瞬态抑制二极管选型技巧
瞬态抑制二极管是用于保护敏感型电子设备免受高电压瞬变损害的电子元件。与大多数其他类型的电路保护设备相比，它们可更快地应对过电压现象。下面，鲁晶半导体给大家介绍几个瞬态抑制二极管选型技巧：
1、瞬态抑制二极管额定反向关断VWM应大于或等于被保护电路的最大工作电压。若选用的VWM太低，器件可能进入雪崩或因反向漏电流太大影响电路的正常工作。串行连接分电压，并行连接分电流。
2、确定被保护电路的最大直流或连续工作电压、电路的额定标准电压和“高端”容限。
3、瞬态抑制二极管的最大钳位电压VC应小于被保护电路的损坏电压。
4、温度考虑。瞬态电压抑制器可以在-55℃～+150℃之间工作。如果需要TVS在一个变化的温度工作，由于其反向漏电流ID是随增加而增大;功耗随TVS结温增加而下降，从+25℃～+175℃，大约线性下降50%雨击穿电压VBR随温度的增加按一定的系数增加。因此，必须查阅有关产品资料，考虑温度变化对其特性的影响。
5、在规定的脉冲持续时间内，瞬态抑制二极管的最大峰值脉冲功耗PM必须大于被保护电路内可能出现的峰值脉冲功率。在确定了最大钳位电压后，其峰值脉冲电流应大于瞬态浪涌电流。
6、根据用途选用TVS的极性及封装结构。交流电路选用双极性TVS较为合理；多线保护选用TVS阵列更为有利。
图 1
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