首创精准掺杂外延生长技术厂商芯科半导体授权世强硬创代理
基于新能源及光伏产业的需求逐步扩大,且对SiC产品的性能要求愈来愈高,在此推动下国内企业对SiC产品也做了进一步的提升。
为将更优质的SiC产品触达至终端市场,世强先进(深圳)科技股份有限公司(下称“世强先进”)与国内浙江芯科半导体有限公司(下称“芯科半导体”,英文:xinke semicon)达成授权代理合作。
合作双方将依托世强先进旗下产业互联网平台世强硬创,向全球提供优质的半导体功率器件产品和服务。
据了解,芯科半导体致力于提供优质的半导体功率器件产品和服务,是一家专业从事SiC外延片、功率芯片及器件类产品研发、设计、销售的公司。
在产品层面来看,芯科半导体核心产品包含1200V/5-50A、1700V/5-50A、3300V/0.6-50A等系列的碳化硅肖特基二极管、MOSFET产品。以碳化硅肖特基二极管、整流二极管、MOSFET为代表,其中650V/2-100A、1200V/2-50A的产品可以比肩国际同行业的先进水平。
在技术层面来看,一方面该公司技术团队在碳化硅(SiC)功率器件领域取得了重大技术突破,成功研发出全球首创的精准掺杂外延生长技术。
这项技术解决了传统工艺在制造大功率器件过程中遇到的诸多难题,例如SiC厚膜外延缺陷密度高、栅介质与SiC界面质量低、掺杂激活温度过高、散射中心较多等,能够显著提升器件的性能。
另一方面,利用这项技术生产出的SiC外延层具有极高的同质异性,厚度超过200μm,远超传统工艺的水平。同时,器件的击穿电压达到了20kV以上,载流子迁移率提升至15cm²/s,正向电流密度降低至100A/cm²以下,这些指标均达到了国际先进水平。
该技术的推出有助于降低生产成本,提高生产效率,推动SiC功率器件的普及和应用,截至当前,芯科半导体的所有产品已经广泛应用于汽车、逆变器、AC/DC电源芯片、充电桩、电源、光伏产业、轨道交通等领域。
未来,世强硬创将凭借30年丰富的技术分销经验以及渠道资源,满足不同层次产品的客户需求,帮助芯科半导体降低市场拓展和销售成本,助力其SiC产品加速拓展应用领域,扩大市场份额。
芯科半导体致力于提供优质的半导体功率器件产品和服务,是一家专业从事 SiC 外延片、功率芯片及器件类产品研发、设计、销售的公司,公司在申请及完成转换专利 117 项,预计截止 2023年累计申请专利将超过 200 项。芯科团队在国内成功研制了第一批工业化 SiC基MOSFET功率器件,研发出了第一个10kVp沟槽SiC IGBT器件;在国际上,率先将1200VSiC肖特基二极管应用到电动汽车充电桩中。 查看更多
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