场效应管原理-场效应管参数怎么看? 场效应管是做什么用的?
场效应管(Field Effect Transistor,简称FET)是一种半导体器件,常用于放大、开关和调节电流。其工作原理基于半导体中的电场调制效应,主要有三种类型:金属氧化物场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,简称MOSFET)、绝缘栅场效应晶体管(Insulated-Gate Field-Effect Transistor,简称IGFET或MOSFET)和结型场效应晶体管(Junction Field-Effect Transistor,简称JFET)。
这里重点介绍MOSFET,因为它是常见和广泛应用的场效应管之一,尤其在集成电路中应用广泛。
MOSFET是一种三端器件,包括栅极(Gate)、漏极(Source)和源极(Drain)。其工作原理如下:
基本结构:MOSFET由一根控制电极(栅极)和两个主电极(漏极和源极)组成。在晶体管中,通常是将两个异质半导体接触在一起,形成PN结。MOSFET的栅极上覆盖有绝缘层,通常是氧化物,将栅极和通道(在绝缘层下方的半导体区域)隔离开。
工作原理:
无栅压(截止区):当栅极未加电压时,绝缘层阻止了电流通过,形成截止状态,MOSFET处于高阻态。
栅极正向偏置:当栅极施加正向电压时,在绝缘层下方形成了一个电场,使得通道区域的载流子(电子或空穴)受到栅极电场的控制。
通道形成:当栅极施加的电压足够大,使得在通道区域形成了一个导电路径,称为沟道或通道。这个通道允许电流从源极流向漏极(或反之),MOSFET处于导通状态,电流可以流过。
主要特性:
电阻变化:栅极电压可以控制通道的电阻,从而控制漏极和源极之间的电流。
电流放大:MOSFET可以放大电流,通过控制栅极电压来调节漏极和源极之间的电流。
高输入阻抗:MOSFET的栅极具有极高的输入阻抗,使得它对外部信号的响应非常灵敏。
场效应管(FET)的参数怎么看
场效应管(FET)的参数主要包括以下几个方面,这些参数对于了解场效应管的性能和特性非常重要:
漏极-源极导通电阻(RDS(on)):指在导通状态下,漏极和源极之间的等效电阻。这个参数决定了场效应管在导通状态下的功耗和热耗散能力。
栅极-源极电压(VGS):指施加在栅极和源极之间的电压。该电压可以控制场效应管的导通状态,进而控制漏极和源极之间的电流。
漏极-源极电压(VDS):指场效应管能够承受的漏极和源极之间的电压。超过这个电压可能会导致场效应管损坏。
栅极-源极截止电压(VGS(off)):指场效应管在栅极和源极之间的电压达到一定程度时,处于截止状态的电压。超过这个电压场效应管将截止导通。
漏极电流(ID(max)):指场效应管能够承受的漏极电流。超过这个电流可能会导致场效应管损坏。
输入电容(Ciss):指场效应管的输入电容,即栅极和源极之间的电容。这个参数决定了场效应管对输入信号的响应速度。
输出电容(Coss):指场效应管的输出电容,即漏极和源极之间的电容。这个参数影响场效应管在开关过程中的速度和功耗。
反向传导电阻(Reverse Transfer Capacitance, Crss):指场效应管在反向传导状态下的等效电阻。
场效应管是做什么用的
它在电子设备中扮演着关键的角色,常见的用途包括但不限于以下几个方面:
放大器:FET可以作为信号放大器,放大电压、电流或功率信号。在放大器电路中,FET通常用于放大微弱的信号,例如音频信号、射频信号等。
开关:FET作为开关器件可以控制电路中的电流通路,实现电路的开闭。它在数字电路中被广泛应用,例如在计算机中的逻辑门、存储器、微处理器等电路中起到关键作用。
调节器:FET可通过调节栅极电压来控制漏极和源极之间的电流,从而实现对电路中电流的调节。这在电源管理电路和稳压电路中尤为重要。
高频应用:由于FET具有快速的开关速度和良好的高频特性,因此在射频(Radio Frequency, RF)应用中经常用于调制、解调、频率合成、射频功率放大等方面。
传感器接口:FET对输入信号的响应速度非常快,因此在传感器接口电路中常用于放大和处理传感器输出的微弱信号,如光电传感器、压力传感器等。
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型号- 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科信(KEXIN)场效应管(MOSFET)选型表
目录- 场效应管
