关于开关电源的MOS参考要点
在开关电源中的MOS参考要点
1、MOS管常规会用三个：PFC、AC-DC、同步整流。其次在PD电源的时候会在尾端有用一个MOS，作为关断保护作用，防止倒灌等。
2、PFC、AC-DC常规电压为：400-900V之间，600和650V最常见。取决于当地输入电压以及变压器的绕组等设计因素的影响。而关于同步整流的MOS管选型常规为：输出电压*5倍。这个5倍的因素不是恒定，取决于变压器的绕组漏感而定。
A、同步整流内部参考因素主要涉及VTH，QG，CISS。同步整流在电路应用中是一个被动器件，而前端IC过来的电压是很微弱的，因此当MOS的VTH太低，会造成误开，太高也会造成开关不了。QG数据太高，会延迟开关。CISS过大会也会导致MOS管开启过慢。RDS过小，会导致MOS管温度过高。因此在同等情况下，要参考前段同步整流IC的设计电压和VTH和CISS。
3、PD保护的MOS管，取决输出电压。
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场效应晶体管技术解析，JFET与MOSFET的原理、区别及应用
FET分为JFET（结型场效应晶体管）和MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。两者都主要用于集成电路，并且在工作原理上非常相似，但是它们的组成略有不同。让我们详细认识下两者。
设计经验 发布时间 : 2024-04-20
最大漏源电压60V的合科泰MOS管HKTD80N06，可承受80A连续漏极电流，适用于电机驱动和电源等
合科泰电子生产的一款MOS管HKTD80N06产品采用N沟道制作，它具有很好的电气性能，其能承受的最大漏源电压60V，栅源电压20V，连续漏极电流80A，漏源导通电阻0.0065欧姆，最小栅极阈值电压2V，最小栅极阈值电压4V，耗散功率100mW。它具有超低功耗、充分表征雪崩电压、模压塑料材料温度可靠等特点。高电流承载能力，能承受高达80A的连续漏极电流，使得它非常适合于需要高电流的应用场景。
产品 发布时间 : 2024-11-14
合科泰TO-220封装高压MOS管4N60，可用于开关电源和电机驱动器等应用上
高压MOS管的沟道区宽、漏极区大、栅极采用特殊工艺，这些特点使得它的管子能够承受高电压。高压MOS管可用于高压电路，具有高电压承受能力和低开关损耗，因此在高压电路中得到了广泛应用。本期，合科泰电子给大家介绍一款经典且常用的高压MOS管4N60，这个管子已经被广泛应用在开关电源、开关稳压器和电机驱动器等产品上。
产品 发布时间 : 2024-04-27
【应用】升压型同步整流DC-DC助力智能门锁开发，配合外部高压MOS管最高能支持600V高压输出
屹晶微电子推出的高压大电流的升压型同步整流DC-DC电源管理芯片助力智能门锁，其内部集成基准电源、振荡器等功能，配合外部高压MOS管最高能支持600V电源电压输出，能够很好的解决智能门锁中高电压大电流需求，同时有效缓解电源芯片高功率发热问题。
应用方案 发布时间 : 2021-10-27
【选型】合科泰电子提供肖特基二极管、MOS管等产品，提高扩展坞的核心竞争力
二极管、三极管、MOS管等分立器件在扩展坞产品中用在开关电路、电源管理、电源检测电路、小信号控制电路等中起到开关、整流、稳压等关键的作用。合科泰能为扩展坞客户提供肖特基二极管、普通二极管、三极管和MOS管等产品，提高扩展坞产品的核心竞争力。
器件选型 发布时间 : 2023-03-09
TMC科普课堂系列——MOS管的重要特性，及在开关电源电路中大功率MOS管和晶体三极管的优点
本文台懋解析了MOS管和晶体三极管相比的重要特性，以及在开关电源电路中，大功率MOS管和大功率晶体三极管相比MOS管的优点。
技术探讨 发布时间 : 2024-11-06
【经验】各种开关电源MOS管驱动电路设计详解
在使用mos管驱动电路设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑mos的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计也是不允许的。本文介绍MOS管种类和结构，以及几个模块电源中常用的MOS管驱动电路。
设计经验 发布时间 : 2022-11-07
MOS管工作原理图详解：工作原理电路图及结构分析
MOS管是FET的一种（另一种是JFET），可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。本文中XNRUSEMI来为大家介绍MOS管工作原理图，希望对各位工程师朋友有所帮助。
技术探讨 发布时间 : 2024-07-26
深入了解MOS管的种类以及相关基础知识
本文由金誉半导体再带大家深入的了解一下MOS管的种类以及相关基础知识。
技术探讨 发布时间 : 2024-10-27
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