【元件】 创新之树再结硕果！华润微SiC JBS、SiC MOSFET产品入选中央企业科技创新成果产品手册
这个春天里新质生产力澎湃而起，华润微电子激活创新因子释放发展潜力在探索创新与未来的征程中，公司深入实施创新驱动发展战略积极构建科技蓝海新图景，加快推动科技创新成果应用推广，培育发展新质生产力新动能近期，国务院国资委发布《中央企业科技创新成果产品手册(2023年版)》，华润微“SiC JBS器件及系列化产品”“SiC MOSFET器件及系列化产品”两项成果入选电子元器件领域科技创新成果。
SiC在电动车辆和混合动力汽车的功率电子系统中起着关键作用，可以在更高的电压和温度下工作，而且效率更高，散热更好。随着电动车和混合动力车的需求增加，SiC产品的市场需求仍在增加。
华润微电子作为IDM半导体龙头企业，早在多年前就布局了第三代半导体产业，基于自身Si基器件设计、制造和销售等资源优势，建设了国内第一条6吋SiC生产线。对比传统Si基器件，SiC器件具备更高的耐压水平，更低的漏电流，近乎为“零”的优秀反向恢复，以及更高的禁带宽度及高热导率特性，可以在更高工作频率及更高结温环境下工作。此次入选的两项科技成果，正是华润微电子近年来潜心布局第三代半导体市场的成果，也将助力公司在汽车电子赛道强势发力。
华润微电子G2 SiC JBS平台是完全自主开发的工艺平台，通过技术迭代更新，配合超薄的SiC衬底，Vf典型值较前一代降低10%，电流密度也大幅提升。同时搭配特色的钝化和划片技术，产品可靠性可满足工业及汽车电子应用可靠性要求。目前G2平台系列产品在浪涌能力相同的情况下，反向耐压、正向导通特性等产品性能，均已达到国内领先、国际先进水平。目前该系列产品已经在新能源汽车、充电桩、光伏逆变、高端电源等领域批量应用。
最新推出的G3 SiC JBS平台，进一步对电场设计和制造工艺进行了优化升级，较G2平台的电流密度实现巨大飞跃，可对标国际头部企业，已经在多家客户端测试导入，并逐步开始量产。
华润微电子SiC MOSFET G2产品平台通过工艺迭代更新，大大降低了Rdson电阻，同时提高了器件工作可靠性。目前该系列产品在耐压能力、导通特性、短路及浪涌能力等方面，与国际头部企业技术产品难分高下，产品性能处于国内领先、国际先进的水平。目前该系列产品已经在新能源汽车、充电桩、光伏逆变、高端电源等多领域稳定量产使用,特别是在新能源汽车头部客户，SiC MOSFET单管和半桥模块均实现批量供货，得到客户的高度认可和好评。
未来，华润微电子将在科技创新之路上持续深耕，积极打造行业一流的科技创新体系，聚焦市场需求和产业发展方向，稳步推进关键核心技术攻关，谋划战新和未来产业发展，不断推动产品应用升级，让更多优质创新成果落地，加快发展新质生产力，为半导体全产业链高质量协同发展注入强劲动能。
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