凌讯微低正向肖特基二极管SBT1045/SBL1045正向压降仅0.4V，广泛应用于开关电源、变频器

时间： 2024-04-26 来源：凌讯微电子

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型号：SBT1045/SBL1045（低正向肖特基二极管）

封装：TO-220AB / ITO-220AB(TO-220F)

品牌：LX（凌讯微电子）

IO：10A

VRRM：45V

IFSM：275

VF MAX：0.49

低正向/低压降肖特基二极管简介

肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的肖特基势垒二极管，简称肖特基二极管。肖特基二极管属于低功耗、超高速半导体器件。而低正向/低压降肖特基二极管是正向压降比普通肖特基二极管还要低的一种半导体器件，可以理解成升级版性能更优，压降更低的肖特基二极管。压降越低，效率越高。其反向恢复时间可小到几个纳秒（2-10ns纳秒），正向压降仅0.4V（0.4--1.0V）左右，而整流电流却可达到几千安。

低正向/低压降肖特基二极管的作用

低正向肖特基二极管的作用跟肖特基二极管是一样的，二者区别只在于正向压降更低，效率更高。广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路。用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用，或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。

凌讯微电子是一家专注功率半导体器件研发、封装测试、销售于一体的国家高新技术企业，致力于成为卓越的功率半导体器件制造商，助力功率半导体核心器件国产化，能够为客户提供高质量，高可靠性的功率器件产品及全方位的技术支持，现有肖特基、LowVF肖特基、快恢复、高压MOS、中低压MOS、超结MOS、IGBT单管及SiC（碳化硅）二极管等主力产品线，产品广泛应用于各类电源适匹器、LED照明、无刷马达，锂电管理，逆变等领域。

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