MOS管的GS波形分析及如何消除GS波形振荡？
对于咱们电源工程师来讲，我们很多时候都在看波形，看输入波形，MOS开关波形，电流波形，输出二极管波形，芯片波形，MOS管的GS波形，我们拿开关GS波形为例来聊一下GS的波形。
我们测试MOS管GS波形时，有时会看到下图中的这种波形，在芯片输出端是非常好的方波输出。但一旦到了MOS管的G极就出问题了，有振荡，这个振荡小的时候还能勉强过关，但是有时候振荡特别大，看着都担心会不会重启。
这个波形中的振荡是怎么回事？有没有办法消除？我们一起来看看！
IC出来的波形正常，到C1两端的波形就有振荡了，实际上这个振荡就是R1、L1和C1三个元器件的串联振荡引起的，R1为驱动电阻，是我们外加的，L1是PCB上走线的寄生电感，C1是MOS管gs的寄生电容。
对于一个RLC串联谐振电路，其中L1和C1不消耗功率，电阻R1起到阻值振荡的作用阻尼作用。
实际上这个电阻的值就决定了C1两端会不会振荡。
1、当R1>2(L1/C1)^0.5时，S1，S2为不相等的实数根。过阻尼情况。
在这种情况下，基本不会发生振荡的。
2、当R1=2(L1/C1)^0.5时，S1，S2为两个相等的实数根。临界情况。
在这种情况下，有振荡也是比较微弱的。
3、当R1<2(L1/C1)^0.5时，S1，S2为共轭复数根。欠阻尼情况。
在这种情况下，电路一定会发生振荡。
所以对于上述的几个振荡需要消除的话，我们有几个选择：
1、增大电阻R1，使R1≥2(L1/C1)^0.5，来消除振荡，对于增大R1会降低电源效率的，我们一般选择接近临界的阻值。
2、减小PCB走线寄生电感，这个就是说在布局布线中一定要注意的。
3、增大C1，对于这个我们往往都不太好改变，C1的增大会使开通时间大大加长，我们一般都不去改变他。
所以最主要的还是在布局布线的时候，特别注意走线的长度“整个驱动回路的长度”越短越好，另外可以适当加大R1。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由ll转载自台懋科技公众号，原文标题为:MOS管的GS波形分析，教你如何消除MOS管的GS波形振荡~，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。
相关推荐
介绍MOS管结构构造、特点及实用电路
MOS管的英文全称叫MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）， 即金属氧化物半导体型场效应管，属于场效应管中的绝缘栅型 。因此，MOS管有时被称为绝缘栅场效应管。本文就结构构造、特点、实用电路等几个方面用工程师的话简单描述。
技术探讨 发布时间 : 2024-09-12
关于直流电机的MOS参考要点
直流无刷电机：单相电机，双相电机，三相电机1、单相电机：额定电压*1.5=选型电压2、双相电机：额定电压*2-3倍=选型电压，双相常规应用：小水泵和散热风扇3、三相电机：额定电压*1.5=选型电压，常见产品为BLDC。
技术探讨 发布时间 : 2024-04-19
开关电源MOS管的8大损耗计算及6大选型原则
在器件设计选择过程中需要对MOSFET的工作过程损耗进行先期计算（所谓先期计算是指在没能够测试各工作波形的情况下，利用器件规格书提供的参数及工作电路的计算值和预计波形，套用公式进行理论上的近似计算）。本文介绍开关电源MOS的8大损耗计算与选型原则。
技术探讨 发布时间 : 2024-06-27
场效应晶体管技术解析，JFET与MOSFET的原理、区别及应用
FET分为JFET（结型场效应晶体管）和MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。两者都主要用于集成电路，并且在工作原理上非常相似，但是它们的组成略有不同。让我们详细认识下两者。
设计经验 发布时间 : 2024-04-20
台懋MOSFET选型表
如下表格可为客户提供台懋MOSFET选型参数，具有多种封装，N/P沟道，VDS:-100-500V，VGS:-25-25V，认证等级消费级。
|
产品型号
|
品类
|
Ciss (PF)
|
