自主全流程IDM企业——誉鸿锦（NITRIDE）

时间： 2024-04-24 来源：世强

技术问答

江西誉鸿锦材料科技有限公司从事第三代化合物半导体材料—氮化镓（GaN）系列材料的开发制造和应用。二十余年来专注于GaN材料外延、电子器件、光电器件和器件封装等的研发和生产，拥有坚实的理论基础和丰富的实战经验，掌握氮化镓外延、器件制备和封装等领域的核心技术，本公司的GaN材料外延和器件的性能达到世界先进水平。公司的主要产品有高性能肖特基二极管势垒（SBD）、高电子迁移率晶体管（HEMT）、射频/功率放大器（RF PA）、深紫外发光二极管（UVC-LED）等，这些产品广泛用于新能源汽车、数据中心、超算中心、5G通讯及杀菌消毒等领域。江西誉鸿锦材料科技有限公司将致力于实现氮化镓电子器件和高端光电器件领域的“中国智造”！

服务与支持：线上商城技术资料

授权代理商：世强先进（深圳）科技股份有限公司 - 查看

品牌官网：http://www.nitride.com/

主要产品：氮化镓MOS管氮化镓SBD 氮化镓激光器氮化镓功率放大器氮化镓外延片及流片

主要应用：开关电源,逆变器,BMS,直流控制器和新能源汽车快充机,平面投影,测距仪,瞄准器空气,水消菌杀毒,医疗器械,便携式杀毒,基站,射频器件

产品亮点：

开断速度快，开关频率高，减少开关损耗；宽禁带、高热导率、高击穿场强，栅极耐压±20V，这些优点使得采用GaN MOS管的适配器尺寸更小、效率更高。

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用户76672544 Lv4 2024-04-26

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明芯微电源管理芯片选型表

无锡明芯微高边开关、低边驱动、理想二极管、E-Fuse、负载开关、氮化镓驱动、激光雷达驱动、SSR、PSR选型表。理想二极管：1-50v 理想二极管，内置10毫欧FET；E-fuse：30毫欧内阻 E-Fuse，外部分压电阻过压保护；高速比较器：4ns双通道高速比较器；负载开关：100毫欧，2.5A，1-5V负载开关；低边驱动：单、双通道，低边驱动，耐压20V，MSOP8小封装；SSR：大功率副边反激控制器，满载65Khz，准谐振，外部过温保护自恢复。

产品型号	品类	描述	开关频率(Khz)	导通特性	模式
MX1210T	反激芯片SSR	大功率副边反激控制器，满载65Khz，准谐振，外部过压过温输入欠压保护自锁	65Khz	准谐振	Burst mode

选型表 - 明芯微立即选型

肖特基二极管厂家

江西誉鸿锦第三代半导体芯片全产业链项目由深圳誉鸿锦芯科技合伙企业（有限合伙）投资，主要从事高品质氮化镓（GaN）电子材料和高端光电材料的MOCVD外延生长及器件流片、模组的研发和生产制造。该材料广泛用于用于新能源汽车、数据中心、超算中心及5G通讯领域。

产品发布时间 : 2024-07-20

国内月产能Top，氮化镓IDM行业新秀誉鸿锦授权世强硬创代理全线

誉鸿锦氮化镓产品广泛用于新能源汽车、数据中心、超算中心、5G通讯及杀菌消毒等领域。

签约新闻发布时间 : 2024-07-01

派恩杰（PN Junction）碳化硅肖特基二极管和碳化硅MOSFET选型指南

目录- 碳化硅肖特基二极管碳化硅MOSFET

型号- P3D06010I2,P3D06020F2,P3M06120K4,P3D06010E2,P3D06016I2,P3M171K0G7,P3M173K0T3,P3M06120K3,P3D12010T2,P3D12040K2,P3M12080K4,P3D12040K3,P3M12080K3,P3D06002T2,P3M12040K3,P3D06004T2,P3M12040K4,P3D06006T2,P3D06008T2,P3M12025K4,P3M12080G7,P3M171K0K3,P3D06020I2,P4D06010F2,P3D12005E2,P3D06002G2,P3M06060T3,P3D06004G2,P3D06006G2,P3D06008G2,P6D12002E2,P3M06060G7,P3M171K0T3,P3D12030K3,P3D06010T2,P3D12030K2,P3M06060K3,P3D12015K2,P3M06060K4,P3M173K0K3,P3D06010G2,P4D06020F2,P4D06010I2,P3D06016K3,P3D06006F2,P3D06008F2,P6D06004T2,P3D12020K3,P3M06300D8,P3M06300D5,P3D12020G2,P3D12015T2,P3M12160K4,P3D06020T2,P3D12020K2,P3M12160K3,P3D06020P3,P3D12005K2,P3M12017BD,P3D06010F2,P4D06020I2,P3D06002E2,P3D06006I2,P3D06004E2,P3D06008I2,P3D06006E2,P3D06008E2,P3D12010K2,P3M06025K4,P4D06010T2,P3D12010K3,P3M07013BD,P3D12005T2,P3M06040K4,P3M06040K3,P3M12017K4,P3D06020K2,P3D12010G2,P3M17040K3,P3D06020K3,P3M17040K4

