肖特基二极管的原理是什么？

时间： 2024-04-26 来源：鲁晶官网

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肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，又称肖特基势垒二极管，SBD是肖特基势垒二极管的简称。那么肖特基二极管的原理是什么呢？下面鲁晶就来带大家了解一下。

肖特基二极管SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属——半导体结原理制作的。

肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度逐渐降低，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B→A。但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。

典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片，在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。阳极使用钼或铝等材料制成阻档层。用二氧化硅（SiO2）来消除边缘区域的电场，提高管子的耐压值。N型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较H-层要高100%倍。在基片下边形成N+阴极层，其作用是减小阴极的接触电阻。

肖特基二极管常见的型号有SS、MBR、SR等，代表型号为SS510、MBR1030、SR150等。

综上所述，肖特基整流管的原理与PN结整流管有很大的区别，通常将PN结整流管称作结整流管，而把金属半导管整流管叫作肖特基整流管，采用硅平面工艺制造的铝硅肖特基二极管也已问世，这不仅可节省贵金属，大幅度降低成本，还改善了参数的一致性。

图 1

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型号- 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白色,HZ18,SMAJ36A,P4SMA51C,P4SMA51A,BZT52C3V6,BZT52C3V9,2EZ4.7D5,1N5334B,2EZ3.9D5,BZT52C3V0,SMAJ8.5CA,BZT52C3V3,SMAJ180A,1N5249B,P4KE100A,1.5KE130CA,BCW61,KBPC2510,BCW65,P4SMA43CA,SMBJ17A,BCW66,BCW68,MMBTA05,MMBTA06,SMBJ120CA,2EZ120D5,RB156,KTA1273,RB157,RB154,RB155,6A1,KTA1271,6A2,1.5SMC110,KTA1270,6A4,1.5SMC10A,6A6,P6SMB180,1.5SMC10C,6A8,HZ30,1N5337B,HZ33,SMBJ14A,P6SMB18A,SMAJ13CA,P4SMA56CA,P6SMB18C,HZ36,1.5SMC100,SMB2EZ100,SMBJ130A,1.5SMC130CA,MPSA13,9452,P6SMB170,MPSA14,BAS70M9,P4KE62A,KBP3005,1N5336B,KTA1266,9451,HZ22,HZ20,HZ27,P6KE180A,SMBJ15A,HZ24,P6KE180C,SMAJ170CA,RB551V-30,RB152,RB153,SMB2EZ110,RB151,P4SMA440C,BAT42M9,P6KE75,MMBTA55,P4SMA440A,MPSA06,BZX584C2V4,MPSA05,P4SMA9.1,SMBJ9.0A,SS110,SMBJ5915B,2SD2137,1N5339B,SMBJ12A,15SQ060,SMAJ6.0A,P6KE62CA,SR260,P6KE68,SMBJ350A,MMBTA56,BAV16W,1.5SMC91A,MMBTA43,MMBTA44,1.5SMC91C,MMBTA42,P6KE82,SMBJ5916B,SMCJ300CA,5N60,SMCJ7.0A,1N5338B,15SQ050,2SB1116A,SMBJ13A,1.5KE62CA,SR250,P6SMB43CA,SMCJ170CA,BZX584C2V7,P6KE75A,P6KE75C,SMAJ33A,SMCJ54CA,P4SMA220A,MBR3040CT,P4SMA220C,M28S,1.5SMC22CA,SMBJ5917B,P6KE91

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肖特基二极管和齐纳二极管的区别有哪些？

我们知道肖特基二极管和齐纳二极管都有整流的作用，那么在整流电路中我们可以互换用吗？虽然两者作用有类似的地方，但两者依然不属于同一类二极管，不可以混用，本文我们主要来了解一下肖特基二极管和齐纳二极管的区别。首先，我们从结构上来看一下两者的区别，肖特基内部为金属-半导体结，而齐纳二极管为普通的P-N结。

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肖特基二极管(SBD)与普通二极管的区别

总的来说，肖特基二极管属于二极管的一种，无论哪种二极管，都脱离不了二极管的单向导电性，由于很多人在肖特基的选型及应用上有所疑问，本文我们就主要来介绍一下肖特基二极管和普通二极管的区别。首先，肖特基二极管不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的，这是它与普通二极管在最根本上区别。

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肖特基二极管在电路中的作用与应用解析

肖特基二极管基势垒高度比PN结势垒高度低，正向导通门限电压和正向压降也比PN结二极管低。肖特基二极管是一种多数载流子导电器件，不存在少数载流子寿命和反向恢复等问题。肖特基二极管的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间，完全不同于PN结二极管反向恢复时间。因为反向恢复电荷少，肖特基二极管开关速度极快，开关损耗也极小，特别适合于高频应用。

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详解肖特基二极管和PN结二极管的选型

二极管选型相对简单，相信每个硬件工程师，都有对比过肖特基二极管与PN结二极管的差异。差异无非就几点，包括导通电压、耐压、反向恢复时间、最高工作频率、漏电流、价格等，具体差异结果如下：

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碳化硅肖特基二极管的优势及应用

肖特基二极管，又称热载流子二极管，通过金属和半导体接触(肖特基接触)形成肖特基势垒，实现整流。与普通PN结二极管相比，肖特基二极管的反向恢复惯性非常低。因此，肖特基二极管适用于高频整流或高速开关。碳化硅（SiC）是一种高性能的半导体材料，基于SiC的肖特基二极管（SiC Schottky Diode）具有更高能效、更高功率密度、更小尺寸和更高的可靠性，可以在电力电子技术领域打破硅的极限。

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1N60P Schottky Barrier Diode

型号- 1N60P

数据手册 - 鲁晶 - Rev.A - 2017.6 PDF 英文下载查看更多版本

肖特基二极管好坏判断的三大基本依据

随着电子行业的不断发展与进步，人们也越来越离不开电子产品，同时也对其产品的性能大幅度提高，对于不同的产品来说，品质好坏决定因素不同，标准也不尽相同。肖特基二极管主要应用于开关电源及便携式电子产品中，由于其本身正向压降低、正向电压的功耗小，反向恢复时间小，比超快恢复二极管还要小得多等优点，自诞生后而迅速走红，成为电子行业的一方霸主。本文主要介绍肖特基二极管好坏判断的三大基本依据。

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肖特基二极管优势有哪些？

在负载点（POL）降压转换器领域，同步变化的高边和低边有源开关已被广泛使用。图1显示了具有理想开关的此类电路。与使用无源肖特基二极管作为低边开关的架构相比，此类开关稳压器具有多项优势。主要优势是电压转换效率更高，因为与采用无源二极管的情况相比，低端开关承载电流时的压降更低。但是，与异步开关稳压器相比，同步降压转换器会产生更大的干扰。

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