场效应管特性有哪些

时间： 2024-04-23 来源：鲁晶官网

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场效应晶体管简称场效应管，由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管，它属于电压控制型半导体器件，那么场效应管特性有哪些呢？下面我们来了解一下。

场效应管具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

场效应管特性有以下六点：

一、场效应管是电压掌握机件，它经过VGS（栅源电压）来掌握ID（漏极直流电）；

二、场效应管的输出端直流电极小，因而它的输出电阻很大。

三、它是应用少数载流子导热，因而它的量度稳固性较好；

四、它组成的缩小通路的电缩小小系数要小于三极管组成缩小通路的电缩小小系数；

五、场效应管的抗辐照威力强；

六、因为没有具有错杂活动的少子分散惹起的散粒噪音，因为噪音低。

鲁晶半导体生产的电子元器件型号齐全，参数性能众多。拥有可靠的质量管理体系，所销产品均为原装正品（原厂原包装）。

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型号- 1N4745,1A1,1N4744,1A2,1N4747,SMCJ36CA,ESD9D3V3C,1A3,1N4746,1A4,1N4749,P4SMA16C,1A5,1N4748,1A6,P4SMA16A,1A7,SMAJ6.0CA,SMAJ40CA,8050S,SMBJ5955B,SMBJ51A,RB521M9-30,2306,2305,P6SMB56A,2304,2303,2302,2301,2300,P4SMA160,P6KE22A,1N4750,2SD2137A,1N4752,1N4751,2309,1N4754,1N4753,2307,1N4756,1N4755,MMBT4401,SS120W,1N4758,1N4757,MMBT2222,1N4759,P6KE24A,MMBT4403,SMBJ5956B,T1117-5,2315,2314,2313,TIP110,2312,TIP111,TIP112,2310,P4SMA170,1N4761,1N4760,1.5SMC13CA,7N65F,BZX55C8V2,1N4763,1N4762,SMCJ14CA,1N4764,2EZ270D5,SMCJ78A,SMCJ190A,P4SMA18C,P4SMA18A,ZMM55-C36,MBR10200CT,ZMM55-C33,8N60,1.5SMC400C,2SB1260,P4SMA16CA,TIP120,SMCJ100CA,TIP121,TIP122,ZMM55-C30,P6KE68C,2EZ68D5,P4SMA180,P6KE20A,SMBJ300A,1.5KE150A,SMBJ150CA,BZT52C7V5S,BZT52C8V2,P4SMA91CA,MMBD2838,MMBD2836,SMAJ70A,RB400D,SMAJ75CA,ZMM55-C24,5050TRGBC,P6KE220,ZMM55-C22,FR601,FR602,FR603,FR604,SMBJ16CA,FR605,ZMM55-C27,FR606,FR607,M8550,ZMM55-C20,P6SMB170CA,2EZ33D5,1.5KE220CA,SMCJ30A,1SMA5930B,P6KE27A,2SA1036,2SA1037,P6SMB51C,2N5401,2N5400,P6SMB51A,HER301,SMBJ5950B,SMB2EZ9.1,1.5SMC9.1,1SMA4731A,SR180,SMCJ75A,1SMA5931B,SMAJ100A,P4SMA300C,P4SMA300A,HER308,HER307,HER306,HER305,HER304,1N4448WS,HER303,SMBJ5952B,HER302,P6SMB250A,SMBJ5951B,P4SMA160CA,1.5SMC400A,P4KE180A,1SMA4730A,2EZ11D5,5050TYC,P6SMB250C,P4SMA82CA,2SA1012,2SA1013,2SA1015,MB4S/F,1.5KE7.5A,SMBJ5953B,SMBJ400CA,P6SMB120A,ZMM55-C4V7,P6SMB120C,1SMA4733A,P6KE250,ZMM55-C4V3,2SA1020,1H1,1H2,2EZ24D5,P6SMB51CA,1H3,1H4,1H5,2EZ3.0D5,1.5SMC300CA,1H6,1H7,1H8,P6SMB8.2C,P6SMB300CA,SMCJ220CA,A733,SMBJ5954B,P6SMB8.2A,KBPC25005,1SMA4732A,1.5KE51A,P6KE100A,1.5SMC39CA,P6KE100C,P4SMA56C,P4SMA56A,1N5371B,P6SMB160,BAV20WS,1.5KE36CA,1SMA5934B,P6SMB16C,BZX84C9V1,P6SMB300C,1SS400,P6SMB300A,P6SMB16A,2EZ190D5,0603 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白色,HZ18,SMAJ36A,P4SMA51C,P4SMA51A,BZT52C3V6,BZT52C3V9,2EZ4.7D5,1N5334B,2EZ3.9D5,BZT52C3V0,SMAJ8.5CA,BZT52C3V3,SMAJ180A,1N5249B,P4KE100A,1.5KE130CA,BCW61,KBPC2510,BCW65,P4SMA43CA,SMBJ17A,BCW66,BCW68,MMBTA05,MMBTA06,SMBJ120CA,2EZ120D5,RB156,KTA1273,RB157,RB154,RB155,6A1,KTA1271,6A2,1.5SMC110,KTA1270,6A4,1.5SMC10A,6A6,P6SMB180,1.5SMC10C,6A8,HZ30,1N5337B,HZ33,SMBJ14A,P6SMB18A,SMAJ13CA,P4SMA56CA,P6SMB18C,HZ36,1.5SMC100,SMB2EZ100,SMBJ130A,1.5SMC130CA,MPSA13,9452,P6SMB170,MPSA14,BAS70M9,P4KE62A,KBP3005,1N5336B,KTA1266,9451,HZ22,HZ20,HZ27,P6KE180A,SMBJ15A,HZ24,P6KE180C,SMAJ170CA,RB551V-30,RB152,RB153,SMB2EZ110,RB151,P4SMA440C,BAT42M9,P6KE75,MMBTA55,P4SMA440A,MPSA06,BZX584C2V4,MPSA05,P4SMA9.1,SMBJ9.0A,SS110,SMBJ5915B,2SD2137,1N5339B,SMBJ12A,15SQ060,SMAJ6.0A,P6KE62CA,SR260,P6KE68,SMBJ350A,MMBTA56,BAV16W,1.5SMC91A,MMBTA43,MMBTA44,1.5SMC91C,MMBTA42,P6KE82,SMBJ5916B,SMCJ300CA,5N60,SMCJ7.0A,1N5338B,15SQ050,2SB1116A,SMBJ13A,1.5KE62CA,SR250,P6SMB43CA,SMCJ170CA,BZX584C2V7,P6KE75A,P6KE75C,SMAJ33A,SMCJ54CA,P4SMA220A,MBR3040CT,P4SMA220C,M28S,1.5SMC22CA,SMBJ5917B,P6KE91