型号- KI11N65,2KK5781,2KK5782,AO4447A,2KJ6050DFN,2KK5004E,2KJ6062DFN,AG0001070,KI2309DS,2KK5122DFN,2KK5042DFN,KI11N70,KI8205T,AA0002972,JD0000451,2SK3065,2KK5775,2KK5776,KI5P02DV-HF,2KK5089DFN,KO6604,2KJ6049DFN,KI2N65,AG0001097,AA0002713,2KK5135DFN,2NP12,2NP11,FDC86244,2NP13,2NP10,2KJ7111DFN,2KK5777DFN,2KK6013DFN,2KJ6063DFN,2KK5041DFN,2KK5101,AA0002408,KI2N70,2NP01,2NP03,DFN2×2-6A,2NP02,2KK5106,2NP09,2KK5107,2NP08,2KK5108,2KK5109,2NP05,2SK3018,2KK5103,2NP04,2KK5104,2NP07,2KK5105,2NP06,AA0000111,AG0001395,AG0001396,AA0000238,AA0000114,2KJ7102DFN,2KJ6048DFN,2KK5123DFN,KI3N65,2KK5100DFN,2KK5121,AG0000092,2KJ6036DFN,2KK5002,2KK5018DFN,AG0000095,AG0000096,2KJ6059DFN,AG0000097,AA0002982,2KK5778DFN,KI20N70,2KK5128,2KK5129,2KJ7112DFN,2KK5009,2KK5003,2KK5005,2KK5126,2KK5127,2KK6012DFN,2KJ7117DY,2KK5110,KI3415P,2KK5111,2KK5112,AG0001293,KI3N70,AA0002510,2KK5117,2KK5113,2KK5114,2KK5116,2KK5039DFN,2KK5119DFN,2KK5131DFN,2KK5051DFN,2KJ6008E,2N7002K,2KK5080DFN,2KK6004DFN,KI4N65,2KK5779DFN,2KK5006DS,2KK6015DFN,DTS3404,KI4N70,DTS2315,KRLML6401,AA0003199,2KK5132DFN,2KK5138CSP,2KJ6060DFN,2KK5780DFN,2KK5050DFN,2KK5007DS,2KJ7108DFN,2KK5081DFN,JF0001046,2KK5143GDFN,AA0001952,KI5N65,AO7400,2KJ7110DFN,2KK6014DFN,BSS138,KX6P02,KI5N70,2KK5008DS,2KJ6072DFN,2KK4048DFN,JF0001065,2KK5049DFN,2KK6003DFN,2KJ7109DFN,2KK5082DFN,2KK5120DFN,JH0000004,2KK5071DFN,2KJ6067DFN,2KK5001DS,SI9435DY,AG0001401,2KJ6029,2KJ6028,AG0001520,NTR4101P,2KJ6027,AG0001400,2KJ6026,AG0001405,2KJ6025,2KJ6024,AG0001403,2KJ6023,AG0001404,2KJ6021,2KK5048DFN,2KK5770DFN,2KK5099,2KK5095,2KK5092,AG0001511,2KJ7008,2KJ6039,2KK5059DFN,2KJ6038,2KJ7006,2KK5094DFN,AG0001510,2KJ6037,2KJ7005,AG0001515,2KJ7004,2KJ6035,2KJ7003,AG0001513,2KJ6034,AA0003024,AG0001514,2KJ6033,2KJ7001,2KJ6032,2KJ6031,2KJ6030,2KJ6055DFN,2KK5083DFN,2KK5140DFN,2KK5014DFN,AG0001420,IRLML0100,AG0001302,2KK6007DFN,AG0001545,AG0001421,AG0001427,2KJ7105DFN,AG0001425,AG0001426,AG0001547,2KJ6044,AG0001308,2KJ6041,2KJ6040,AG0001530,2KJ6043DFN,AG0001412,AG0001533,AG0001411,AG0001416,AG0001417,AG0001535,2KJ6056,2KK5783DFN,AG0001415,KI2305,2KJ6054,AG0001418,2KJ6051,2KK5047DFN