MOS管使用推挽电路来放大电流时，为什么要考虑电流大小呢？∣ 视频
当MOS管驱动能力不足时，我们会使用推挽电路来放大电流，但是MOS管明明是压控型器件，为什么要去考虑电流大小呢？推挽工作原理：由电源IC发出占空比信号，也就是这个方波通过电阻限流，到达三极管的基极。这里的上管是NPN，下管是PNP。当信号为高电平输出，到达三极管基极时，上管导通，随后MOS管导通。当输出低电平时，上管截止下管导通。随后MOS管通过电阻放电到地，最后截止。
也就是说推挽电路通过两个三极管轮流工作，进行一推一挽来达到推挽的功能。这里的R1的作用，是用来确定开机时候的初始电位，以防开机误触发MOS管以及关机放电。
我们通常会使用推挽电路是因为有时一些IC或者CPU的电流比较小，不足以驱动MOS管，所以加入推晚来增加驱动能力。那为什么MOS管是压控性器件，还需要考虑电流大小进行驱动呢？它最大的峰值驱动电流这是一个IC直接驱动电路，首先需要从IC手册中了解，它最大的峰值驱动电流。C1 C2决定了MOS管被驱动时的导通速度，当IC电流比较小时，C1 C2会比较大，这时MOS管的驱动速度会变慢，在有些电路中是不适应的。原因很简单，这是因为MOS管的输入电容CGS和CGD，这两个电容和芯片的面积有一定关系。MOS管本质上虽然是压控型器件，但栅极电位的上升与下降，本质上是对CGS CGD电容的充放电速度。因此当MOS管驱动能力不足时，就需要利用推挽来进行放大电流了。
凌讯微电子是一家专注功率半导体器件研发、封装测试、销售于一体的国家高新技术企业，致力于成为卓越的功率半导体器件制造商，助力功率半导体核心器件国产化，能够为客户提供高质量，高可靠性的功率器件产品及全方位的技术支持，现有肖特基二极管、LowVF肖特基二极管（低压降肖特基二极管）、快恢复二极管、高压MOS、中低压MOS、超结MOS、IGBT单管及SiC（碳化硅）二极管等主力产品线，产品广泛应用于各类电源适匹器、LED照明、无刷马达、锂电管理、逆变等领域。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由唐燕萍转载自凌讯微电子，原文标题为:MOS管的推挽电路速度是什么？，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。
相关推荐
肖特基二极管漏电的原因及解决方法
肖特基二极管是一种半导体元器件，由金属与P型半导体或N型半导体接触而形成，属于单向导电元件。它的结构与普通二极管的结构类似，但是肖特基二极管没有PN结，而是由金属和半导体之间的Schottky势垒形成的。当肖特基二极管的正极连接到P型半导体，负极连接到金属时，金属与P型半导体之间将会形成一个势垒。
肖特基二极管选用原则有哪些？
肖特基二极管因其低正向压降(VF)、快速开关速度和低功耗特性，被广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及高速数字电路中。然而，不同应用场景对肖特基二极管的需求不同，合理选型是确保系统高效运行和长期可靠的关键。
MOS管在光伏逆变器中的关键角色与选型分析
光伏逆变器是将太阳能光伏阵列产生的直流电转换为交流电的关键设备，其中MOSFET管在光伏逆变器中起着至关重要的作用。本文中辰达行来给大家介绍MOS管在光伏逆变器中的关键角色与选型分析。
凌讯微电子授权世强硬创代理，平台新增国产超结MOS/SiC/IGBT等功率器件
近年来，国产功率半导体已在众多领域应用，特别是中高端产品，如超结MOSFET、IGBT、碳化硅等，市场逐渐从依赖进口向国内自给自足转变。 为服务更多硬科技企业实现国产化替代，功率半导体器件制造商广东凌讯微电子有限公司（下称“凌讯微电子”，英文名：LXMICRO）授权世强先进（深圳）科技股份有限公司（下称“世强先进”）代理，进一步扩大国产功率器件市场应用。 资料显示，凌讯微电子（LXMICRO）功
合科泰TO-220封装高压MOS管4N60，可用于开关电源和电机驱动器等应用上
