华太电子携超结IGBT及陶瓷基板产品家族亮相CIAS2024

时间： 2024-04-17 来源：华太电子微信公众号

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“新能源芯时代” CIAS2024功率半导体新能源创新发展大会将于2024年4月23-24日在苏州狮山国际会议中心举行。华太电子携超结IGBT及陶瓷基板产品家族亮相CIAS2024，并于24日上午在能源电子论坛展开《超结IGBT助力高效率能源应用》的专题演讲，为新能源核心芯片加速社会能效转型战略提供创新技术与解决方案。CIAS2024论坛将从新能源汽车电驱与电控行业、光储及逆变器行业、化合物半导体材料行业、功率半导体行业、封装与测试行业等不同产业链环节，及行业战略、破卷出海、车规级应用、光储应用、环保封装、测试等不同角度出发，讨论行业趋势及创新案例。

华太电子功率产品线

华太电子功率产品线首次在IGBT领域采用超级结结构，成功突破了国外FS IGBT结构的技术难关，实现了性能的领先地位。相对之下，FS-IGBT具有技术局限：传统FS IGBT，其在反向承压模式下，器件漂移区的空间电场呈现三角形分布，这种设计是为了满足承压能力的要求（即三角形电场积分面积）。然而，为了达到这个目标，芯片必须保持一定的厚度，这限制了芯片的导电性能。而采用超级结结构的新型IGBT，则成功克服了这一限制，为提高器件性能带来了新的可能性。超结IGBT的漂移区采用超级结结构，与传统FS结构IGBT相比，具有极佳电学特性，低导通压降、低开关损耗；可以给终端客户产品带来更高的工作频率、更小的被动器件尺寸、更低成本、更优化的散热方案。

华太电子材料产品线

华太电子材料产品线基于独特的水基流延工艺，完善的端到端质量管控体系和丰富的功率半导体设计、封测、应用经验，开发出了高品质，高性价比的氮化硅原板；基于独特的冷喷铜工艺和绝缘胶膜粘接技术，可实现芯片和散热器之间热传导路径最短，实现功率模块，光电子器件封装结构极简化，达到最佳性价比。

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