选型指南 - 派恩杰 PDF 中文下载

氮化镓器件在射频领域中的应用，具有良好的导热性能、高频率、高功率等优势

碳化硅基氮化镓射频器件具有良好的导热性能、高频率、高功率等优势，主要应用于面向通信基站及雷达应用的功率放大器。碳化硅基氮化镓射频器件是迄今为止最为理想的微波射频器件，是4G/5G移动通讯系统、新一代有源相控阵雷达等系统的核心微波射频器件。随着信息技术产业对数据流量、更高工作频率和带宽等需求的不断增长，氮化镓器件在基站中应用越来越广泛。

应用方案发布时间 : 2024-05-23

亚成微高雪崩高可靠性超结MOSFET在DJI大疆100W双USB-C口氮化镓桌面充电器的应用

大疆这款100W氮化镓充电器采用PFC+LLC+DC-DC的架构设计，PFC使用镓未来氮化镓功率芯片配合瑞能二极管整流，LLC采用亚成微RMD65R380SN MOS管组成半桥。滤波电容来自冠坤电子，输出使用两颗维安的低压MOS管用于同步整流，电源初级主控芯片和同步整流控制器均来自NXP恩智浦。

应用方案发布时间 : 2024-06-07

自主全流程IDM企业誉鸿锦材料科技有限公司 ∣ 视频

原厂动态发布时间 : 2024-04-26

虹美功率半导体（Hongmei Power Semiconductor）MOSFET/GaN(氮化镓)FET选型表（国内独创特色产品）

目录- 小功率低压P/N沟道场效应管中功率低压P/N沟道场效应管超级沟槽工艺中功率P/N沟道场效应管大功率高压N沟道场效应管高压超结N沟道场效应管大功率中压大电流P/N沟道场效应管大功率中压大电流N+P沟道场效应管大功率中压大电流串联半桥驱动双N沟道场效应管超级沟槽工艺中压大电流N/P沟道场效应管 GaN(氮化镓) FET管

型号- HM01N100PR,HM3400KR,HM35SDN03D,HM603K,HMS10DN08Q,HM1N70PR,HMS11N70Q,HM10DN06Q,BSS84DM,HM3N40R,HM2818D,HM13N30,HMS20N65D8,HM1N50MR,BSS84DW,HM08DN10D,HM2810D,HM10N06Q,HM4615Q,HMS20N15KA,HMN9N65Q,HM100P35E,HM6604D,HM4P10D,BSS84KR,HM30SDN02D,HM2819D,HM2N50PR,HM06DP10Q,HM3N25R,HMS100N15,HMS3N70R,HM3400DR,HM35DN03D,HM4616Q,HM2310DR,HM4N60R,HM3N40PR,BSS138KR,BSS123DM,HM605K,HMS45N04Q,HM3N100F,HM18DP03Q,BSS138SR,HM3N30R,HM6604DB,HM3N100D,HM8N100A,HM07DP10D,HM3400E,HM2301BWKR,HM3DN10D,HM3N150,HM18DP03D,HMS65N10KA,HM8N100F,HMS5N70R,HM18SDN04D,HM50P35DE,HM2800D,HM10DP06D,HM2N50R,HM20DN04Q,HM10P10Q,HM4N10D,BSS138DM,HM15P06Q,BSS8402DM,HM1N60R,HMS18N10Q,HMS85P06,HM2809D,HM13N25FA,HM3401E,HM6604BWKR,HM30DN02D,HM12P04Q,HMS45P06D,HM4618Q,HMS35N06Q,HM15N25,HM50P03D,HM06N15MR,HM2N25MR,HM607K,HMS6N10PR,HM6803D,HM15N25K,HM2DP10D,HM3N150F,HM3N150A,HM12N20D,HM2309DR,HM4611Q,HM4N65R,HM13N25A,HM25P15,HMS5N80R,BSS138DW,HM4485E,HMS10N15D,HMS85P06K,HMS4488,HM3N30PR,HM10SDN06D,HM2319D,HM1N60PR,HM610K,HM3N100,HMS5N65R,HM100P35KE,HM25P15K,HM10SDN10D,HM1N70R,HM25P15D,HM20P04Q,HMS4N10MR,HM2803D,HM2N65R,HM4640D,HMS10DN10Q,HM609K,HM13N30K,HMS3N65R,HM25N08D,HM13N30F,HM2318D,HM3N120F,HM12DP04D,HM3N50R,HM3N120A,HMS5N90R,HM2N70R,BSS84SR,HM3800D,HM13N25KA,HM2302BWKR,HMS13N65Q,HM6804D,HM7002KDM,HMS11N65Q,HM3N50PR,HM2N65PR,HM7002KDW,HM5N50R,HM02P30R,HM0565MR,HM4884Q,HM25N06Q,HMS50N03Q,HM3801D,HM3N120,HM3401DR,HM4630D,HM02P30PR

选型指南 - 虹美功率半导体 - 2023/5/26 PDF 中文下载

誉鸿锦半导体GaN器件品牌发布会，携全产业链Super IDM模式实现产业效率革命

誉鸿锦半导体GaN器件品牌发布会由品牌战略官张雷主持，首次向行业展示了Super IDM产业集群的生态模式，带来了氮化镓半导体产业链的效率革命。实现了1.5年从建厂到中试线稳定产能1.5万片、7天外延至成品器件周期、量产平均良率85%、研发周期和建线成本较行业减少2/3的惊人成果。超过十多家媒体，多个地方政府招商团、数十个行业投资机构，几十个上下游企业代表参与了该发布会。

原厂动态发布时间 : 2024-04-29