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三极管工作原理详解

三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种电流控制电流的半导体器件，其作用是把微弱信号放大成辐值较大的电信号，也用作无触点开关。本文介绍的是三极管工作原理，不了解的朋友跟鲁晶小编一起来看看吧。

设计经验发布时间 : 2024-08-31

三极管替换原则有哪些？

三极管，全称为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。本文主要介绍三极管替换原则。

设计经验发布时间 : 2024-06-16

听说看完这篇，三极管和MOS的区别可以给你整得明明白白

三极管和MOS管的区别。从性质上分析：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制。从成本上分析：三极管价格较低，MOS管贵。从功耗上分析：三极管损耗大。从驱动能力上分析：MOS管常用于电源开关以及大电流地方开关电路。

设计经验发布时间 : 2024-06-14

【产品】TO-92L塑封封装晶体管2SD667，具备低频功率放大器，集电极-基级电压120V

鲁晶电子推出的TO-92L塑封晶体管，其特点是低频功率放大器，可以与2SB647/A互补对，采用晶体管（NPN）。其外壳类型为TO-92L模制塑料，可以在任意位置安装。

产品发布时间 : 2023-03-15

什么叫SiC功率器件？

Si材料中越是高耐压器件，单位面积的导通电阻也越大（以耐压值的约2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的电压中主要采用IGBT（绝缘栅极双极型晶体管）。IGBT通过电导率调制，向漂移层内注入作为少数载流子的空穴，因此导通电阻比MOSFET还要小，但是同时由于少数载流子的积聚，在Turn-off时会产生尾电流，从而造成极大的开关损耗。

技术探讨发布时间 : 2024-07-04

MOS管的优点和分类

功率半导体器件在工业、消费、军事等领域都有着广泛应用，具有很高的战略地位，下面一张图能简要概况功率半导体器件的主要类型。不同功率半导体器件，其承受电压、电流容量、阻抗能力、体积大小等特性也会不同，实际使用中，需要根据不同领域、不同需求来选用合适的器件。

技术探讨发布时间 : 2024-05-09

LJ3401 SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS

型号- LJ3401

数据手册 - 鲁晶 - Rev.A - 2017.6 PDF 英文下载

MOSFET的地位和角色

金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)则是功率分立器件的主体之一，最早可以追溯到1960年。具有输入阻抗高、驱动功率低、开关速度快、无二次击穿、安全工作区宽、热稳定性好等优点，无论是在IC设计里，还是板级电路应用上，都十分广泛。尤其在大功率半导体领域，各种结构的MOSFET更是发挥着不可替代的作用。

技术探讨发布时间 : 2024-07-04

通俗易懂讲解MOS管

MOS管的英文全称叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)，即金属氧化物半导体型场效应管，属于场效应管中的绝缘栅型。因此，MOS管有时被称为绝缘栅场效应管。在一般电子电路中，MOS管通常被用于放大电路或开关电路。

设计经验发布时间 : 2024-06-27

TIP122 TO-220-3L Plastic-Encapsulate Transistors

型号- TIP122

数据手册 - 鲁晶 - Rev.A - 2017.6 PDF 英文下载

SiC功率元器件的特征

SiC比Si的绝缘击穿场强高约10倍，可耐600V～数千V的高压。此时，与Si元器件相比，可提高杂质浓度，且可使膜厚的漂移层变薄。高耐压功率元器件的电阻成分大多是漂移层的电阻，阻值与漂移层的厚度成比例增加。因为SiC的漂移层可以变薄，所以可制作单位面积的导通电阻非常低的高耐压元器件。理论上，只要耐压相同，与Si相比，SiC的单位面积漂移层电阻可低至1/300。

技术探讨发布时间 : 2024-07-03