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明芯微电源管理芯片选型表
无锡明芯微高边开关、低边驱动、理想二极管、E-Fuse、负载开关、氮化镓驱动、激光雷达驱动、SSR、PSR选型表。理想二极管:1-50v 理想二极管,内置10毫欧FET;E-fuse:30毫欧内阻 E-Fuse,外部分压电阻过压保护;高速比较器:4ns双通道高速比较器;负载开关:100毫欧,2.5A,1-5V负载开关;低边驱动:单、双通道,低边驱动,耐压20V,MSOP8小封装;SSR:大功率副边反激控制器,满载65Khz,准谐振,外部过温保护自恢复。
产品型号
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品类
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描述
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开关频率(Khz)
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导通特性
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模式
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MX1210T
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反激芯片SSR
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大功率副边反激控制器,满载65Khz,准谐振,外部过压过温输入欠压保护自锁
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65Khz
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准谐振
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Burst mode
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选型表 - 明芯微 立即选型
研讨会2024功率器件新技术研讨会
描述- 11月21日在线直播,带来低导通电阻的功率MOS、集成驱动的GaN IC、IGBT新技术、用于电机驱动/BMS/移动储能的SGT MOS、高压车规SiC功率MOS、国产车规IGBT模块等功率器件新产品新技术,点击了解报名
议题- 降低20%导通电阻的功率MOS | 集成驱动的GaN IC | 沟槽栅场截止型IGBT新技术 | 适用于电机驱动/BMS/移动储能等应用SGT MOSFET | 1700V SiC功率MOS | 国产50A IPM模块 | 高可靠国产车规IGBT模块 | ROHM——专注功率,电源和模拟技术的全球知名半导体厂商 | EPC——基于氮化镓(GaN)功率管理器件的领先供应商 | 致力于功率器件和智能传感器技术的专业半导体厂商——瑶芯微(ALKAIDSEMI) | 中国半导体功率器件十强企业:扬杰科技(YANGJIE) | 致力于成为双碳时代功率半导体中国领跑者——阿基米德半导体(Archimedes) | 中国领先的碳化硅(SiC)半导体和芯片解决方案提供商——瞻芯电子(InventChip) | 专业从事电源管理、电机驱动、微控制器、传感器的集成电路和系统方案的设计与开发——华润微电子(CRM ICBG ) | Kyocera(京瓷)——全球领先的材料与电子元件制造商 | Shindengen(新电元)——“桥王”,整流桥全球份额占比约40% | 中国半导体功率器件十强的主板上市企业——新洁能(NCEPOWER) | 国内首家抗负压能力可达-40V/600ns的电机驱动(HVIC)制造商——数明半导体 | 国内领先的半导体分立器件整合制造商 (IDM) —— 捷捷微电(JieJie Microelectronics) | 国产一站式电路保护解决方案专家——硕凯(SOCAY) |
活动 发布时间 : 2024-10-12
肖特基二极管厂家
江西誉鸿锦第三代半导体芯片全产业链项目由深圳誉鸿锦芯科技合伙企业(有限合伙)投资,主要从事高品质氮化镓(GaN)电子材料和高端光电材料的MOCVD外延生长及器件流片、模组的研发和生产制造。该材料广泛用于用于新能源汽车、数据中心、超算中心及5G通讯领域。
产品 发布时间 : 2024-07-20
国内月产能Top,氮化镓IDM行业新秀誉鸿锦授权世强硬创代理全线
誉鸿锦氮化镓产品广泛用于新能源汽车、数据中心、超算中心、5G通讯及杀菌消毒等领域。
签约新闻 发布时间 : 2024-07-01
