SiC-MOSFET与Si-MOSFET相比，区别在哪？

时间： 2024-04-26 来源：SLKOR官网

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SiC-MOSFET与Si-MOSFET相比，具有以下区别：

驱动电压

由于SiC-MOSFET的漂移层电阻低、通道电阻高的特性，其驱动电压即栅极－源极间电压Vgs越高时，导通电阻越低。SiC-MOSFET的导通电阻从Vgs约为20V开始变化（下降）并逐渐减小，接近最小值。一般的IGBT和Si-MOSFET的驱动电压为Vgs=10～15V，而SiC-MOSFET建议在Vgs=18V左右驱动，以充分获得低导通电阻。换句话说，两者之间的区别之一是SiC-MOSFET的驱动电压要比Si-MOSFET高。因此，在替换Si-MOSFET时，需要考虑栅极驱动器电路的调整。

内部栅极电阻

SiC-MOSFET的内部栅极电阻Rg取决于栅电极材料的薄层电阻和芯片尺寸。如果设计相同，则Rg与芯片尺寸成反比，芯片越小，栅极电阻越高。在相同性能条件下，SiC-MOSFET的芯片尺寸比Si-MOSFET小，因此栅极电容小，但内部栅极电阻较大。不仅SiC-MOSFET受到影响，MOSFET的开关时间也取决于外部和内部栅极电阻的综合值。SiC-MOSFET的内部栅极电阻比Si-MOSFET大，因此要实现高速开关，需要尽量减小外部栅极电阻，通常在几Ω左右。

然而，外部栅极电阻还需要应对施加在栅极上的浪涌，因此需要在浪涌保护和高速开关之间取得良好的平衡。

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型号- 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SLKOR（萨科微）专业从事功率元器件的设计、生产和销售。技术骨干来自Infineon英飞凌、三菱、IR、TI德州仪器、ONSEMI安森美等同行业技术领先企业，主要生产MOS场效应管、COOLMOS、电源管理IC、FRD、霍尔hall元件、SCR、IGBT单管、SiC元器件等。

SIC碳化硅器件高压MOS管中低压MOS管 COOLMOS 碳化硅场效应管碳化硅肖特基二极管场效应管 TVS瞬态抑制二极管 ESD防静电二极管超结场效应管 IGBT单管 IGBT/SIC模块二极管三极管肖特基二极管线性稳压器LDO 霍尔传感器开关二极管可控硅单向可控硅双向可控硅整流桥通用二极管 DC-DC电源芯片驱动IC IC集成电路快恢复二极管电池管理IC 光耦光电二极管运算放大器 RS232芯片达林顿管电压基准芯片开关电源芯片

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SLKOR（萨科微）功率器件/二极管/三极管/电源管理芯片/霍尔传感器/光耦选型指南

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产品型号	品类	Polarity	VDD(V)	IDD(A)	TA(℃)	BOP(Gs)	BRP(Gs)	FO(Hz)	Output Type	Package
SL1603TH	霍尔传感器	全极	1.6~5.5	3.3	-40～85	±46	±34	20	CMOS	SOT-23

选型表 - SLKOR 立即选型

SLKOR稳压二极管MM1W18，稳压范围16.8至19.2V，额定功率高达1000mW

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