,2KK6005DFN,2KK5035DFN,KI001P,AG0001600,AG0001604,2KJ6068,AG0001601,2KJ7107DFN,AG0001607,2KJ6065,AG0001608,AG0001605,2KJ6061,AG0001609,KI8N65,2KJ6071,2KK5783DFN,2KK5784DFN,KI2333CDS,KI8N70,2KK5046DFN,SSM3J135TU,2KK5094DFN,2KJ005PDFN,2KJ7118DFN,2KK6006DFN,AG0001610,AG0001611,2KK5096DFN,2KJ6053DFN,2KK5139DFN,KI2345,2KK5773DFN,2KK5085DFN,2KK5021,2KK5022,2KK6009DFN,AG0001481,2KK5125DFN,2KK5020,2KK5141,AG0001485,AG0001486,AG0001368,2KK5074DFN,2KK5097DFN,AG0000038,2KJ7103DFN,AG0001008,JF0000746,2KJ6047DFN,2KK5026,2KK5028,2KK5011,2KK5012,2KK5013,2KK5134,AG0001591,AG0001592,2KK5130,AG0001590,AG0001475,AG0001593,AG0001473,AG0001594,AG0001357,KI20N65,AG0001477,AG0001598,AA0002572,2KK5019,2KK5102DFN,2KK5137,2KK5017,2KJ6013DFN,2KK5044,KI007P,2KK5045,2KK5072,2KK7102,2KK5040,AG0001381,2KK5077,AG0001385,AA0000248,AG0001388,BSS84,2KK7109,KI4435,2KK7108,2KK5774DFN,2KK7105,2KK7104,2KK6010DFN,2KK7107,2KK5086DFN,2KK7106,2KK5032,2KK5033,2KK5124DFN,2KK5034,2KJ7114DFN,2KK5030,AG0001370,AG0001496,AG0001376,AG0001494,AG0001379,2KK5075DFN,AG0001377,AG0001499,2KJ6046DFN,AA0000250,2KK5036,2KK5037,2KK5065,2KK7002,2KK5067,2KK7004,2KK5068,2KK7003,KI009P,2KK5062,2KJ6057DFN,2KK5063,KO4407,2KK5064,AA0003216,2KK5115DFN,2KK5060,AG0001324,AG0001446,AG0001444,AG0001447,AG0001568,AG0001448,2KK7006,2KK7005,2KK5054,2KK5055,2KK5056,2KK5057,2KJ6066DFN,2KK5052,2KK7110,2KJ7116DFN,2KK5053,AG0001310,AG0001431,2KJ6045DFN,AG0001550,2KK6008DFN,AG0001313,AG0001314,AG0001311,AG0001432,AG0001317,AG0001438,AG0001439,AG0001315,AG0001436,AG0001316,AG0001319,2KK6019DFN,2KK5058,2KK5087DFN,2KK5088,AG0001580,2KK5084,AG0001460,2KJ7115DFN,PDFN5×6-8A,AG0001464,AG0001461,AG0001462,AG0001588,2KJ6007,AG0001226,AG0001589,2KJ6006,2KJ6005,AG0001587,2KJ6004,2KK5076DFN,2KJ6003,2KJ6002,2KK5010E,AG0001469,2KJ6001,2KK5136DFN,KO3407,2KK5077,FDT86244,2KK5079,2KK5072,2KK5073,KO3404,KO3406,AG0001452,AG0001453,KO3400,2KK5070,AG0001450,AG0001571,KO3401,AG0001451,2KJ6019,AG0001577,AG0001578,AG0001455,2KJ6015,2KJ7104DFN,AG0001458,2KJ6012,2KJ7101,AG0001459,2KJ6011,2KJ6010,AA0000051,JF0000432