派恩杰(PN Junction)碳化硅肖特基二极管和碳化硅MOSFET选型指南
型号- P3D06010I2,P3D06020F2,P3M06120K4,P3D06010E2,P3D06016I2,P3M171K0G7,P3M173K0T3,P3M06120K3,P3D12010T2,P3D12040K2,P3M12080K4,P3D12040K3,P3M12080K3,P3D06002T2,P3M12040K3,P3D06004T2,P3M12040K4,P3D06006T2,P3D06008T2,P3M12025K4,P3M12080G7,P3M171K0K3,P3D06020I2,P4D06010F2,P3D12005E2,P3D06002G2,P3M06060T3,P3D06004G2,P3D06006G2,P3D06008G2,P6D12002E2,P3M06060G7,P3M171K0T3,P3D12030K3,P3D06010T2,P3D12030K2,P3M06060K3,P3D12015K2,P3M06060K4,P3M173K0K3,P3D06010G2,P4D06020F2,P4D06010I2,P3D06016K3,P3D06006F2,P3D06008F2,P6D06004T2,P3D12020K3,P3M06300D8,P3M06300D5,P3D12020G2,P3D12015T2,P3M12160K4,P3D06020T2,P3D12020K2,P3M12160K3,P3D06020P3,P3D12005K2,P3M12017BD,P3D06010F2,P4D06020I2,P3D06002E2,P3D06006I2,P3D06004E2,P3D06008I2,P3D06006E2,P3D06008E2,P3D12010K2,P3M06025K4,P4D06010T2,P3D12010K3,P3M07013BD,P3D12005T2,P3M06040K4,P3M06040K3,P3M12017K4,P3D06020K2,P3D12010G2,P3M17040K3,P3D06020K3,P3M17040K4
亚成微高雪崩高可靠性超结MOSFET在DJI大疆100W双USB-C口氮化镓桌面充电器的应用
大疆这款100W氮化镓充电器采用PFC+LLC+DC-DC的架构设计,PFC使用镓未来氮化镓功率芯片配合瑞能二极管整流,LLC采用亚成微RMD65R380SN MOS管组成半桥。滤波电容来自冠坤电子,输出使用两颗维安的低压MOS管用于同步整流,电源初级主控芯片和同步整流控制器均来自NXP恩智浦。
应用方案 发布时间 : 2024-06-07
氮化镓器件在射频领域中的应用,具有良好的导热性能、高频率、高功率等优势
碳化硅基氮化镓射频器件具有良好的导热性能、高频率、高功率等优势,主要应用于面向通信基站及雷达应用的功率放大器。碳化硅基氮化镓射频器件是迄今为止最为理想的微波射频器件,是4G/5G移动通讯系统、新一代有源相控阵雷达等系统的核心微波射频器件。随着信息技术产业对数据流量、更高工作频率和带宽等需求的不断增长,氮化镓器件在基站中应用越来越广泛。
应用方案 发布时间 : 2024-05-23
自主全流程IDM企业誉鸿锦材料科技有限公司 ∣ 视频
江西誉鸿锦材料科技有限公司从事第三代化合物半导体材料—氮化镓(GaN)系列材料的开发制造和应用。二十余年来专注于GaN材料外延、电子器件、光电器件和器件封装等的研发和生产,拥有坚实的理论基础和丰富的实战经验,掌握氮化镓外延、器件制备和封装等领域的核心技术,本公司的GaN材料外延和器件的性能达到世界先进水平。
原厂动态 发布时间 : 2024-04-26
誉鸿锦半导体GaN器件品牌发布会,携全产业链Super IDM模式实现产业效率革命
誉鸿锦半导体GaN器件品牌发布会由品牌战略官张雷主持,首次向行业展示了Super IDM产业集群的生态模式,带来了氮化镓半导体产业链的效率革命。实现了1.5年从建厂到中试线稳定产能1.5万片、7天外延至成品器件周期、量产平均良率85%、研发周期和建线成本较行业减少2/3的惊人成果。超过十多家媒体,多个地方政府招商团、数十个行业投资机构,几十个上下游企业代表参与了该发布会。
原厂动态 发布时间 : 2024-04-29
虹美功率半导体(Hongmei Power Semiconductor)MOSFET/GaN(氮化镓)FET选型表(国内独创特色产品)
目录- 小功率低压P/N沟道场效应管 中功率低压P/N沟道场效应管 超级沟槽工艺中功率P/N沟道场效应管 大功率高压N沟道场效应管 高压超结N沟道场效应管 大功率中压大电流P/N沟道场效应管 大功率中压大电流N+P沟道场效应管 大功率中压大电流串联半桥驱动双N沟道场效应管 超级沟槽工艺中压大电流N/P沟道场效应管 GaN(氮化镓) FET管
