功率器件IGBT的原理
IGBT（绝缘栅双极型晶体管），是由 BJT（双极结型晶体三极管) 和 MOS（绝缘栅型场效应管) 组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件，其具有自关断的特征。
简单讲，是一个非通即断的开关，IGBT没有放大电压的功能，导通时可以看做导线，断开时当做开路。IGBT融合了BJT和MOSFET的两种器件的优点，如驱动功率小和饱和压降低等。而平时我们在实际中使用的IGBT模块是由IGBT与FWD（续流二极管芯片）通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品，具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点。
IGBT其实本质上还是一个场效应晶体管，从结构上看和Power MOSFET非常接近，就在背面的漏电极增加了一个P+层，我们称之为Injection Layer (名字的由来等下说).。在上面介绍的Power MOSFET其实根本上来讲它还是传统的MOSFET，它依然是单一载流子（多子）导电，所以我们还没有发挥出它的极致性能。所以后来发展出一个新的结 构，我们如何能够在Power MOSFET导通的时候除了MOSFET自己的电子我还能从漏端注入空穴不就可以了吗？所以自然的就在漏端引入了一个P+的injection layer (这就是名字的由来)，而从结构上漏端就多了一个P+/N-drift的PN结，不过他是正偏的，所以它不影响导通反而增加了空穴注入效应，所以它的特性就类似BJT了有两种载流子参与导电。所以原来的source就变成了Emitter，而Drain就变成了Collector了。
另外，这样的结构好处是提高了电流驱动能力，但坏处是当器件关断时，沟道很快关断没有了多子电流，可是Collector (Drain）端这边还继续有少子空穴注入，所以整个器件的电流需要慢慢才能关闭（拖尾电流，tailing current)，影响了器件的关断时间及工作频率。这个是开关器件的大忌，所以又引入了一个结构在P+与N-drift之间加入N+buffer层，这一层的作用就是让器件在关断的时候，从Collector端注入的空穴迅速在N+ buffer层就被复合掉提高关断频率，我们称这种结构为PT-IGBT (Punch Through型)，而原来没有带N+buffer的则为NPT-IGBT。
一般情况下，NPT-IGBT比PT-IGBT的Vce(sat)高，主要因为NPT是正温度系数（P+衬底较薄空穴注入较少），而PT是负温度系数（由于P衬底较厚所以空穴注入较多而导致的三极管基区调制效应明显)，而Vce(sat)决定了开关损耗（switch loss），所以如果需要同样的Vce(sat)，则NPT必须要增加drift厚度，所以Ron就增大了。
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型号- 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凌讯微LGT40N120：漏源电压1200V，集电极电流40A，专用于高频应用
LGT40N120基本电气参数：漏源电压（VDSS）：1200V；栅源电压（VGSS）：30V；集电极电流（IC）：40A；脉冲极电极电流（ICM）：160A；最大功耗（PD）：625W；开启延迟时间（TD(on)）：26ns；关断延迟时间（TD(off)）：331ns
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IGBT应用在那些地方呢 ？
IGBT应用范围按照领域的不同主要可以分为三大类：消费类，工业类，汽车类。IGBT单管主要应用于小功率家用电器、分布式光伏逆变器；IGBT模块主要应用于大功率工业变频器、电焊机、新能源汽车（电机控制器、车载空调、充电桩）等领域；而IPM模块应用于变频空调、变频冰箱等白色家电产品。
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定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m，厚度2mm-100mm，单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
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模切产品精度±0.1mm，五金模精度±0.03mm，刀模精度±0.1mm；产品尺寸：10*10mm~45*750mm，厚度范围：0.1~0.7mm。支持麦拉、导热片、导热硅胶片、导热矽胶布、绝缘导热布、小五金等材料模切。
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