碳化硅MOS管（SiC-MOSFET）的特征
下图通过与Si功率元器件的比较，来说明SiC-MOSFET（碳化硅MOS管）的耐压范围。
目前SiC-MOSFET的应用范围通常是耐压在600V以上，尤其是1kV以上。下面将1kV以上的SiC-MOSFET与当前主流的Si-IGBT进行比较，看看它的优势。相对于IGBT，SiC-MOSFET在开关关断时降低了损耗，实现了高频率工作，有助于应用的小型化。与同等耐压的SJ-MOSFET（超级结MOSFET）相比，SiC-MOSFET的导通电阻更小，可以减少相同导通电阻的芯片面积，并显著降低恢复损耗。
下表是600V～2000V耐压的功率元器件的特征汇总。
注：雷达图的RonA为单位面积的导通电阻（表示传导时损耗的参数），BV为元器件耐压，Err为恢复损耗，Eoff为关断开关的损耗。
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