A,AC6804A,PV8900 系列,AC6804B,N8740A,E36103A,E36103B,N6791A,AC6912L,AC6912H,RP7973A,RP7961A,6035A,66309B,E36102B,E36102A,66309D,N8741A,AC6802B,RP7972A,AC6802A,E3600 系列,E36311A,N8762A,B2960 系列,E36105B,N6781A,E36105A,6690A,E3641A,RP7983A,N3300 系列,AC6803A,AC6803B,N8900,E36104B,E36104A,N6792A,E3640A,6691A,AC6800A,N6790,AC6800B,N6783A-MFG,RP7942A,E3600,6038A,N6900 系列,E36313A,6692A,N6783A,N8756A,6680A,N8732A,PV8900,N8950A,RP7941A,AC6801A,AC6801B,N6780,RP7953A,E36312A,N6782A,E36106B,E36106A,AC6900 系列,N8757A,6681A,N8733A,N8951A,RP7952A,N7971A,6682A,N6785A,N6773A,N6761A,N8754A,N8742A,RP7963A,RP7951A,N7970A,N8700,6683A,6671A,N6784A,N8755A,N8731A,N5770A,6629A,N7973A,E3647A,N6775A,N6763A,N8736A,N6751A,N8954A,N8930A,E36300 系列,E36340,6063B,E5260A,N5771A,N1259A,6812B,N7972A,E36100,E3646A,6811C,6811B,E36100 系列,N6786A,N8737A,N6774A,N6762A,N8943A,AC6800A 系列,N8955A,N8931A,E3634A,N5772A,N1258A,6813C,6813B,N7951A,6800C,E3649A,E36100B系列,6812C,6800B,AC6800B 系列,N6753A,N8758A,N6741B,N8734A,N6971A,N8952A,N6777A,N8940A,N6765A,EL30000 系列,E5270B,N5761A,N7950A,N7974A,N8700 系列,E3648A,N8759A,N6764A,N6752A,N6970A,N8735A,N8941A,N6776A,RP7982A,6030A,N5750A,N7953A,N7977A,N5762A,N1268A,N8934A,N6743B,N6731B,N8946A,N6973A,E36100B 系列,E3643A,E3631A,N6755A,14585A,CX3300A 系列,6031A,N7976A,N5763A,N5751A,E36300,N7952A,N1267A,N6972A,N8923A,N6790 系列,N8935A,N6742B,E3630A,E3642A,N6766A,N6754A,N5700 系列,N8738A,6032A,6030 系列,N5752A,N5764A,RP7900,B2910BL,N1266A,N6951A,N8932A,N8944A,N8920A,E3645A,N6745B,E3633A,N6733B,N8739A,6033A,N7954A,N5741A,N5765A,66319B,N1265A,N6950A,N8945A,N6732B,N8957A,N8921A,E3632A,E3620A,N6756A,N6974A,E3644A,N6744B,66319D
【选型】Keysight（是德科技）光波产品（测试与测量网络和数据中心）选型指南（中文）
目录- 光波产品应用简介 光波产品应用软件 可调激光源（TLS）和固定激光源（DFB和FP） 光功率计 偏振产品 多波长计 光衰减器和光开关 光波器件分析仪（LCA） 光调制分析仪（OMA）和ICR测试 示波器与光/电转换器 任意波形发生器（AWG） 比特误码率测试仪（BERT） 数字互连测试系统 光接收机极限测试（ORST ） 数字通信分析仪（DCA） SMUs 光波产品选型表和附件
型号- N4391A-110-Z33,N7783B,B2911A,N4980A,81600B-140,8703A,81600B-142,N1010A,81656A,8165XA,N771XA-340,81620B,N1090A,N7782B,81000NI,N7714A,81578A-062,M8046A-A32,81657A,81960A,81001PA,81003TD,M8020A-BU2,N7761A,81950A-301,DSAV164A,N7740MI - MU,N7785B,M8195A,M8061A,81630B,81009BH,81578A-050,DSOV084A,M8020A-BU1,81009BM,81950A-310,N7784B,N7740FI - FC,8703B,M8196A,M8062A,B2900,N4373D,N7740ZI,N4960A-CJ0,DSAV204A,N4960A-CJ1,81000PA,N4903B,N4952A-E17,81655A,N771XA-304,N4960A,8164A,8164B,M8048A,8163XA/B,N7751A,N109X,8162X,81595B,81571A,81004BM,81004BH,N4374B,81624B,81000KA,81636B,81001MA,MSOV254A,81600B,8163B,8162XB,N4951B-H32,N1092,8163A,N1094,81606A-216,N7786B,N7762A,B2902A,86122C,DSOV334A,N1077A-232,N4375D,N1077A,N4917B,N4952A-E32,81001LA,81940A,81613A,N4917A,MSOV134A,81607A-116,8166A,8166B,B2961A/B2962A 