高压MOS管的沟道区宽、漏极区大、栅极采用特殊工艺，这些特点使得它的管子能够承受高电压。高压MOS管可用于高压电路，具有高电压承受能力和低开关损耗，因此在高压电路中得到了广泛应用。本期，合科泰电子给大家介绍一款经典且常用的高压MOS管4N60，这个管子已经被广泛应用在开关电源、开关稳压器和电机驱动器等产品上。
一文介绍快恢复二极管的选用原则
快恢复二极管是一种专为高频和快速开关应用设计的半导体器件，广泛应用于开关电源、逆变器、电机驱动及功率变换等场景中。与普通整流二极管相比，快恢复二极管具有更短的反向恢复时间和更低的反向恢复损耗，能够提高系统的效率和可靠性。
凌讯微CS13N50系列高压MOS型号推荐
凌讯微电子CS13N50系列高压MOS，封装：TO-220AB、TO-220F、TO-263 、TO-252、TO-251，I D：13AV， DSS ：500V，RDSON-typ VGS=10V ：0.37Ω。
凌讯微CS20N50A系列高压MOS型号推荐
凌讯微电子CS20N50A系列高压MOS，封装：TO-220AB、TO-247、TO-247S；I D：20A，V DSS ：500V，RDSON-typ VGS=10V ：0.24Ω。
快恢复二极管的参数及选择原则
快恢复二极管是一种广泛应用于开关电源、逆变器和其他高频电路中的半导体器件。与普通二极管相比，快恢复二极管具有更短的反向恢复时间，能够有效减少开关损耗和提高效率。
凌讯微CS8N50系列高压MOS型号推荐
凌讯微电子CS8N50A系列高压MOS，封装：TO-220AB、TO-220F、TO-263 、TO-252、TO-251，I D：8AV DSS ：500V，RDSON-typ VGS=10V ：0.68Ω。
快恢复二极管检测事项
快恢复二极管是一种具备较快反向恢复特性的半导体器件，常用于电源、逆变器、和电机驱动等需要高效开关的应用中。为了确保快恢复二极管在这些应用中发挥最佳性能，检测它的各项关键参数尤为重要。
【选型】民用逆变等离子切割机中快恢复二极管推荐KSU30/60D60N，具有反向恢复时间短、漏电流极低等优势
逆变等离子切割机是高压输出，同时起弧瞬间的高压如果防护电路出现故障，会无规律回串到机器的主回路中损坏主回路二次整流的快恢复整流管。因此选取一款合适的快恢复二极管能极大提高产品的可靠性。推荐KYOCERA的高压快恢复二极管KSU30D60N和KSU60D60N，具有反向恢复时间短、漏电流小、耐压高等优势。
采用SMAF封装的肖特基二极管SS54F，高正向浪涌电流能力，适合逆变器、电源、稳压器等应用
肖特基二极管在电路中承担着保护电路的作用，它是一种具有低正向压降和非常快速的开关动作的半导体二极管。当电流流过肖特基二极管时，肖特基二级管端子上有一个小的电压降，这也是它的一大特点。本期，合科泰电子给大家推荐一款肖特基二极管SS54F，可用在逆变器、电源、稳压器等应用上。
快恢复二极管的优化有哪些？
快恢复二极管是一种能够在较短的时间内完成导通和关断的二极管，广泛应用于电源管理、逆变器、开关电源等领域。与普通二极管相比，快恢复二极管在切换速度、反向恢复时间（trr）等关键参数上有更为优异的表现。然而，为了提高其性能，应采取一些优化措施。
电子商城
现货市场
服务
定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m，厚度2mm-100mm，单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
最小起订量： 1片 提交需求>
可定制LAMP LED、 CHIP LED、 PLCC LED、 汽车用车规级LED、COB LED的尺寸/电压/电流等参数，电压1.5-37V，电流5-150mA，波长470-940nm。
最小起订量： 30000 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论