常见肖特基二极管型号选型分析

2024-05-07 凌讯微电子
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肖特基二极管优点:

1.正向压降小:通常0.4V左右

2.反向恢复时间极短:最小可达几纳秒

3.大的正向电流:1A---300A之间

 

肖特基二极管缺点:

1.反向工作电压VR低:通常最大才200V

2.漏电流稍大些:最大可达几个mA

 

小结:肖特基二极管是一种低功耗、超高速半导体器件,广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路,作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用,或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。

 

例1:SBT2045LCT           

1.反向最大工作电压VRRM:45V

2.正向压降VF:最大0.4V(IF=10A)

3.漏电流IR=120UA          

4.浪涌电流IFSM=100A(T=8.3ms)

 

例2:1N5817,1N5818,1N5819

1.反向最大工作电压VRRM(1N5817,1N5818,1N5819 ):20V,30V,40V

2.正向压降VF:最大0.6V(IF=1.0A)

3.漏电流IR=0.1mA(VRRM=40V)

4.整流电流IF=1A

5.浪涌电流IFSM=25A(T=10ms)

凌讯微电子是一家专注功率半导体器件研发、封装测试、销售于一体的国家高新技术企业,致力于成为卓越的功率半导体器件制造商,助力功率半导体核心器件国产化,能够为客户提供高质量,高可靠性的功率器件产品及全方位的技术支持,现有肖特基、LowVF肖特基、快恢复、高压MOS、中低压MOS、超结MOS、IGBT单管及SiC(碳化硅)二极管等主力产品线,产品广泛应用于各类电源适匹器、LED照明、无刷马达,锂电管理,逆变等领域。

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