6.5,B2901A,8152X,N7740LI - LC,M8190A,N4376D,N1076A,N490X,N437XB,N437XC,81610A,N4877A,81634B,N4951B,B2900A,N4951A,86100D-PTB,81606A-116,81606A-113,81490A-135,N7752A,B2912A,86100D,N7788B,N7764A,86100C,86100B,86100A,M8070A,81570A,81635A,8198X A,81950A,8198XA,N4951B-H17,81623B,N4952A,DSAV134A,86100D¨CSIM,N437XX,81001ZA,M8020A,N7731A,N4951A-P32,81195A,81624DD,DSOV204A,86100,MSOV084A,81606A,86100DU-400,81618A,8160XA,DSAV254A,B2962A,81000FA,N7766A,N776XA,M8045A,81000FI,81960A-E62,81000VA,81003LA,81576A,8157XA,DSOV164A,N4965A,N4951A-P17,B2961A,N7745A,N4391A-120-Z63,M8046A,81608A-216,N4391A-120-Z64,N4980A-JTS,N7740BI,M8020,81602A,81626B,81001KA,81989A,81628B,83480A,8169A,N7744A,N775XA,N7768A,86120D,86120C,B2901A/02A/11A/12A,86120B,MSOV334A,N4967A,81609A,N7004A,81608A-116,N7711A,N7747A,81608A-113,M8051A,81490A,N1094B,81490A-E10,N1094A,81000BT,81949A,N4951B-D32,N7734A,DSAV084A,81000BI,81000BC,M8041A,M8040A,N4391A,81980A,81490A-E03,N7740KI - SC,8194XA,N7781B,DSAV334A,N7700A-100,81607A,81619A,N7700A-102,N7700A-101,N1092A/B/C/D/E,M8045A-0G3,M8030A,DSOV254A,N4392A,86100D-200,81602A-013,N1092A,MSOV204A,N1092E,N1092D,N1092C,81577A,N1092B,N1294A-031,81001FA,81608A,8160XX,N7700A,54750A,N1077A-SMS,M8045A-G32,DSOV134A,N7748A,86108B,N4951B-D17,81663A,N1094A/B,81578A,MSOV164A
是德科技提供完整的GaN功率放大器测试方案，致力于解决GaN功放测试中的挑战和难题
为什么氮化镓GaN未来在功率电子领域会有很好的前景？为什么宽禁带半导体更好？有哪些GaN功率放大器测试方案？今天我们为您介绍由Keysight提供硬件/软件支持的GaN氮化镓功率器件测试方案。GaN功率放大器测试涵盖了直流、射频和系统级的指标，Keysight提供了完整的测试方案，致力于解决GaN功放测试中的挑战和难题。
原厂动态 发布时间 : 2023-08-03
是德科技解析如何轻松掌握功率器件Rg测试技术的技巧
IGBT，绝缘栅双极型晶体管是电力控制和电力转换的核心器件，是由BJT-Bipolar Junction Transistor（双极型晶体管）和 MOS-Metal Oxide Semiconductor（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，具有高输入阻抗，低导通压降，高速开关特性和低导通状态损耗等特点，适合高电压和高电流的光伏逆变器、储能装置和新能源汽车等电力电子应用。
设计经验 发布时间 : 2023-12-07
【应用】IC测试实例系列技术专题——IGBT功率器件参数测试
面对IGBT功率器件高压、高流的测试要求，Keysight 可以提供B1505A和B1506A功率器件分析仪两套测试方案，可以支持晶圆和封装器件全参数测试。这些方法同样适用于宽禁带半导体SiC和GaN功率器件。
应用方案 发布时间 : 2018-09-17
电子商城
现货市场
服务
提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务，使用直流电源分析仪测量精度达50µV，8nA，波形发生器带宽100kHz，输出功率300W，示波器200kHz，512 kpts
实验室地址： 深圳/苏州 提交需求>
支持 3Hz ~ 26.5GHz射频信号中心频率测试；9kHz ~ 3GHz频率范围内Wi-SUN、lora、zigbee、ble和Sub-G 灵敏度测量与测试，天线阻抗测量与匹配电路调试服务。支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
实验室地址： 深圳/苏州 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
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