一文解析可控硅及其与三极管和场效应管的区别
可控硅(SCR,Silicon Controlled Rectifier)是一种电子器件,其工作原理基于半导体的导电性可控特性。本文中TOPPOWER将为大家解析可控硅及其与三极管和场效应管的区别。
瑶芯微技术分享 | MOSFET开关过程详解
由于MOSFET是电压型器件,当驱动电压Vgs大于Vth电压就可以开通,开通就是给寄生电容充电的过程,同理,关断就是寄生电容的放电过程。本文瑶芯微介绍MOSFET开关过程。
AM1005 MOSFET N沟道100V 4.5A快速开关MOSFET
描述- 该资料介绍了AiT Semiconductor Inc.生产的AM1005型号N沟道MOSFET,这是一种适用于高速开关应用的100V 4.5A功率MOSFET。它采用SOT-23封装,具有低栅极电荷、优异的Cdv/dt效应下降和先进的深槽技术。资料提供了详细的电气特性、典型性能曲线、封装信息和重要注意事项。
型号- AM1005E3R,AM1005E3VR,AM1005
【产品】25V/10mA硅N沟道结型场效应管CMPFJ310,专为超高频/甚高频放大器
CMPFJ310是一款由Central公司推出的N沟道结型场效应晶体管(JFET),该产品是专门为了针对甚高频(VHF)和超高频(UHF)放大器应用而设计生产。该器件选用SOT-23紧凑型贴片封装结构,使用环氧树脂封装,其优点有体积小,重量轻,绝缘性好,热阻低等。
【产品】无卤N道MOS场效应管BRCS3420MC,采用SOT23-3塑封封装,适用于负载开关或脉宽调制应用
蓝箭电子推出的BRCS3420MC是一款采用SOT23-3塑封封装的N道MOS场效应管。具有VDS (V) = 20V,ID = 6 A (VGS = 10V),RDS(ON) < 24mΩ (VGS = 10V),RDS(ON) < 27mΩ (VGS = 4.5V)的特征的无卤产品,适用于作负载开关或脉宽调制应用。
AM50N06A MOSFET 60V 50A N沟道快速开关MOSFET
描述- AM50N06A是一款60V 50A N-CH快速开关MOSFET,采用TO-252封装。该产品具有超低栅极电荷、优异的CdV/dt效应下降和先进的高细胞密度沟槽技术,适用于各种高速开关应用。
型号- AM50N06A,AM50N06ADR,AM50N06ADVR
【产品】40V/50mA的硅N沟道结型场效应管CP216-2N4391,可用于模拟开关和斩波应用
Central Semiconductor公司推出了一款用于模拟开关和斩波应用的硅N沟道结型场效应管CP216-2N4391,以裸片形式提供。其栅极-漏极电压为40V,栅源电压为40V,栅电流为50mA,其具有低阻抗、低功耗的优点,适用于小信号场合。可用于模拟开关和斩波应用等场合。
-60V/-30A P沟道MOS场效应管IRFR5305,在小家电领域具有广泛的应用和显著的优势
IRFR5305是一款P沟道MOS场效应管,具有出色的性能参数,其具有较高漏源电压(-60V)和大电流承受能力(-30A),非常适合用于高压高功率的电路设计中。此外,其较低的导通电阻(26mΩ@-10V,-15A)和较低的阈值电压(-1.8V@-250μA)保证了其在工作状态下能降低功率损耗。该器件在各种电子设备和电路中都能发挥重要作用,为电子设备和系统的性能提升和能效改进提供了强大支持。
60V/5A N沟道MOS场效应管SL05N06Z,具有低导通电阻、高开关速度、低开关损耗等特点
SL05N06Z是一款N沟道MOS场效应管,具有出色的性能参数,其具有较高漏源电压(60V)和一定的电流承受能力(5.0A),非常适合用于中压中功率的电路设计中。此外,其较低的导通电阻(58mΩ@10V,3A)和较低的阈值电压(1.7V@250μA)保证了其在工作状态下能降低功率损耗。该器件在各种电子设备和电路中都能发挥重要作用,为电子设备和系统的性能提升和能效改进提供了强大支持。
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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址: 西安 提交需求>
可定制UV胶的粘度范围:150~25000cps,粘接材料:金属,塑料PCB,玻璃,陶瓷等;固化方式:UV固化;双固化,产品通过ISO9001:2008及ISO14000等认证。
最小起订量: 1支 提交需求>
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