VDS (V)
|
MOSFET Type
|
ID (A)
|
Vth typ.(V)
|
VGS (V)
|
封装
|
|
TM02N02I
|
MOSFET
|
124
|
20
|
N
|
2.3
|
0.7
|
±10
|
SOT-23
|
选型表 - 台懋 立即选型
4种常见的MOS管驱动电路
MOS管因为其导通内阻低，开关速度快，因此被广泛应用在开关电源上。而用好一个MOS管，其驱动电路的设计就很关键。本文分享几种常用的驱动电路。
技术探讨 发布时间 : 2024-05-29
解析静电对MOS管的危害及其应对方法
静电对MOS管的危害是什么？又该如何应对？本文中台懋来为大家解析一二，希望对各位工程师朋友有所帮助。
技术探讨 发布时间 : 2024-04-17
面对MOS管小电流发热，该如何解决？
Source、Drain、Gate分别对应场效应管的三极：源极S、漏极D、栅极G。本文介绍MOSFET的击穿有方式及如何处理mos管小电流发热严重情况。
设计经验 发布时间 : 2024-05-31
工程师必看！4种常见的MOS管栅极驱动电路
MOS管因为其导通内阻低，开关速度快，因此被广泛应用在开关电源上。而用好一个MOS管，其驱动电路的设计就很关键。本文介绍4种常用的驱动电路。
技术探讨 发布时间 : 2024-04-20
关于锂电市场MOS管选型判断
单节锂电池：组成电池组和电池包的最基本的元素，一般能提供的电压是3.7V-4.2V之间；电池组：由多个单体集合，构成一个单一的物理模块，提供更高的电压和容量（例如，一个电池模块，使用四个单体串联提供名义上的12V的电压，或者多个单体并联提供更大的容量）。
技术探讨 发布时间 : 2024-04-20
关于LED的照明MOS参考要点
照明行业中，目前我们主要参考三大块市场：LED调光、DC电压LED、AC电压LED，主要为恒流型电路。1、AC电压LED就是目前市场的85-265V，全压型LED，常规一般应用的MOS为650V-900V之间。这类的产品主要因为过来的AC电压，电压波动大，尖峰高。
技术探讨 发布时间 : 2024-05-29
关于开关电源的MOS参考要点
本文由台懋讲述在开关电源中的MOS参考要点。
技术探讨 发布时间 : 2024-05-01
关于家用电器、雾化等市场参考要点
家用电器里面，常规而言，目前我们针对的几个市场：雾化，电弧打火机，POE。此类产品工作电流都很小，但是对MOS管的结电容数据和VTH要求很高，频率高。结电容太高会导致MOS管开启速度变慢，VTH太高会导致MOS管导通内阻增大，在既定电压范围内无法完全导通,容易使得MOS温度增高。
技术探讨 发布时间 : 2024-05-29
【技术】MOS管N/P沟道如何区分？
时科为你科普MOS管N/P沟道如何区分？在绝缘栅型场效应管中，目前常用二氧化硅作金属铝栅极和半导体之间的绝缘层，称为金属一氧化物-半导体场效应晶体管，简称为MOSFET或者MOS管。
技术探讨 发布时间 : 2022-09-08
【技术】一文解析MOS管的驱动
在进行驱动电路设计之前，必须先清楚MOS管的模型、MOS管的开关过程、MOS管的栅极电荷以及MOS管的输入输出电容、跨接电容、等效电容等参数对驱动的影响。本文中时科将为大家解析MOS管的驱动。
技术探讨 发布时间 : 2022-08-30
电子商城
现货市场
服务
定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m，厚度2mm-100mm，单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
最小起订量： 1片 提交需求>
可烧录IC封装SOP/MSOP/SSOP/TSOP/TSSOP/PLCC/QFP/QFN/MLP/MLF/BGA/CSP/SOT/DFN；IC包装Tray/Tube/Tape；IC厂商不限，交期1-3天。支持IC测试（FT/SLT），管装、托盘装、卷带装包装转换，IC打印标记加工。
最小起订量： 1pcs 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论