型号- HM01N100PR,HM3400KR,HM35SDN03D,HM603K,HMS10DN08Q,HM1N70PR,HMS11N70Q,HM10DN06Q,BSS84DM,HM3N40R,HM2818D,HM13N30,HMS20N65D8,HM1N50MR,BSS84DW,HM08DN10D,HM2810D,HM10N06Q,HM4615Q,HMS20N15KA,HMN9N65Q,HM100P35E,HM6604D,HM4P10D,BSS84KR,HM30SDN02D,HM2819D,HM2N50PR,HM06DP10Q,HM3N25R,HMS100N15,HMS3N70R,HM3400DR,HM35DN03D,HM4616Q,HM2310DR,HM4N60R,HM3N40PR,BSS138KR,BSS123DM,HM605K,HMS45N04Q,HM3N100F,HM18DP03Q,BSS138SR,HM3N30R,HM6604DB,HM3N100D,HM8N100A,HM07DP10D,HM3400E,HM2301BWKR,HM3DN10D,HM3N150,HM18DP03D,HMS65N10KA,HM8N100F,HMS5N70R,HM18SDN04D,HM50P35DE,HM2800D,HM10DP06D,HM2N50R,HM20DN04Q,HM10P10Q,HM4N10D,BSS138DM,HM15P06Q,BSS8402DM,HM1N60R,HMS18N10Q,HMS85P06,HM2809D,HM13N25FA,HM3401E,HM6604BWKR,HM30DN02D,HM12P04Q,HMS45P06D,HM4618Q,HMS35N06Q,HM15N25,HM50P03D,HM06N15MR,HM2N25MR,HM607K,HMS6N10PR,HM6803D,HM15N25K,HM2DP10D,HM3N150F,HM3N150A,HM12N20D,HM2309DR,HM4611Q,HM4N65R,HM13N25A,HM25P15,HMS5N80R,BSS138DW,HM4485E,HMS10N15D,HMS85P06K,HMS4488,HM3N30PR,HM10SDN06D,HM2319D,HM1N60PR,HM610K,HM3N100,HMS5N65R,HM100P35KE,HM25P15K,HM10SDN10D,HM1N70R,HM25P15D,HM20P04Q,HMS4N10MR,HM2803D,HM2N65R,HM4640D,HMS10DN10Q,HM609K,HM13N30K,HMS3N65R,HM25N08D,HM13N30F,HM2318D,HM3N120F,HM12DP04D,HM3N50R,HM3N120A,HMS5N90R,HM2N70R,BSS84SR,HM3800D,HM13N25KA,HM2302BWKR,HMS13N65Q,HM6804D,HM7002KDM,HMS11N65Q,HM3N50PR,HM2N65PR,HM7002KDW,HM5N50R,HM02P30R,HM0565MR,HM4884Q,HM25N06Q,HMS50N03Q,HM3801D,HM3N120,HM3401DR,HM4630D,HM02P30PR
【IC】无锡明芯微新推1ns极窄脉宽的栅极驱动产品MX1025/0,专为氮化镓和激光雷达应用而设
无锡明芯微近期推出了1ns极窄脉宽的氮化镓和激光雷达用栅极驱动器,DFN封装的MX1025D22和CSP封装的MX1020;上升沿延迟小于1.5nS;氮化镓应用中提高了开关的频率和电源效率;激光雷达的应用中增加数据量,提高了距离测量的精度。
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【视频】2023年1月12日碳化硅&氮化镓新技术研讨会
EPC、英诺赛科、西南集成等顶尖厂商带来SiC MOS、GaN FET、车规级SiC二极管等全新产品和技术。
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服务
满足150W内适配器、PD快充、氮化镓快充等主流产品测试需要;并可查看被测开关电源支持协议,诱导多种充电协议输出,结合电子负载和示波器进行高精度测试。测试浪涌电流最大40A。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。
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定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m,厚度2mm-100mm,单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
最小起订量: 1片 提交需求>
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